包括处理器的电子装置的操作方法制造方法及图纸

公开了一种电子装置的操作方法，该电子装置包括执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器。该操作方法包括：在由处理器执行的半导体布局仿真模块处接收布局图像；基于布局图像和半导体集成电路的制造装置信息图像推断晶片图像，半导体集成电路由半导体制造装置基于最终布局图像制造；当晶片图像不可接受时调整布局图像；以及当晶片图像可接受时确认布局图像为最终布局图像。布局图像为最终布局图像。布局图像为最终布局图像。

【技术实现步骤摘要】
包括处理器的电子装置的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0027906的优先权，该申请中的公开内容以引用其全部的方式并入本文。


[0003]本文描述的本公开的实施例涉及电子装置，更特别地，涉及包括处理器的电子装置的操作方法，该处理器执行基于机器学习来推断半导体集成电路的图像的半导体布局仿真模块。

技术介绍

[0004]通过在硅晶片上形成各种电路图案来实现半导体集成电路。制造半导体集成电路的工艺可以包括光学邻近校正(OPC)和工艺邻近校正(PPC)。例如，OPC可以用于校正在形成光刻胶图案的工艺中出现的误差，和/或PPC可以用于校正在蚀刻工艺中出现的误差。
[0005]OPC和/或PPC可以基于半导体图案的临界尺寸(CD)来执行，或者可以基于半导体图案的轮廓来执行。基于CD和/或基于轮廓的OPC和/或PPC可能需要大量计算(或运算)。此外，基于CD和/或基于轮廓的OPC和/或PPC仅使用半导体图案的信息的一部分。在这些情况下，OPC和/或PPC结果可能包括错误。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例提供了一种通过使用机器学习对半导体集成电路执行基于像素的仿真的方法。本公开的实施例提供了一种基于极紫外(EUV)的半导体制造装置的独特特性和长距离(long
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range)布局来仿真半导体集成电路的方法。
[0007]根据实施例，一种使用电子装置确认半导体布局的方法，所述电子装置包括被配置为执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器，所述方法包括：在所述半导体布局仿真模块处接收布局图像；在半导体布局仿真模块处基于所述布局图像以及至少一个半导体集成电路的制造装置信息图像来产生晶片图像，至少一个半导体集成电路由半导体制造装置基于至少一个最终布局图像制造；确定所述晶片图像是否可接受；当所述晶片图像不可接受时，调整所述布局图像；
[0008]以及当所述晶片图像可接受时，将所述布局图像确认为最终布局图像。
[0009]根据实施例，一种使用电子装置产生布局图像的方法，所述电子装置包括配置为执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器，所述方法包括：在所述半导体布局仿真模块处接收目标晶片图像，所述目标晶片图像包括待在半导体集成电路中被图案化的目标图案；
[0010]以及基于密度图像和目标晶片图像产生布局图像，并且密度图像包括关于包括目标晶片图像并且比目标晶片图像宽的区域的图案的密度的信息。
[0011]根据实施例，一种使用电子装置确认半导体布局的方法，所述电子装置包括配置
为执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器，所述方法包括：在所述半导体布局仿真模块处接收目标晶片图像；在半导体布局仿真模块处基于密度图像和半导体集成电路的制造装置信息图像中的至少一个以及目标晶片图像来产生布局图像，半导体集成电路由半导体制造装置基于最终布局图像制造；基于所述制造装置信息图像和所述密度图像中的至少一个以及所述布局图像来产生晶片图像；基于所产生的晶片图像与所述目标晶片图像的比较确定所述晶片图像是否可接受；当所述晶片图像不可接受时，调整所述布局图像；以及当晶片图像可接受时，将布局图像确认为最终布局图像，并且密度图像包括关于包括布局图像并且比布局图像宽的区域的图案的密度的信息。
附图说明
[0012]通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其它目的和特征将变得清楚。
[0013]图1是示出了根据本公开的至少一个示例实施例的电子装置的框图。
[0014]图2详细示出了半导体布局仿真模块的示例。
[0015]图3示出了由处理器执行的半导体布局仿真模块的操作方法。
[0016]图4示出了多通道图像的示例。
[0017]图5是示出根据本公开的至少一个示例实施例的电子装置的框图。
[0018]图6示出了图5的电子装置的操作方法的示例。
[0019]图7是示出根据本公开的至少一个示例实施例的电子装置的框图。
[0020]图8详细示出了半导体布局仿真模块的示例。
[0021]图9示出了由处理器执行的半导体布局仿真模块的操作方法。
[0022]图10示出了多通道图像的示例。
[0023]图11是示出根据本公开的至少一个示例实施例的电子装置的框图。
[0024]图12示出了图11的电子装置的操作方法的示例。
[0025]图13是示出根据本公开的至少一个示例实施例的电子装置的框图。
[0026]图14示出了图13的电子装置的操作方法的示例。
[0027]图15示出了制造半导体集成电路的半导体制造系统的示例。
具体实施方式
