一种蒸发台制造技术

本实用新型专利技术属于半导体工艺制造技术领域，涉及一种蒸发台。包括蒸发台本体和矩形坩埚；所述蒸发台本体设有至少一个矩形的坩埚槽，所述矩形坩埚固定设置在所述坩埚槽内。本实用新型专利技术将蒸发台本体上的坩埚槽和配套的坩埚形状改为矩形，可有效改善熔源不均匀，降低击穿配件以及污染金属源的风险。件以及污染金属源的风险。件以及污染金属源的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸发台


[0001]本技术属于半导体工艺制造
，涉及一种蒸发台，具体涉及一种用于蒸镀机镀膜的蒸发台。

技术介绍

[0002]现代制备薄膜的主要技术有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积(CVD)，其中，PVD又包括真空蒸镀法、磁控溅射法、溶胶－凝胶法以及脉冲激光沉积法等。电子束蒸发镀膜是一种典型的PVD镀膜技术，被广泛应用于现代半导体制造以及材料表面改性等领域。
[0003]电子束蒸发镀膜是采用高能量电子束轰击坩埚内的待蒸发材料，使材料的原子或分子获得能量后从坩埚内蒸镀出来，在衬底沉积薄膜。电子束蒸发镀膜与磁控溅射相比较，产生的气态粒子的能量更低，能够更好地和剥离工艺兼容。同时，该镀膜方式生产的薄膜具有精度高、薄膜纯度高等优点，因此，在现代半导体以及集成电路等领域，电极与电极间引线常常采用电子束蒸发镀膜。
[0004]半导体集成电路中，电子束蒸发镀膜需要将金属材料放置在坩埚内，进行手动熔源，保证在生产过程中有足够的材料用于镀膜。熔源过程中应分多次进行，防止底部金属没有熔化彻底而导致生产中镀膜的预熔过程无法完成，机台产生报警。然而，目前蒸镀设备中所使用的坩埚槽和配套坩埚均为圆台状，当电子束能量较小时，熔源范围较小，容易导致熔源的不充分，当电子束能量较大时，光斑在上下移动过程中，会超出坩埚熔源范围，容易把坩埚及周围设备配件击穿，且有可能造成金属原材料的污染，需要进行更换，重新熔源，不仅浪费原料，且影响生产进度，增加了生产成本。

