半导体器件以及半导体器件的制造方法技术

本公开的各实施例涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在构成半导体器件的半导体衬底的主表面上形成绝缘膜，以覆盖场板部分，在该绝缘膜上形成比所述场板部分厚的金属图案，在该绝缘膜上形成保护膜，以覆盖所述金属图案。该场板部分由一个或多个氮化硅膜和一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2022年2月28日申请的第2022
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029196号日本专利申请的包括说明书、附图以及说明书摘要在内的公开内容全部通过引用合并于此。

技术介绍

[0003]本专利技术涉及半导体器件及半导体器件的制造方法，例如能够适用于具有场板部分的半导体器件及其制造方法。
[0004]下面列出了公开的技术。
[0005][专利文献1]第2019
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62031号日本未审查专利申请公开
[0006][专利文献2]第WO2013/069408号国际专利公开
[0007][专利文献3]第2015
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230965号日本未审查专利申请公开
[0008]第2019
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62031号日本未审查专利申请公开(专利文件1)和第WO2013/069408号国际专利公开(专利文件2)描述了与具有电阻场板部分的半导体器件相关的技术。此外，第2015
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230965号日本未审查专利申请公开(专利文献3)描述了一种与用于抑制电场集中的金属布线相关的技术。

技术实现思路

[0009]期望提高具有场板部分的半导体器件的可靠性。
[0010]其它问题和新颖特征将从本说明书和附图的描述中显而易见。
[0011]根据实施例，一种半导体器件包括：半导体衬底；场板部分，经由第一绝缘膜形成在该半导体衬底的该主表面上；第二绝缘膜，形成在该半导体衬底的该主表面上，以覆盖该第一绝缘膜和该场板部分。半导体器件还包括：第一金属图案和第二金属图案，形成在第二绝缘膜上；绝缘保护膜，形成在该第二绝缘膜上，以覆盖该第一金属图案和该第二金属图案。该第一金属图案和该第二金属图案中的每个金属图案电连接到该场板部分并且比场板部分厚。该场板部分由多晶硅制成，该第二绝缘膜由一个或多个氮化硅膜和一个或多个氧化硅膜的堆叠膜组成。
[0012]根据本实施方式，能够提高半导体器件的可靠性。
附图说明
[0013]图1是根据实施例的半导体器件的俯视图。
[0014]图2是根据实施例的半导体器件的仰视图。
[0015]图3是根据实施例的半导体器件的平面透视图。
[0016]图4是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的平面图。
[0017]图5是根据实施例的半导体器件的平面透视图。
[0018]图6是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的截面图。
[0019]图7是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的截面图。
[0020]图8是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的截面图。
[0021]图9是示出根据实施例的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0022]图10是示出图9之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0023]图11是示出图10之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0024]图12是示出图11之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0025]图13是示出图12之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0026]图14是示出图13之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0027]图15是示出图14之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0028]图16是示出图15之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0029]图17是示出图16之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0030]图18是示出图17之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0031]图19是示出图18之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。
[0032]图20是示出第一研究示例的半导体器件的主要部分的截面图。
[0033]图21是示出第二研究示例的半导体器件的主要部分的截面图。
[0034]图22是示出第三研究示例的半导体器件的主要部分的截面图。
[0035]图23是示出第一修改的半导体器件的主要部分的截面图。
[0036]图24是示出第二修改的半导体器件的主要部分的截面图。
[0037]图25是示出第三修改的半导体器件的主要部分的截面图。
具体实施方式
