一种半导体脉冲高压二极管的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，包括:采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；按照制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；对所有制造过程信息进行合格分析；依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，保证制造的可靠性。保证制造的可靠性。保证制造的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体脉冲高压二极管的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体脉冲高压二极管的制造方法。

技术介绍

[0002]脉冲式高压二极管主要应用于脉冲电源的应用,具有良好的瞬态浪涌电流冲击特性,瞬态的高温吸收特性及独特的缓冲区域,保证了脉冲高压二极管区别于其他二极管的优越品质。
[0003]不同类型的二极管在制造的过程中都有其对应的制造流程，在按照制造流程进行制造完成后会进行实际测试，来确定该制造的二极管是否生产合格，虽然在制造之前还会进行仿真测试，但是该仿真测试一般是针对该类型二极管的标准测试，并不会针对不同的需求来进行针对性仿真，导致最后生产的产品达不到预期要求。
[0004]因此，本专利技术提出一种半导体脉冲高压二极管的制造方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，用以通过对需求进行方案匹配以及对方案中的每个步骤进行制造模拟，来确定制造过程中存在的不合格，来实现对方案的初步修正，且后续在实际生产过程中通过对实时记录信息与监督标准的逐一对比分析以及实时调整，来实现对实际生产过程的有效修正，从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，尽量保证制造的二极管到达预期要求。
[0006]本专利技术提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，包括：步骤1：采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；步骤2：按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；步骤3：对所有制造过程信息进行合格分析，当分析结果为合格，将所述制造方案保留，否则，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，得到合格方案并进行保留；步骤4：依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；步骤5：在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。
[0007]优选的，采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案，包括：获取对待制造二极管的每个必要性需求并构建需求阵列，将所述需求阵列输入到矛盾分析列表中，确定所述需求阵列中存在的不矛盾需求、矛盾需求以及与所述矛盾需求一致的互不兼容需求；根据在需求采集过程中对每个必要性需求的设定必要等级，来确定不同矛盾需求
与对应互不兼容需求的不兼容数组；确定每个不兼容数组中的最大必要等级，并当时，向对应不兼容数组中的最大必要等级进行第一标定，其中，表示最大必要等级对应的必要值；表示对应不兼容数组中所有剩余必要等级n中的第i1个剩余必要等级的必要值；当时，统计对应不兼容数组中的每个需求基于所有不兼容数组的出现总次数，并对最小总出现次数的需求进行第二标定；基于第一标定结果以及第二标定结果，剔除重复需求，并判断剩余未剔除需求中是否还存在矛盾需求；若过存在，按照剩余未剔除需求的必要等级的必要值进行大小排序，如果存在同等级矛盾，则将必要值小的需求剔除，如果存在不同等级矛盾，则将低等级的需求剔除；根据剔除后的需求以及非矛盾需求，从制造数据库调取一致的制造方案。
[0008]优选的，所述不兼容数组包括：矛盾需求以及矛盾需求的设定必要等级、所对应的互不兼容需求以及互不兼容需求的设定必要等级。
[0009]优选的，按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息，包括：获取每个制造步骤的所有制造段，并根据每个制造段的参数总量以及每个制造段的段权重，确定对应制造段的工具待设置个数；；其中，N1表示对应制造段的工具待设置个数；n1表示对应制造段的关键制造点个数；表示对应制造段的段权重；M表示对应制造段的参数总量；N表示所述制造步骤的参数总量；表示取整符号；根据所述工具待设置个数，对所述制造段进行平均设置，并获取每个设置位置的捕捉工具对相应设置位置的参数的时间捕捉结果；基于所有时间捕捉结果以及对应设置位置的标准时间结果进行比较，若一致，向对应设置位置的捕捉工具设置时间正常标签；若不一致，寻找不一致位置，并确定所述不一致位置的时间捕捉偏移，并向对应捕捉工具设置时间偏移标签；确定相邻制造段中的第一个制造段的最后一个工具的第一捕捉时间以及第二个制造段的第一个工具的第二捕捉时间；若第二捕捉时间与第一捕捉时间的时间间隔差在预设范围内，则保持最后一个工具以及第一个工具的设置位置不变；否则，确定待补充个数，并按照所述待补充个数对相邻制造段的过渡部分进行同位置的重叠设置；
；其中，D表示待补充个数；表示预设范围的最大值，且预设范围的取值为；基于设置有标签的工具以及过渡部分设置的工具对所述制造步骤进行捕捉，并按照合格时间顺序，对捕捉的制造信息进行统计，得到制造过程信息。