技术实现思路

[0005]本技术要解决的技术问题在于：提供一种蒸发台，可有效改善熔源不均匀的问题，同时大大降低了电子束击穿坩埚及其他配件的概率，减少了金属原材料的浪费，从而降低了生产成本，节约了重新熔源和更换设备的时间，保证了生产的稳定性。
[0006]本技术提出的技术方案为：
[0007]一种蒸发台，包括蒸发台本体和矩形坩埚；
[0008]所述蒸发台本体设有至少一个矩形的坩埚槽，所述矩形坩埚固定设置在所述坩埚槽内。
[0009]优选的，所述蒸发台本体为环形。
[0010]优选的，所述矩形坩埚的上端面不高于所述蒸发台本体的上端面。
[0011]优选的，多个间距相等的所述坩埚槽采用环形阵列的方式设置在所述蒸发台本体上。
[0012]优选的，所述坩埚槽和所述矩形坩埚外壁的截面面积均从上到下依次递减，所述坩埚槽的侧壁具有相同的倾斜角度，所述矩形坩埚的侧壁具有相同的倾斜角度。
[0013]优选的，所述坩埚槽侧壁之间的连接处为圆角。
[0014]优选的，所述矩形坩埚的侧壁连接处为圆角，所述矩形坩埚的侧壁与底面连接处为圆角。
[0015]优选的，所述坩埚槽采用无氧铜制备。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0017]本技术将蒸发台本体上的坩埚槽和配套的坩埚形状改为矩形，可有效改善熔源不均匀，降低击穿配件以及污染金属源的风险。
附图说明
[0018]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。
[0019]图1为本技术蒸发台的结构示意图；
[0020]图2为本技术蒸发台的俯视图；
[0021]图3为本技术矩形坩埚的立体结构示意图；
[0022]图4为本技术矩形坩埚的三视图；
[0023]图5为本技术实施例3的电子束运动示意图。
[0024]图中：1、蒸发台本体；2、矩形坩埚；3、坩埚槽。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例都属于本技术保护的范围。
[0026]为了清晰的描述和理解本专利，除本专利设计的工装外，其他的能够用到的工装结构和设备部分结构在图中也已给出。
[0027]实施例1
[0028]请参考图1
‑
5，一种蒸发台，包括蒸发台本体1和矩形坩埚2；
[0029]所述蒸发台本体1设有至少一个矩形的坩埚槽3，所述矩形坩埚2固定设置在所述坩埚槽3内。
[0030]作为更进一步的方案，坩埚槽3和矩形坩埚2外壁的截面面积均从上到下依次递减，坩埚槽3的侧壁具有相同的倾斜角度，矩形坩埚2的侧壁具有相同的倾斜角度，此锥形的矩形坩埚2下壁较厚，感应加热效率高，矩形坩埚2下部温度较高，其独特的形状保证了晶体生长时与矩形坩埚2壁的良好接触，有利于提高晶体的生长效率，且此形状配合相应的尺寸设计能够卡住矩形坩埚2，防止矩形坩埚2掉落。
[0031]作为更进一步的方案，坩埚槽3侧壁之间的连接处采用圆角过渡，矩形坩埚2的侧壁连接处和矩形坩埚2的侧壁与底面连接处均采用圆角，采用圆角能够获得更均匀的壁厚，使得受热和传热更为均匀。
[0032]作为更进一步的方案，矩形坩埚2和坩埚槽3材料选定需要考虑工作的环境，因此需要硬度高且耐高温的材料，现有技术通常采用钨、钼等，优选采用无氧铜制备。
[0033]对本技术的具体工作原理做出详细说明，当电子束水平移动时，由于产生的
光斑呈矩形，通过调节能量大小，能够调整光斑矩形的长度，而电子束产生的光斑整个移动的轨迹也为矩形，因此采用矩形坩埚2的设计，相对圆形坩埚，能够照射到更高比例的区域。采用矩形坩埚2，手动熔源时，调节合适的能量大小，只需进行水平移动，可最大程度地利用电子束的能量，保证熔源的均匀性，且电子束不会打在坩埚槽3外围的配件上，降低了电子束击穿配件的概率，减小了金属在熔源过程中被污染的可能性。根据坩埚槽3上方火山口大小和电子束能量不同，坩埚槽3和矩形坩埚2长、宽和内径范围不固定，根据设备参数选用合适内径的坩埚槽3和矩形坩埚2。
[0034]实施例2
[0035]将本技术应用到现有技术的蒸镀机上时。
[0036]参照图1、图2，蒸镀机采用环形可转动的蒸发台。在蒸发台本体1上制备多个坩埚槽3，多个间距相等的坩埚槽3采用环形阵列的方式设置在蒸发台本体1上，环形阵列时的中心在蒸发台本体1的轴线上。采用多个坩埚槽3和多个矩形坩埚2的设计，可满足多种金属材料，增加镀膜种类的多样性，也可镀复合膜。
[0037]作为更进一步的方案，为了避免在使用过程中矩形坩埚2外壁撞击到火山口，矩形坩埚2的上端面不能露出蒸发台本体1的上端面。
[0038]显然，本技术的应用并不限于现有技术中的蒸镀机，在其他采用电子束蒸发镀膜技术的设备上采用本技术也应当属于本技术的保护范围内。
[0039]实施例3
[0040]对本技术的实际效果进行实验验证。
[0041]请参照图5，在熔源过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸发台，其特征在于，包括蒸发台本体（1）和矩形坩埚（2）；所述蒸发台本体（1）设有至少一个矩形的坩埚槽（3），所述矩形坩埚（2）固定设置在所述坩埚槽（3）内。2.根据权利要求1所述的蒸发台，其特征在于，所述蒸发台本体（1）为环形。3.根据权利要求2所述的蒸发台，其特征在于，所述矩形坩埚（2）的上端面不高于所述蒸发台本体（1）的上端面。4.根据权利要求2所述的蒸发台，其特征在于，多个间距相等的所述坩埚槽（3）采用环形阵列的方式设置在所述蒸发台本体（1）上。5.根据权利要求1所述的蒸发台，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萌萌，李兆营，黄添萍，李海涛，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：新型
国别省市：