本发明专利技术公开了一种智能功率模块和具有其的电子设备，智能功率模块包括：基板，基板设有彼此间隔的导电区和跳线区；框架，框架包括的控制侧框架、功率侧框架和连杆，控制侧框架和功率侧框架分设于基板的相对两侧，导电区和跳线区位于功率侧框架和控制侧框架之间，跳线区相对于功率侧框架更加邻近控制侧框架设置且与控制侧框架的驱动芯片电连接，连杆与基板相连；逆导型功率芯片，逆导型功率芯片安装于导电区且位于连杆的背向控制侧框架的一侧，逆导型功率芯片分别与跳线区和功率侧框架电连接。根据本发明专利技术实施例的智能功率模块在避免模块表面溢料的同时，能够避免逆导型功率芯片和功率侧框架之间的导电件和连杆发生位置干涉，避免短路或断路。免短路或断路。免短路或断路。
【技术实现步骤摘要】
智能功率模块和具有其的电子设备
[0001]本专利技术涉及智能功率模块
，尤其是涉及一种智能功率模块和具有其的电子设备。
技术介绍
[0002]相关技术中的智能功率模块通常包括基板、控制侧框架、功率侧框架、连杆、功率芯片和续流二极管，连杆用于在制造过程中压住基板，避免塑封料溢出在基板表面，产生基板表面溢料缺陷，功率芯片和控制侧框架的驱动芯片电连接，功率芯片通过续流二极管和功率侧框架电连接，但是这样功率芯片和续流二极管整体的面积大，成本和热阻高、结温波动高等缺点。
[0003]如图7所示，因此一些智能功率模块11采用将功率芯片和续流二极管集成为一体的逆导型功率芯片12，这样能够减小芯片的面积，降低成本、热阻和结温波动，但是连杆13在和基板14连接时，会与逆导型功率芯片12和功率侧框架15之间的导电件16会与连杆13位置干涉，可能导致逆导型功率芯片12和功率侧框架15之间的导电件16破损变形，从而出现短路或者断路等情况，并且，由于逆导型功率芯片12和功率侧框架15之间连接的导电件16的长度较长，还易导致回路电感较大。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种智能功率模块，该智能功率模块在避免模块表面溢料的同时，不仅能够避免逆导型功率芯片和功率侧框架之间的导电件和连杆发生位置干涉，避免短路或断路，而且具有回路电感小等优点。
[0005]本专利技术还提出了一种具有上述智能功率模块的电子设备。
[0006]为了实现上述目的，根据本专利技术的第一方面实施例提出了一种智能功率模块，包括：基板，所述基板设有彼此间隔的导电区和跳线区；框架，所述框架包括的控制侧框架、功率侧框架和连杆，所述控制侧框架和所述功率侧框架分设于所述基板的相对两侧，所述导电区和所述跳线区位于所述功率侧框架和所述控制侧框架之间，所述跳线区相对于所述功率侧框架更加邻近所述控制侧框架设置且与所述控制侧框架的驱动芯片电连接，所述连杆与所述基板相连；逆导型功率芯片，所述逆导型功率芯片安装于所述导电区且位于所述连杆的背向所述控制侧框架的一侧，所述逆导型功率芯片分别与所述跳线区和所述功率侧框架电连接。
[0007]根据本专利技术实施例的智能功率模块在避免模块表面溢料的同时，不仅能够避免逆导型功率芯片和功率侧框架之间的导电件和连杆发生位置干涉，避免短路或断路，而且具有回路电感小等优点。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述控制侧框架和所述功率侧框架在第一方向上分设于所述基板的相对两侧；所述逆导型功率芯片为多个且沿与所述第一方向垂直的第二方向
间隔排布，所述基板设有多个所述导电区和多个所述跳线区，每个所述导电区设有至少一个所述逆导型功率芯片，多个所述逆导型功率芯片与多个跳线区一一对应地连接；所述连杆连接于所述基板在所述第二方向上相对的两侧。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，多个所述逆导型功率芯片包括低压逆导型功率芯片和高压逆导型功率芯片；多个所述导电区包括低压导电区和高压导电区，所述低压逆导型功率芯片安装于所述低压导电区，所述高压逆导型功率芯片安装于所述高压导电区；多个所述跳线区包括低压跳线区和高压跳线区。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述低压跳线区的一端靠近控制侧框架的驱动芯片，所述低压跳线区的另一端靠近所述低压逆导型功率芯片；其中，所述低压跳线区的所述另一端与所述连杆在所述第二方向间隔布置。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，每个所述低压跳线区包括：横向段，所述横向段沿所述第二方向延伸且位于所述低压导电区和所述控制侧框架之间，所述横向段与所述控制侧框架电连接；竖向段，所述竖向段沿所述第一方向延伸且在所述第二方向上位于所述低压导电区的一侧，所述竖向段与所述横向段连接，所述低压逆导型功率芯片与所述竖向段电连接。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，所述低压跳线区的朝向所述低压逆导型功率芯片的一端与所述连杆的朝向所述低压逆导型功率芯片的一侧平齐；或者，所述低压跳线区相对于所述连杆更靠近所述低压逆导型功率芯片。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，每个所述低压导电区在所述第二方向上背向所述连杆的一侧设有第一缺口，所述第一缺口的开口方向朝向所述控制侧框架，所述低压跳线区至少一部分布置于所述第一缺口。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，每个所述高压跳线区包括：发射极跳线区和栅极跳线区，所述发射极跳线区和所述栅极跳线区均沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布，所述发射极跳线区的一端和所述栅极跳线区的一端分别与所述控制侧框架电连接，所述发射极跳线区的另一端与所述高压逆导型功率芯片的发射极电连接，所述栅极跳线区的另一端与所述高压逆导型功率芯片的栅极电连接。