气体分布盘、电极板和半导体蚀刻系统技术方案

本申请涉及一种气体分布盘、电极板和半导体蚀刻系统，该气体分布盘，应用于半导体蚀刻系统，包括盘体，盘体上设置有均匀分布的进气孔，各个进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上，在气体在通过该气体分布盘时能够使得气体均匀通过，从而在该气体部分盘应用在半导体蚀刻系统时，半导体的蚀刻速率分布更加均匀。分布更加均匀。分布更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
气体分布盘、电极板和半导体蚀刻系统


[0001]本申请涉及半导体领域，具体涉及一种气体分布盘、电极板和半导体蚀刻系统。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，蚀刻是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。干法蚀刻是通过等离子体与硅片上的材料进行物理和化学反应，来进行薄膜蚀刻的一种技术。由于在干法蚀刻过程中利用粒子轰击进行物理反应，因此干法蚀刻垂直方向的蚀刻速率通常会大于横向蚀刻速率，具有各向异性。
[0003]随着半导体技术的发展，关键尺寸不断缩小，干法蚀刻设备的蚀刻均匀性对产品性能和质量具有至关重要的作用。而在干法蚀刻过程中，气体在进入反应腔室时气流的分布对于半导体的蚀刻速率有着重要的影响。目前的半导体蚀刻系统中，气体分布盘中各个进气孔呈现环形设置，气体在进入反应腔室时气流的分布不均匀，导致半导体的蚀刻速率分布也不均匀。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种气体分布盘，在气体在通过该气体分布盘时能够使得气体均匀通过，从而在该气体部分盘应用在半导体蚀刻系统时，半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
[0005]一种气体分布盘，应用于半导体蚀刻系统，包括盘体，所述盘体上设置有均匀分布的多个进气孔，各个所述进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上。
[0006]在一个实施例中，进气孔位于蜂窝状六边形的中心以及各个顶点位置。
[0007]在一个实施例中，每个进气孔的形状为圆形。
[0008]在一个实施例中，每个进气孔的直径相同。
[0009]在一个实施例中，每个进气孔的直径为0.15cm～0.25cm。
[0010]在一个实施例中，相邻进气孔的孔间距相同。
[0011]在一个实施例中，相邻进气孔的孔间距为0.8cm～1cm。
[0012]在一个实施例中，气体分布盘为圆形。
[0013]此外，还提供一种电极板，包括上述气体分布盘。
[0014]此外，还提供一种半导体蚀刻系统，包括：
[0015]进气装置，用于输入外部装置输送的混合气体；
[0016]电极板，用于通过各个进气孔将混合气体输送至半导体反应腔室；
[0017]电极板还用于接收施加的预设频率的外部电场信号，并在外部电场信号下对混合气体进行解离；
[0018]半导体蚀刻腔室，用于输入解离后的混合气体以对晶圆进行蚀刻。
[0019]上述气体分布盘，气体分布盘上设置有均匀分布的进气孔，各个进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上，在气体通过该气体分布盘时，上述气体分布
盘上设置的呈现蜂窝状均匀分布的进气孔能够使得气体均匀通过，进而使得该气体分布盘应用在半导体蚀刻系统中时，气体在进入反应腔室时气流的分布更加均匀，最终使得半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本申请实施例提供的一种气体分布盘的结构示意图；
[0022]图2是本申请实施例提供的一种进气孔分布位置的结构示意图；
[0023]图3是本申请实施例提供的一种半导体蚀刻系统的结构框图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0025]如图1所示，图1为一种气体分布盘10的结构示意图，该气体分布盘10应用于半导体蚀刻系统，气体分布盘10包括盘体a，盘体a上设置有均匀分布的进气孔，各个进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上。
[0026]图1中，各个黑色圆点代表的即为各个进气孔，为清楚的显示各个进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上，以虚线连接示出各个呈蜂窝状阵列分布的正六边形区域。
[0027]本实施例中，气体分布盘10上设置有均匀分布的进气孔，各个进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上，在气体通过该气体分布盘10时，上述气体分布盘10上设置的呈现蜂窝状均匀分布的进气孔能够使得气体均匀通过，进而使得该气体分布盘10应用在半导体蚀刻系统中时，气体在进入反应腔室时气流的分布更加均匀，最终使得半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
[0028]在一个实施例中，进气孔位于蜂窝状六边形的中心以及各个顶点位置。
[0029]如图2所示，以图1中随意选取的完整六边形区域进行举例，该六边形区域包含一组七个进气孔，六个进气孔(11、12、13、14、15和16)分别位于蜂窝状六边形的顶点位置，剩余一个进气孔17位于蜂窝状六边形的中心点位置。
[0030]其中，蜂窝状结构(Cellular Structure)即正六边形结构，是覆盖二维平面的最佳拓扑结构，通过将气孔位于蜂窝状六边形的中心以及各个顶点位置，能够进一步充分提高气体通过时的均匀性，从而使得该气体分布盘10应用在半导体蚀刻系统中时，气体在进入反应腔室时气流的分布更加均匀，最终使得半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
[0031]在一个实施例中，每个进气孔的形状为圆形。
[0032]通过将每个进气孔设置为圆形，能够进一步的保证上述气体通过时的均匀性，进而能够使得气体均匀通过，从而使得该气体分布盘10应用在半导体蚀刻系统中时，气体在
进入反应腔室时气流的分布更加均匀，最终使得半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
[0033]在一个实施例中，每个进气孔的直径相同。
[0034]其中，通过将每个进气孔的直径设置为相同大小，能够进一步的保证上述气体通过时的均匀性，进而能够使得气体均匀通过该气体分布盘10，从而使得该气体分布盘10应用在半导体蚀刻系统中时，气体在进入反应腔室时气流的分布更加均匀，最终使得半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
[0035]在一个实施例中，每个进气孔的直径为0.15cm～0.25cm。
[0036]其中，通过将每个进气孔的直径为0.15cm～0.25cm范围内，能够使得上述气体分布盘10的进气孔大小合适，以保证每个进气孔通气能力。
[0037]在一个实施例中，相邻进气孔的孔间距相同。
[0038]其中，将相邻进气孔的孔间距设置为相同大小，能够从总体上使得上述气体分布盘10的进气孔的分布更加均匀，从而使得该气体分布盘10应用在半导体蚀刻系统中时，气体在进入反应腔室时气流的分布更加均匀，最终使得半导体的蚀刻速率分布更加均匀。
[0039]在一个实施例中，相邻进气孔的孔间距为0.8cm～1cm。
[0040]本实施例中，相邻进气孔的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体分布盘，其特征在于，应用于半导体蚀刻系统，包括盘体，所述盘体上设置有均匀分布的多个进气孔，各个所述进气孔一一对应位于呈蜂窝状阵列分布的各个六边形区域上。2.根据权利要求1所述的气体分布盘，其特征在于，所述进气孔位于对应六边形的中心以及各个顶点位置。3.根据权利要求1所述的气体分布盘，其特征在于，每个所述进气孔的形状为圆形。4.根据权利要求3所述的气体分布盘，其特征在于，每个所述进气孔的直径相同。5.根据权利要求4所述的气体分布盘，其特征在于，每个所述进气孔的直径为0.15cm～0.25cm。6.根据权利要求1所述的气体分布盘，其特征在于，相邻所述进气孔的孔间距相...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡顺，周壮壮，王佳进，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：