一种半导体光敏高压二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体光敏高压二极管的制备方法，包括：根据光敏二极管的需要应用场景，确定需要制造流程以及需要制造流程中每个制造项目的初始最佳参数；根据制造项目的项目顺序且依据对应制造项目的初始最佳参数进行二极管制造，并在依据对应的制造项目制造完整后，对相应的单个制造项目进行单独验证以及对基于当下所制造的所有项目进行整体验证；根据单独验证结果以及整体验证结果，且结合对应单个制造项目确定对应单个制造项目是否制造合理；若制造不合理，则根据相应单个制造项目的单独验证结果以及初始最佳参数，且结合整体验证结果对相应单个制造项目的制造影响，对制造完整后的单个制造项目进行修复优化。提高制造质量。造质量。造质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体光敏高压二极管的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体光敏高压二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
[0003]光敏二极管在制造的过程是是依据原本制造流程进行制造生产，且一般是在最后制造完成后，通过对光敏二极管进行通电来检测制造产品是否合格，但是在生产制造过程中并不是所有的参数在生产过程中都是固定不变，且在制造过程中具体哪个步骤出现制造问题所导致的是不清楚的，进而导致制造产品的质量下降。
[0004]因此，本专利技术提出一种半导体光敏高压二极管的制备方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体光敏高压二极管的制备方法，用以通过对场景分析确定制造流程以及初始最佳参数，初步保证生产制造的质量，通过对项目进行单独以及整体验证，进一步保证制造质量，且后续继续通过对验证结果的分析，来实现对项目的修复优化，有效实现根据应用场景实现最佳的生产制造，保证质量可靠。
[0006]本专利技术提供一种半导体光敏高压二极管的制造方法，包括：步骤1：根据光敏二极管的需要应用场景，确定需要制造流程以及需要制造流程中每个制造项目的初始最佳参数；步骤2：根据制造项目的项目顺序且依据对应制造项目的初始最佳参数进行二极管制造，并在依据对应的制造项目制造完整后，对相应的单个制造项目进行单独验证以及对基于当下所制造的所有项目进行整体验证；步骤3：根据单独验证结果以及整体验证结果，且结合对应单个制造项目确定对应单个制造项目是否制造合理；步骤4：若制造合理，则继续依据下一制造项目进行继续制造；步骤5：若制造不合理，则根据相应单个制造项目的单独验证结果以及初始最佳参数，且结合整体验证结果对相应单个制造项目的制造影响，对制造完整后的单个制造项目进行修复优化，直到制造合理。
[0007]优选的，根据光敏二极管的需要应用场景，确定需要制造流程以及需要制造流程中每个制造项目的初始最佳参数，包括：对所述需要应用场景进行解析，确定不同场景参数的参数权重并依据所述参数权重将相应场景参数放入到空白列表中构建得到场景列表；将所述场景列表与历史制造数据库进行匹配，确定匹配度最大的制造流程作为所
需制造流程，并确定所述所需制造流程中每个场景参数的初始固定阈值；对所有场景参数进行参数分类，确定不同类型参数之间的依赖关系，并根据所述依赖关系向每个类型参数赋予依赖标签，其中，所述依赖标签与并行依赖以及单独依赖相关；从场景数据库中获取同个场景参数的所有历史固定阈值以及所有历史权重；对所述场景列表进行综合分析，获取得到每个场景参数的动态权重范围；依据所述动态权重范围从获取的历史固定阈值以及历史权重中筛选所述同个场景参数的范围阈值，并绘制得到参考曲线；对所述参考曲线进行拟合处理，得到第一拟合线；以所述同个场景参数的初始固定阈值为中心对范围阈值进行正态分布分析，锁定若干第一值；以所述同个场景参