接触结构及其制备方法、半导体结构技术

本公开涉及一种接触结构及其制备方法、半导体结构。所述接触结构的制备方法包括：提供衬底，衬底具有浅沟槽隔离结构；形成覆盖衬底及浅沟槽隔离结构的介质层；在衬底的有源区及介质层中形成接触孔，接触孔包括：贯穿介质层的第一接触孔，以及位于第一接触孔底部且形成于衬底内的第二接触孔；在接触孔内以及介质层上形成沿第一方向延伸的接触结构。上述接触结构及其制备方法、半导体结构，可以改善接触结构及半导体结构的电学性能，以提升半导体结构的良率。的良率。的良率。

【技术实现步骤摘要】
接触结构及其制备方法、半导体结构


[0001]本公开涉及半导体集成电路制造
，特别是涉及一种接触结构及其制备方法、半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体存储器，其由多个存储单元构成。其中，存储单元包括：存储电容器、以及与存储电容器电连接的晶体管。晶体管包括栅极、源区和漏区。晶体管的栅极用于与字线电连接。晶体管的源区用于构成位线接触区，以通过位线接触结构与位线电连接。晶体管的漏区用于构成存储节点接触区，以通过存储节点接触结构与存储电容器电连接。
[0003]然而，随着DRAM的尺寸越来越小，用于形成位线接触结构的位线接触孔(Bit line contact，简称BLC)的尺寸也相应缩减。当位线接触孔过小时，位线接触孔中的位线接触结构会存在空洞，从而影响位线接触结构的阻值、电性以及DRAM器件的写恢复时间测试(Write Recovery Time，简称TWR)等，造成DRAM器件不良。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接触结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述衬底内隔离出有源区；形成覆盖所述衬底及所述浅沟槽隔离结构的介质层；在所述衬底的有源区及所述介质层中形成接触孔；所述接触孔包括：贯穿所述介质层的第一接触孔，以及位于所述第一接触孔底部且形成于所述衬底内的第二接触孔。2.根据权利要求1所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述第二接触孔的靠近所述第一接触孔的部分的孔径沿靠近所述第一接触孔的方向逐渐增大，且所述第二接触孔的最大孔径等于或小于所述第一接触孔的孔径。3.根据权利要求1所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的有源区及所述介质层中形成接触孔，包括：在所述衬底的有源区及所述介质层中形成接触底孔；去除所述接触底孔的部分侧壁，以在所述介质层内形成第一接触孔，在所述衬底内形成所述第二接触孔。4.根据权利要求3所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述接触底孔的侧壁由所述浅沟槽隔离结构构成；所述去除所述接触底孔的部分侧壁，以在所述介质层中形成第一接触孔，在所述衬底的有源区内形成所述第二接触孔，包括：基于所述接触底孔，回蚀去除部分所述介质层，以形成所述第一接触孔以及位于所述第一接触孔底部的导引孔；基于所述第一接触孔及所述导引孔，去除部分所述浅沟槽隔离结构，以形成所述第二接触孔。5.根据权利要求4所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述回蚀去除部分所述介质层，包括：对形成所述接触底孔后所得的结构进行清洗，以回蚀去除部分所述介质层。6.根据权利要求4所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一接触孔及所述导引孔，去除部分所述浅沟槽隔离结构，以形成所述第二接触孔，包括：在所述导引孔内形成硬掩膜，以使所述浅沟槽隔离结构待去除的部分暴露于所述硬掩膜的上方；基于所述第一接触孔和所述硬掩膜，去除部分所述浅沟槽隔离结构；去除所述硬掩膜，以形成所述第二接触孔。7.根据权利要求6所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述在所述导引孔内形成硬掩膜，包括：在所述导引孔内填充硬掩膜材料；去除预设厚度的所述硬掩膜材料，以使保留于所述导引孔内的所述硬掩膜材料形成所述硬掩膜。8.根据权利要求6所述的接触结构的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述浅沟槽隔离结构，包括：对形成所述硬掩膜后所得的结构进行刻蚀，以去除部分所述浅沟槽隔离结构。
9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海艳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：