[0038]在下面的描述中，为了方便起见，将在需要时以多个部分或实施例来描述本专利技术。然而，除非另有说明，否则这些部分或实施例并非彼此无关，并且一个涉及另一个的全部或部分作为其修改、细节或补充说明。此外，在下述实施例中，除非另有说明或者除了原则上明显限于特定数量的情况，否则当提到元件的数量(包括个数、数值、数量、范围等)时，元件的数量不限于特定数量，并且大于或小于特定数量的也适用。此外，在以下描述的实施例中，不言而喻，除非另有说明或者除了原则上组件明显不可缺少的情况，否则组件(包括元件步骤)不一定是不可缺少的。类似地，在后述的实施例中，当提及组件的形状、其位置关系等时，除非另有说明或者除了原则上其明显被排除在外的情况，否则大致近似和相似形状等也包括在其中。上述的数值和范围也同样。
[0039]在下文中，将参照附图详细描述实施例。在用于描述实施例的所有附图中，对具有相同功能的部件标注相同的附图符号，并且省略其重复的说明。此外，在以下实施例中，除非特别需要，否则原则上不再重复描述相同或相似的组件。
[0040]另外，在以下的实施例中使用的一部分附图中，为了使附图容易看清，即使在截面图中也省略阴影线(hatching)。此外，为了使附图容易看清，即使在平面图中也使用阴影线。
[0041]第一实施例
[0042]<半导体器件的结构>
[0043]将参考图1至图9描述根据本实施例的半导体器件CP的结构。图1是根据本实施例的半导体器件CP的俯视图，图2是根据本实施例的半导体器件CP的仰视图(背表面图)。图3
是根据本实施例的半导体器件CP的平面透视图，图4是示出根据本实施例的半导体器件CP的主要部分的平面图。图5是根据本实施例的半导体器件CP的平面透视图，其用阴影示出p型半导体区域FPR和绝缘膜IL1的形成位置。图6至图8是示出根据本实施例的半导体器件CP的主要部分的截面图。以放大的方式示出由图1中的虚线包围的区域RG1的局部放大平面图对应于图4。此外，沿着图4中的A1
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A1线截取的截面图对应于图6。此外，图7和图8是示出图3所示的元件区域DR的主要部分的截面图。具体来说，图7对应于发射极电极EE从保护膜PF的开口(用于发射极焊盘的开口)露出的区域的截面图，图8对应于发射极电极EE被保护膜PF覆盖的区域的截面图。
[0044]根据本实施例的半导体器件(半导体芯片)CP例如是包括功率晶体管(功率系统晶体管)的功率器件，并且功率晶体管形成在构成半导体器件CP的半导体衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有位于彼此相对侧上的主表面和背表面；场板部分，经由第一绝缘膜形成在所述半导体衬底的所述主表面上；第二绝缘膜，形成在所述半导体衬底的所述主表面上，以覆盖所述第一绝缘膜和所述场板部分；第一金属图案和第二金属图案，形成在所述第二绝缘膜上；以及绝缘保护膜，形成在所述第二绝缘膜上，以覆盖所述第一金属图案和所述第二金属图案，其中所述第一金属图案和所述第二金属图案中的每个金属图案电连接到所述场板部分，其中所述第一金属图案和所述第二金属图案中的每个金属图案比所述场板部分厚，其中所述场板部分由多晶硅制成，并且其中所述第二绝缘膜由一个或多个氮化硅膜和一个或多个氧化硅膜的堆叠膜组成。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜由第一氧化硅膜、所述第一氧化硅膜上的第一氮化硅膜以及所述第一氮化硅膜上的第二氧化硅膜的堆叠膜组成。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一氧化硅膜与所述场板部分接触。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜由第一氧化硅膜和所述第一氧化硅膜上的第一氮化硅膜的堆叠膜组成。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一氧化硅膜与所述场板部分接触。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜由第一氮化硅膜和第一氮化硅膜上的第一氧化硅膜的堆叠膜组成。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一氮化硅膜与所述场板部分接触。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护膜与所述第一金属图案和所述第二金属图案接触，并且其中所述保护膜不包括氮化硅膜。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述保护膜是位于最上层的膜。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护膜由树脂膜组成。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成有半导体元件的元件区域被布置在所述半导体衬底的所述主表面的中央部分中，其中所述第一金属图案被布置以在平面图中包围所述元件区域，并且所述第一金属图
案电连接到所述半导体衬底的从所述第二绝缘膜暴露的第一部分，其中所述第二金属图案被布置以在平面图中包围所述第一金属图案，并且所述第二金属图案电连接到所述半导体衬底的从所述第二绝缘膜暴露的第二部分，其中所述场板部分整体地包括：第一导体图案、第二导体图案和第三导体图案，所述第一导体图案被布置以在平面图中包围所述元件区域，所述第二导体图案被布置以在平面图中包围所述第一导体图案，所述第三导体图案在平面图中被布置在所述第一导体图案与所述第二导体图案之间并且连接所述第一导体图案和所述第二导体图案，其中所述第一金属图案电连接到所述场板部分的所述第一导体图案，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚俊昭，中西翔，宇野友彰，柳井幸志郎，村山昌也，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：