[0028]下面，将详细且清楚地描述本公开的一些示例实施例，以达到本领域普通技术人员容易实施本公开的程度。在说明书和附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。因此，可以省略对相同元件的重复描述。下面，术语“和/或”被解释为包括关于该术语列出的任何一个项目，或者列出的项目中的一些的组合。
[0029]图1是示出根据本公开的至少一个示例实施例的电子装置100的框图。参照图1，电子装置100可以包括处理器110、随机存取存储器120、装置驱动器130、存储装置140、调制解调器150和用户接口160。
[0030]处理器110可以包括例如至少一个通用处理器，诸如中央处理单元(CPU)111和/或应用处理器(AP)112。而且，处理器110还可以包括至少一个专用处理器，诸如神经处理单元(NPU)113、神经形态处理器114和/或图形处理单元(GPU)115。尽管处理器110被图示为包括
CPU 111、AP 112、NPU 113、神经形态处理器114和GPU115，但是示例实施例不限于此。例如，处理器110可以包括更少或更多的处理器，和/或在一些示例实施例中，处理器110可以包括两个或更多同构处理器。
[0031]处理器110中的至少一个可以驱动(或操作)半导体布局仿真模块200。例如，半导体布局仿真模块200可以以由处理器110中的至少一个执行的指令(和/或代码)的形式来实现。在这种情况下，至少一个处理器可以将半导体布局仿真模块200的命令(和/或代码)加载到存储器(例如，随机存取存储器120和/或存储装置140)(和/或加载来自所述存储器的命令(和/或代码))。
[0032]在一些示例实施例中，处理器110中的至少一个处理器可以被制造为实现半导体布局仿真模块200。例如，至少一个处理器可以是(例如，以硬件)实现半导体布局仿真模块200的功能的专用处理器。
[0033]随机存取存储器120可以用作处理器110的工作存储器，并且可以用作电子装置100的主存储器和/或系统存储器。随机存取存储器120可以包括易失性存储器(诸如动态随机存取存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用电子装置确认半导体布局的方法，所述电子装置包括被配置为执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器，所述方法包括以下步骤：在所述半导体布局仿真模块处接收布局图像；在所述半导体布局仿真模块处，基于所述布局图像以及至少一个半导体集成电路的制造装置信息图像来产生晶片图像，所述至少一个半导体集成电路由半导体制造装置基于至少一个最终布局图像制造；确定所述晶片图像是否可接受；当所述晶片图像不可接受时，调整所述布局图像；以及当所述晶片图像可接受时，将所述布局图像确认为所述最终布局图像。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述制造装置信息图像包括关于极紫外装置的狭缝的影响的信息。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述制造装置信息图像的像素的值在第一方向上是均匀的并且在第二方向上连续地改变。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布局图像包括当前布局的布局图像和下层的布局图像。5.根据权利要求1所述的方法，其中，产生所述晶片图像包括以下步骤：基于所述制造装置信息图像、所述布局图像和密度图像产生所述晶片图像，以及其中，所述密度图像包括关于包括所述布局图像并且比所述布局图像宽的区域的图案的密度的信息。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：通过对所述半导体集成电路的整体布局执行高斯卷积来产生整体密度图像；以及从所述整体密度图像中选择与所述布局图像相关联的部分作为所述密度图像。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述布局图像的尺寸小于来自所述整体密度图像的与所述布局图像相关联的所述部分的尺寸。8.根据权利要求7所述的方法，其中，从所述整体密度图像中选择与所述布局图像相关联的所述部分作为所述密度图像包括以下步骤：通过缩小来自所述整体密度图像的与所述布局图像相关联的所述部分来产生所述密度图像。9.一种使用电子装置产生布局图像的方法，所述电子装置包括被配置为执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器，所述方法包括以下步骤：在所述半导体布局仿真模块处接收目标晶片图像，所述目标晶片图像包括待在半导体集成电路中被图案化的目标图案；以及在所述半导体布局仿真模块处，基于密度图像和所述目标晶片图像产生布局图像，其中，所述密度图像包括关于包括所述目标晶片图像并且比所述目标晶片图像宽的区域的图案的密度。10.根据权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：通过对整体晶片图像执行高斯卷积来产生整体密度图像；以及从所述整体密度图像中选择与所述目标晶片图像相关联的部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李受龙，梁宰圆，罗暻朝，金志红，吕尚哲，李赫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：