一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及诱导方法技术

本发明专利技术提供了一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及诱导方法，小分子抑制剂在制备干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导剂中的应用，其中，干细胞样记忆性T细胞为CD3+T细胞，所述小分子抑制剂包括MEK抑制剂。本发明专利技术通过MEK抑制剂诱导的TSCM细胞同样表现出强烈的细胞激活、高抗原特异性召回反应，并且可以延长生存期。通过加入MEK抑制剂这种小分子抑制剂来进行TSCM细胞的体外诱导扩增。TSCM细胞的体外诱导扩增。TSCM细胞的体外诱导扩增。

【技术实现步骤摘要】
一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及诱导方法


[0001]本专利技术属于生物医学
，尤其是涉及一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及诱导方法。

技术介绍

[0002]目前已有的体内、外研究证实，干细胞样记忆性T细胞(TSCM)作为一种具有强大的自我更新能力、长期持久性、增殖能力和抗肿瘤活性的细胞，可能在特异性抗肿瘤反应和针对肿瘤的长期免疫监视中发挥重要作用；与其他分化的T细胞亚群相比，TSCM可以产生更有效的抗肿瘤效果，减弱肿瘤细胞的持久性增殖。这个结论同时在血液系统肿瘤(主要为淋巴瘤、白血病)的临床研究中也可以得到证实。然而人体内TSCM细胞的含量极低，探索体外诱导扩增TSCM细胞的方法就显得相当重要。
[0003]为了改善TSCM培养过程中存在的应用试剂繁多、质量难以标化、生产周期长等问题，目前针对TSCM的体外诱导扩增已经提出了很多的方法，包括有补充细胞因子、改变微环境中的代谢因子、调节TCR信号强度和其他激活或抑制信号通路等，以期望使这一过程更加格式化、标准化，并能短期内简单高效地获取更多TSCM细胞。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.小分子抑制剂在制备干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导剂中的应用，其中，干细胞样记忆性T细胞为CD3+T细胞，所述小分子抑制剂包括MEK抑制剂。2.一种干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导培养基，干细胞样记忆性T细胞为CD3+T细胞，其主体为T细胞培养基，其特征在于：培养基中添加有小分子抑制剂，所述小分子抑制剂包括MEK抑制剂。3.根据权利要求2所述的干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导培养基，其特征在于：小分子抑制剂为MEK抑制剂，其在培养基中的终浓度为1000nM/ml。4.干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：分选出CD3+T细胞，置于T细胞培养液中培养；S2：在培养基中加入IL
‑
2、MEK抑制剂，加入BCMA72
‑
80肽段和T Cell TransAct
TM
；S3：培养结...

【专利技术属性】
技术研发人员：付蓉，刘召云，刘惠，丁凯，王一浩，
申请(专利权)人：天津医科大学总医院，
类型：发明
国别省市：