半导体结构版图及半导体结构制造技术

本申请提供一种半导体结构版图及半导体结构，半导体结构版图中第一接触孔图形至少设置为两个，且第一接触孔图形并联设置，当其中一个第一接触孔图形出现缺陷时，剩余的第一接触孔图形还可以继续使用，大大提高了半导体结构的可靠性。同理，第二接触孔图形及第三接触孔图形均至少设置两个，且并联，大大提高了半导体结构的可靠性。导体结构的可靠性。导体结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构版图及半导体结构


[0001]本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构版图及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着微处理设计领域规模越来越大，存储器面积占据着芯片的大部分面积，而且随着工艺的发展，存储器在芯片中的占比会越来越大，因此，设计高密度的存储器能够在一定程度上减小芯片的面积，从而能够降低成本。随着存储器密度的增加，现有的半导体结构版图存在可靠性低的问题，无法满足需求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种半导体结构版图及半导体结构，其能够提高半导体结构的可靠性。
[0004]本申请实施例一方面提供了一种半导体结构版图，其包括：第一有源区图形；第一栅极图形、第二栅极图形、第三栅极图形及第四栅极图形，沿第一方向间隔设置以及均沿第二方向延伸，且与所述第一有源区图形交叠；第一连接图形，用于并联所述第二栅极图形和所述第三栅极图形；第二连接图形，用于并联所述第一栅极图形和所述第四栅极图形；至少两个并联设置的第一接触孔图形，设置在所述第一栅极图形远离所述第二栅极图形的一侧，且每一所述第一接触孔图形与所述第一有源区图形交叠；至少两个并联设置的第二接触孔图形，设置在所述第二栅极图形与所述第三栅极图形之间，且每一所述第二接触孔图形与所述第一有源区图形交叠；至少两个并联设置的第三接触孔图形，设置在所述第四栅极图形远离所述第三栅极图形的一侧，且每一所述第三接触孔图形与所述第一有源区图形交叠。
[0005]在一实施例中，所述第一接触孔图形、所述第二接触孔图形以及所述第三接触孔图形均沿所述第二方向间隔设置。
[0006]在一实施例中，在所述第二方向上，所述第一连接图形及所述第二连接图形分设于所述第一有源区图形的两侧。
[0007]在一实施例中，还包括第四接触孔图形，至少两个并联的所述第四接触孔图形与所述第一连接图形交叠。
[0008]在一实施例中，两个所述第四接触孔图形分别设置在所述第二栅极图形及所述第三栅极图形的一端。
[0009]在一实施例中，还包括第五接触孔图形，至少两个并联的所述第五接触孔图形与所述第二连接图形交叠。
[0010]在一实施例中，两个所述第五接触孔图形分设在所述第一栅极图形及所述第四栅极图形的一端。
[0011]在一实施例中，还包括：第二有源区图形，在所述第二方向上与所述第一有源区图形间隔设置；第五栅极图形及第六栅极图形，沿所述第一方向间隔设置以及均沿所述第二
方向延伸，且与所述第二有源区图形交叠，所述第二连接图形还用于并联所述第五栅极图形和第六栅极图形。
[0012]在一实施例中，在所述第二方向上，所述第三栅极图形与所述第五栅极图形间隔设置，所述第四栅极图形与所述第六栅极图形间隔设置。
[0013]在一实施例中，还包括：至少两个并联设置的第六接触孔图形，设置在所述第五栅极图形远离所述第六栅极图形的一侧，且与所述第二有源区图形交叠；至少两个并联设置的第七接触孔图形，设置在所述第五栅极图形与所述第六栅极图形之间，且与所述第二有源区图形交叠；至少两个并联设置的第八接触孔图形，设置在所述第六栅极图形远离所述第五栅极图形的一侧，且与所述第二有源区图形交叠。
[0014]在一实施例中，所述第六接触孔图形沿所述第二方向间隔设置，所述第七接触孔图形沿所述第二方向间隔设置，所述第八接触孔图形沿所述第二方向间隔设置，在所述第二方向上，所述第六接触孔图形与所述第七接触孔图形以设定距离交错设置，所述第七接触孔图形与所述第八接触孔图形以设定距离交错设置。
[0015]在一实施例中，还包括：第七栅极图形及第八栅极图形，沿所述第一方向间隔设置，以及均沿所述第二方向延伸，且与所述第二有源区图形交叠，且在所述第二方向上，所述第一栅极图形与所述第七栅极图形间隔设置，所述第二栅极图形与所述第八栅极图形间隔设置；第三连接图形，与所述第七栅极图形连接；第四连接图形，与所述第八栅极图形连接。
[0016]在一实施例中，还包括：至少两个并联设置的第九接触孔图形，设置在所述第七栅极图形远离所述第八栅极图形的一侧，且与所述第二有源区图形交叠；至少两个并联设置的第十接触孔图形，设置在所述第七栅极图形与所述第八栅极图形之间，且与所述第二有源区图形交叠。
[0017]在一实施例中，还包括：第三有源区图形，在所述第二方向上与所述第二有源区图形间隔设置；第九栅极图形、第十栅极图形、第十一栅极图形及第十二栅极图形，沿所述第一方向间隔设置以及均沿所述第二方向延伸，且与所述第三有源区图形交叠，所述第四连接图形还用于并联所述第九栅极图形、所述第十栅极图形、所述第十一栅极图形及所述第十二栅极图形。
