温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种接触结构及其制备方法、半导体结构。所述接触结构的制备方法包括：提供衬底，衬底具有浅沟槽隔离结构；形成覆盖衬底及浅沟槽隔离结构的介质层；在衬底的有源区及介质层中形成接触孔，接触孔包括：贯穿介质层的第一接触孔，以及位于第一接触孔底...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。