[0010]优选的，对所有制造过程信息进行合格分析，包括：将每个制造步骤的制造过程信息与标准过程信息进行时间对齐处理，并判断是否存在不一致信息；若不存在，则判定对应制造步骤合格；否则，判定对应制造步骤不合格，并锁定对齐时间点下的不一致信息。
[0011]优选的，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，包括：获取每个异常制造过程中的不一致信息，构建得到第一梳理向量；将所有第一梳理向量依次输入到关联分析模型中，判断第一梳理向量之间第一关联关系，同时，根据与异常制造过程的关联制造过程，获取首个异常制造过程与剩余异常制造过程的第二关联关系；根据所述第一关联关系以及第二关联关系，对按照时间顺序排序后所对应首次新出现的不一致信息进行关联线路的搭建；根据搭建线路的线路属性，从属性
‑
修改数据库中调取修改方案，对相应搭建线路上的不一致信息进行修改；其中，所述不一致信息即为需要修改的制造过程参数。
[0012]优选的，依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表，包括：确定每个保留步骤与所述保留方案中剩余每个保留步骤之间的制造衔接关系；根据所述制造衔接关系，确定对应保留步骤的单独制造性，同时，从所述制造衔接关系中筛选存在相关关系的衔接关系，并根据存在相关关系的衔接关系所对应的衔接步骤的步骤编号以及对应保留步骤的预设规定编号，构建得到制造流程序号；建立同个保留步骤的单独制造性与制造流程序号的关联索引；基于所有关联索引，构建得到制造列表。
[0013]优选的，对实际制造过程进行实时修正调整，包括：实时监测并记录实际制造过程中每个制造步骤的过程进度以及过程数据；根据所述制造列表中的每个关联索引所涉及到的关联步骤进行显著性标注，并根据显著性标注结果，确定每个保留步骤的标注次数；根据所述标注次数以及对应保留步骤的单独制造性，确定对应保留步骤中涉及到的标准参数的参数范围是否需要缩小调整；若标注次数小于预设次数，则判定不需要缩小调整；
否则，对相应标准参数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，包括：步骤1：采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；步骤2：按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；步骤3：对所有制造过程信息进行合格分析，当分析结果为合格，将所述制造方案保留，否则，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，得到合格方案并进行保留；步骤4：依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；步骤5：在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造；其中，采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案，包括：获取对待制造二极管的每个必要性需求并构建需求阵列，将所述需求阵列输入到矛盾分析列表中，确定所述需求阵列中存在的不矛盾需求、矛盾需求以及与所述矛盾需求一致的互不兼容需求；根据在需求采集过程中对每个必要性需求的设定必要等级，来确定不同矛盾需求与对应互不兼容需求的不兼容数组；确定每个不兼容数组中的最大必要等级，并当时，向对应不兼容数组中的最大必要等级进行第一标定，其中，表示最大必要等级对应的必要值；表示对应不兼容数组中所有剩余必要等级n中的第i1个剩余必要等级的必要值；当时，统计对应不兼容数组中的每个需求基于所有不兼容数组的出现总次数，并对最小总出现次数的需求进行第二标定；基于第一标定结果以及第二标定结果，剔除重复需求，并判断剩余未剔除需求中是否还存在矛盾需求；若过存在，按照剩余未剔除需求的必要等级的必要值进行大小排序，如果存在同等级矛盾，则将必要值小的需求剔除，如果存在不同等级矛盾，则将低等级的需求剔除；根据剔除后的需求以及非矛盾需求，从制造数据库调取一致的制造方案。2.根据权利要求1所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，所述不兼容数组包括：矛盾需求以及矛盾需求的设定必要等级、所对应的互不兼容需求以及互不兼容需求的设定必要等级。3.根据权利要求1所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息，包括：获取每个制造步骤的所有制造段，并根据每个制造段的参数总量以及每个制造段的段权重，确定对应制造段的工具待设置个数；
；其中，N1表示对应制造段的工具待设置个数；n1表示对应制造段的关键制造点个数；表示对应制造段的段权重；M表示对应制造段的参数总量；N表示所述制造步骤的参数总量；表示取整符号；根据所述工具待设置个数，对所述制造段进行平均设置，并获取每个设置位置的捕捉工具对相应设置位置的参数的时间捕捉结果；基于所有时间捕捉结果以及对应设置位置的标准时间结果进行比较，若一致，向对应设置位置的捕捉工具设置时间正常标签；若不一致，寻找不一致位置，并确定所述不一致位置的时间捕捉偏移，并向对应捕捉工具设置时间偏移标签；确定相邻制造段中的第一个制造段的最后一个工具的第一捕捉时间以及第二个制造段的第一个工具的第二捕捉时间；若第二捕捉时间与第一捕捉时间的时间间隔差在预设范围内，则保持最后一个工具以及第一个工具的设置位置不变；否则，确定待补充个数，并按照所述待补充个数对相邻制造段的过渡部分进行同位置的重...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗雪，董春红，张裕，
申请(专利权)人：鞍山中科恒泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：