数的参数权重为中心对范围权重进行正态分布分析，锁定若干第二值；对所述第一值以及第二值进行对照分析，来获取若干个完成对照的对照阈值；当所述第一拟合线的线斜率大于预设斜率时，根据如下公式，确定增值倍数N1；;其中，X0表示预设斜率；X1表示线斜率；Ceiling表示向上取整符号；表示基于斜率的变量系数；Nmax表示所有场景参数的历史曲线中所存在的最长曲线下的参数总个数；N0表示对应参考曲线上存在的参数总个数；N1表示对照分析所提取参数的参数总个数；Y1表示基于第一拟合线所确定与竖轴相交点的竖坐标值；Yave1表示基于参考曲线的平均参数值；Yave2表示基于对照分析所提取参数的平均参数值；Y0表示所述同个场景参数的初始固定阈值；根据所述增值倍数N1对所述参考曲线按照完成对照的对照阈值进行曲线扩展，得到第二曲线；根据标签设置结果以及第二曲线对相应场景参数的初始固定阈值进行调整，得到当下固定阈值，并将所述当下固定阈值作为初始最佳参数。
[0008]优选的，根据所述增值倍数N1对所述参考曲线按照完成对照的对照阈值进行曲线扩展，得到第二曲线，包括：锁定所述参考曲线中每个对照阈值的出现位置以及锁定每个对照阈值基于第一拟合线本身的偏离距离，同时，锁定每个对照阈值基于所述参考曲线的相邻侧值；分别构建每个对照阈值的值分析数组，并按照对照阈值基于参考曲线的先后顺序，将值分析数组依次输入到分析模型中，获取得到每个对照阈值在相应位置的放置属性；当时，在最后一个固定属性对应的对照阈值之后补充增值倍数N1所对应的新规划曲线，得到第二曲线，其中，S1为放置属性为固定属性的总个数；S为放置属性为变动属性的总个数；当时，在第一个固定属性对应的对照阈值之前补充增值倍数N1所对应的新
规划曲线，得到第二曲线；当时，根据按照参考曲线所获取对照阈值构成的阈值曲线的第二拟合曲线，来得到第一拟合曲线与第二拟合曲线的相交点；若相交点在参考曲线所对应的横向坐标范围内，则在相交点之后补充增值倍数N1所对应的新规划曲线，得到第二曲线；否则，在所述参考曲线的末尾后补充增值倍数N1所对应的新规划曲线，得到第二曲线。
[0009]优选的，根据标签设置结果以及第二曲线对相应场景参数的初始固定阈值进行调整，得到当下固定阈值，包括：根据标签设置结果确定相应场景参数的第一调节系数；基于所述第二曲线确定相应场景参数的第二调节系数；根据所述第一调节系数以及第二调节系数，对所述初始固定阈值进行调整，得到当下固定阈值；;其中，Yd表示当下固定阈值；表示基于依赖标签的设定权重；表示基于第二曲线的设定权重；A1表示第一调节系数；A2表示第二调节系数；表示基于第二曲线的参数值方差；g01表示与对应场景参数存在并行依赖关系的个数；g02表示与对应场景参数存在单独依赖关系的个数；g0表示基于需要应用场景所确定的场景参数总个数；Cave表示基于第二曲线的平均参数值；Cmax表示基于第二曲线的最大参数值；Cmin表示基于第二曲线的最小参数值。
[0010]优选的，对相应的单个制造项目进行单独验证，包括：获取单个制造项目的项目类别，并从类别
‑
方式映射表中匹配得到针对所述单个制造项目的第一验证方式；基于所述第一验证方式对所述单个制造项目的项目成果进行单独验证。
[0011]优选的，对基于当下所制造的所有项目进行整体验证，包括：获取当下所制造的所有项目的整体类别，并从类别
‑
方式映射表中匹配得到针对所述当下所制造的所有项目的第二验证方式；基于所述第二验证方式对所述当下所制造的所有项目的项目成果进行整体验证。