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述发射极跳线区的朝向所述高压逆导型功率芯片的一端、所述栅极跳线区的朝向所述高压逆导型功率芯片的一端与所述连杆的朝向所述高压逆导型功率芯片的一侧平齐；或者，所述发射极跳线区相对于所述连杆更靠近所述高压逆导型功率芯片，所述栅极跳线区相对于所述连杆更靠近所述高压逆导型功率芯片。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，每个所述高压导电区的朝向所述控制侧框架的一侧设有第二缺口，所述发射极跳线区和所述栅极跳线区布置于所述第二缺口。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述高压逆导型功率芯片为多个，所述高压导电区为一个且多个所述高压逆导型功率芯片均安装于该高压导电区；所述高压导电区的朝向所述控制侧框架的一侧设有多个所述第二缺口，多个所述第二缺口沿所述第二方向间隔排布，每个所述第二缺口内布置有一个所述发射极跳线区和一个所述栅极跳线区，每个所述高压逆导型功率芯片与一个所述发射极跳线区和一个所述栅极跳线区电连接。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述低压逆导型功率芯片为三个，所述低压导电区为三个，三个所述低压逆导型功率芯片一一对应地安装于三个所述低压导电区；所述高压逆
导型功率芯片为三个，所述高压导电区为一个且三个所述高压逆导型功率芯片均安装于该高压导电区。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述智能功率模块还包括：塑封体，所述基板、所述框架和所述逆导型功率芯片被封装于所述塑封体内，所述基板的背向所述逆导型功率芯片的一面与所述塑封体表面平齐且从所述塑封体露出，所述控制侧框架具有控制侧引脚，所述功率侧框架具有功率侧引脚，所述控制侧引脚和所述功率侧引脚伸出所述塑封体；其中，所述控制侧引脚连接有电路板，所述驱动芯片安装于所述电路板，所述驱动芯片被封装于所述塑封体内；或者所述控制侧引脚连接有一体成型的基岛，所述驱动芯片安装于所述基岛，所述驱动芯片被封装于所述塑封体内。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述功率侧框架连接于所述基板；所述基板包括导电层、绝缘层和散热层，所述导电层和所述散热层分别设于所述绝缘层的两侧表面，所述跳线区和所述导电区设于所述导电层，所述连杆连接于所述导电层，所述散热层从所述塑封体露出，或本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：基板，所述基板设有彼此间隔的导电区和跳线区；框架，所述框架包括的控制侧框架、功率侧框架和连杆，所述控制侧框架和所述功率侧框架分设于所述基板的相对两侧，所述导电区和所述跳线区位于所述功率侧框架和所述控制侧框架之间，所述跳线区相对于所述功率侧框架更加邻近所述控制侧框架设置且与所述控制侧框架的驱动芯片电连接，所述连杆与所述基板相连；逆导型功率芯片，所述逆导型功率芯片安装于所述导电区且位于所述连杆的背向所述控制侧框架的一侧，所述逆导型功率芯片分别与所述跳线区和所述功率侧框架电连接。2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述控制侧框架和所述功率侧框架在第一方向上分设于所述基板的相对两侧；所述逆导型功率芯片为多个且沿与所述第一方向垂直的第二方向间隔排布，所述基板设有多个所述导电区和多个所述跳线区，每个所述导电区设有至少一个所述逆导型功率芯片，多个所述逆导型功率芯片与多个跳线区一一对应地连接；所述连杆连接于所述基板在所述第二方向上相对的两侧。3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，多个所述逆导型功率芯片包括低压逆导型功率芯片和高压逆导型功率芯片；多个所述导电区包括低压导电区和高压导电区，所述低压逆导型功率芯片安装于所述低压导电区，所述高压逆导型功率芯片安装于所述高压导电区；多个所述跳线区包括低压跳线区和高压跳线区。4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述低压跳线区的一端靠近控制侧框架的驱动芯片，所述低压跳线区的另一端靠近所述低压逆导型功率芯片；其中，所述低压跳线区的所述另一端与所述连杆在所述第二方向间隔布置。5.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述低压跳线区包括：横向段，所述横向段沿所述第二方向延伸且位于所述低压导电区和所述控制侧框架之间，所述横向段与所述控制侧框架电连接；竖向段，所述竖向段沿所述第一方向延伸且在所述第二方向上位于所述低压导电区的一侧，所述竖向段与所述横向段连接，所述低压逆导型功率芯片与所述竖向段电连接。6.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述低压跳线区的朝向所述低压逆导型功率芯片的一端与所述连杆的朝向所述低压逆导型功率芯片的一侧平齐；或者所述低压跳线区相对于所述连杆更靠近所述低压逆导型功率芯片。7.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述低压导电区在所述第二方向上背向所述连杆的一侧设有第一缺口，所述第一缺口的开口方向朝向所述控制侧框架，所述低压跳线区至少一部分布置于所述第一缺口。8.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，每个所述高压跳线区包括：发射极跳线区和栅极跳线区，所述发射极跳线区和所述栅极跳线区均沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布，所述发射极跳线区的一端和所述栅极跳线区的一端分别与所述控制侧框架电连接，所述发射极跳线区的另一端与所述高压逆...
【专利技术属性】
技术研发人员：李正凯，成章明，周文杰，谢地林，刘剑，岑锦升，别清峰，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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