[0018]在一实施例中，还包括：至少一个第十一接触孔图形，设置在所述第九栅极图形远离所述第十栅极图形的一侧，且与所述第三有源区图形交叠；至少两个并联设置的第十二接触孔图形，设置在所述第九栅极图形与所述第十栅极图形之间，且与所述第三有源区图形交叠；至少一个第十三接触孔图形，设置在所述第十栅极图形与所述第十一栅极图形之间，且与所述第三有源区图形交叠；至少两个并联设置的第十四接触孔图形，设置在所述第十一栅极图形与所述第十二栅极图形之间，且与所述第三有源区图形交叠；至少一个第十五接触孔图形，设置在所述第十二栅极图形远离所述第十一栅极图形的一侧，且与所述第三有源区图形交叠。
[0019]在一实施例中，所述第十二接触孔图形的数量大于所述第十一接触孔图形的数量。
[0020]在一实施例中，所述第十四接触孔图形的数量大于所述第十五接触孔图形的数量。
[0021]本申请实施例另一方面还提供一种半导体结构，依据上述的半导体版图制成。
[0022]在本申请实施例提供的半导体结构版图中第一接触孔图形至少设置为两个，且所述第一接触孔图形并联设置，当其中一个第一接触孔图形出现缺陷时，剩余的第一接触孔图形还可以继续使用，大大提高了半导体结构的可靠性。同理，第二接触孔图形及第三接触孔图形均至少设置两个，且并联，大大提高了半导体结构的可靠性。
附图说明
[0023]图1A是一种动态随机存取存储器的结构示意图；
[0024]图1B是图1A中虚线框A所示部分的局部放大图；
[0025]图1C是读写转换电路单元的示意图；
[0026]图2是本申请第一实施例提供的半导体结构版图；
[0027]图3是本申请第一实施例提供的半导体结构版图形成的半导体结构的电路图；
[0028]图4是本申请第二实施例提供的半导体结构版图；
[0029]图5是本申请第二实施例提供的半导体结构版图形成的半导体结构的电路图；
[0030]图6是本申请第三实施例提供的半导体结构版图；
[0031]图7是本申请第三实施例提供的半导体结构版图形成的半导体结构的电路图。
具体实施方式
[0032]下面结合附图对本申请提供的半导体结构版图及半导体结构的实施例做详细说明。
[0033]请参阅图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构版图，其特征在于，包括：第一有源区图形；第一栅极图形、第二栅极图形、第三栅极图形及第四栅极图形，沿第一方向间隔设置以及均沿第二方向延伸，且与所述第一有源区图形交叠；第一连接图形，用于并联所述第二栅极图形和所述第三栅极图形；第二连接图形，用于并联所述第一栅极图形和所述第四栅极图形；至少两个并联设置的第一接触孔图形，设置在所述第一栅极图形远离所述第二栅极图形的一侧，且每一所述第一接触孔图形与所述第一有源区图形交叠；至少两个并联设置的第二接触孔图形，设置在所述第二栅极图形与所述第三栅极图形之间，且每一所述第二接触孔图形与所述第一有源区图形交叠；至少两个并联设置的第三接触孔图形，设置在所述第四栅极图形远离所述第三栅极图形的一侧，且每一所述第三接触孔图形与所述第一有源区图形交叠。2.根据权利要求1所述的半导体版图，其特征在于，所述第一接触孔图形、所述第二接触孔图形以及所述第三接触孔图形均沿所述第二方向间隔设置。3.根据权利要求1所述的半导体版图，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一连接图形及所述第二连接图形分设于所述第一有源区图形的两侧。4.根据权利要求1所述的半导体版图，其特征在于，还包括第四接触孔图形，至少两个并联的所述第四接触孔图形与所述第一连接图形交叠。5.根据权利要求4所述的半导体版图，其特征在于，两个所述第四接触孔图形分别设置在所述第二栅极图形及所述第三栅极图形的一端。6.根据权利要求1所述的半导体版图，其特征在于，还包括第五接触孔图形，至少两个并联的所述第五接触孔图形与所述第二连接图形交叠。7.根据权利要求6所述的半导体版图，其特征在于，两个所述第五接触孔图形分设在所述第一栅极图形及所述第四栅极图形的一端。8.根据权利要求1所述的半导体版图，其特征在于，还包括：第二有源区图形，在所述第二方向上与所述第一有源区图形间隔设置；第五栅极图形及第六栅极图形，沿所述第一方向间隔设置以及均沿所述第二方向延伸，且与所述第二有源区图形交叠，所述第二连接图形还用于并联所述第五栅极图形和第六栅极图形。9.根据权利要求8所述的半导体版图，其特征在于，在所述第二方向上，所述第三栅极图形与所述第五栅极图形间隔设置，所述第四栅极图形与所述第六栅极图形间隔设置。10.根据权利要求9所述的半导体版图，其特征在于，还包括：至少两个并联设置的第六接触孔图形，设置在所述第五栅极图形远离所述第六栅极图形的一侧，且与所述第二有源区图形交叠；至少两个并联设置的第七接触孔图形，设置在所述第五栅极图形与所述第六栅极图形之间，且与所述第二有源区图形交叠；至少两个并联设置的第八接触孔图形，设置在所述第六栅极图形远离所述第五栅极图形的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明浩，张凤琴，尚为兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：