[0012]优选的，根据单独验证结果以及整体验证结果，且结合对应单个制造项目确定对应单个制造项目是否制造合理，包括：按照所述单个制造项目的项目参数确定第一制造指标，并将与第一制造指标匹配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光敏高压二极管的制造方法，其特征在于，包括：步骤1：根据光敏二极管的需要应用场景，确定需要制造流程以及需要制造流程中每个制造项目的初始最佳参数；步骤2：根据制造项目的项目顺序且依据对应制造项目的初始最佳参数进行二极管制造，并在依据对应的制造项目制造完整后，对相应的单个制造项目进行单独验证以及对基于当下所制造的所有项目进行整体验证；步骤3：根据单独验证结果以及整体验证结果，且结合对应单个制造项目确定对应单个制造项目是否制造合理；步骤4：若制造合理，则继续依据下一制造项目进行继续制造；步骤5：若制造不合理，则根据相应单个制造项目的单独验证结果以及初始最佳参数，且结合整体验证结果对相应单个制造项目的制造影响，对制造完整后的单个制造项目进行修复优化，直到制造合理。2.根据权利要求1所述的半导体光敏高压二极管的制造方法，其特征在于，根据光敏二极管的需要应用场景，确定需要制造流程以及需要制造流程中每个制造项目的初始最佳参数，包括：对所述需要应用场景进行解析，确定不同场景参数的参数权重并依据所述参数权重将相应场景参数放入到空白列表中构建得到场景列表；将所述场景列表与历史制造数据库进行匹配，确定匹配度最大的制造流程作为所需制造流程，并确定所述所需制造流程中每个场景参数的初始固定阈值；对所有场景参数进行参数分类，确定不同类型参数之间的依赖关系，并根据所述依赖关系向每个类型参数赋予依赖标签，其中，所述依赖标签与并行依赖以及单独依赖相关；从场景数据库中获取同个场景参数的所有历史固定阈值以及所有历史权重；对所述场景列表进行综合分析，获取得到每个场景参数的动态权重范围；依据所述动态权重范围从获取的历史固定阈值以及历史权重中筛选所述同个场景参数的范围阈值，并绘制得到参考曲线；对所述参考曲线进行拟合处理，得到第一拟合线；以所述同个场景参数的初始固定阈值为中心对范围阈值进行正态分布分析，锁定若干第一值；以所述同个场景参数的参数权重为中心对范围权重进行正态分布分析，锁定若干第二值；对所述第一值以及第二值进行对照分析，来获取若干个完成对照的对照阈值；当所述第一拟合线的线斜率大于预设斜率时，根据如下公式，确定增值倍数N1；;其中，X0表示预设斜率；X1表示线斜率；Ceiling表示向上取整符号；表示基于斜率的变量系数；Nmax表示所有场景参数的历史曲线中所存在的最长曲线下的参数总个数；N0表示对应参考曲线上存在的参数总个数；N1表示对照分析所提取参数的参数总个数；Y1表
示基于第一拟合线所确定与竖轴相交点的竖坐标值；Yave1表示基于参考曲线的平均参数值；Yave2表示基于对照分析所提取参数的平均参数值；Y0表示所述同个场景参数的初始固定阈值；根据所述增值倍数N1对所述参考曲线按照完成对照的对照阈值进行曲线扩展，得到第二曲线；根据标签设置结果以及第二曲线对相应场景参数的初始固定阈值进行调整，得到当下固定阈值，并将所述当下固定阈值作为初始最佳参数。3.根据权利要求2所述的半导体光敏高压二极管的制造方法，其特征在于，根据所述增值倍数N1对所述参考曲线按照完成对照的对照阈值进行曲线扩展，得到第二曲线，包括：锁定所述参考曲线中每个对照阈值的出现位置以及锁定每个对照阈值基于第一拟合线本身的偏离距离，同时，锁定每个对照阈值基于所述参考曲线的相邻侧值；分别构建每个对照阈值的值分析数组，并按照对照阈值基于参考曲线的先后顺序，将值分析数组依次输入到分析模型中，获取得到每个对照阈值在相应位置的放置属性；当时，在最后一个固定属性对应的对照阈值之后补充增值倍数N1所对应的新规划曲线，得到第二曲线，其中，S1为放置属性为固定属性的总个数；S为放置属性为变动属性的总个数；当时，在第一个固定属性对应的对照阈值之前补充增值倍数N1所对应的新规划曲线，得到第二曲线；当时，根据按照参考曲线所获取对照阈值构成的阈值曲线的第二拟合曲线，来得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗雪，董春红，张裕，
申请(专利权)人：鞍山中科恒泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：