固态摄像装置及其制造方法制造方法及图纸

[问题]提供一种能够在像素分离槽中适当地形成像素分离部的固态摄像装置以及该固态摄像装置的制造方法。[方案]该固态摄像装置包括：第一基板；多个光电转换部，其设置在所述第一基板中；和像素分离部，其设置在所述第一基板中的所述光电转换部之间，所述像素分离部设置在作为{100}面的所述第一基板的侧表面上。置在作为{100}面的所述第一基板的侧表面上。置在作为{100}面的所述第一基板的侧表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像装置及其制造方法


[0001]本公开涉及固态摄像装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]当固态摄像装置的像素尺寸减小时，应该进入某个像素的光电转换部的光进入另一个像素的光电转换部，并且像素之间会发生串扰。因此，在基板中可以设置针对各光电转换部的环形地围绕光电转换部的像素分离槽。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请公开No.2013
‑
175494
[0006]专利文献2：日本专利申请公开No.2018
‑
148116

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的技术问题
[0008]在像素分离槽中，通常按顺序嵌入诸如氧化膜等绝缘膜和诸如金属膜等遮光膜作为像素分离部。在这种情况下，当减小固态摄像装置的像素尺寸时，绝缘膜的尺寸与光电转换部的尺寸的比率增大，并且存在光电转换部的尺寸太小和像素分离槽的尺寸太大的问题。例如，如果光电转换部的尺寸太小，则光电转换部的诸如暗电流等特性的性能劣化。
[0009]因此，本公开提供了一种能够在像素分离槽中适当地形成像素分离部的固态摄像装置以及该固态摄像装置的制造方法。
[0010]技术问题的解决方案
[0011]根据本公开的第一方面的固态摄像装置包括：第一基板，其包括第一半导体基板；多个光电转换部，其设置在所述第一半导体基板中；和像素分离部，其设置在所述第一半导体基板中的所述多个光电转换部之间，其中，所述像素分离部的侧表面与所述第一半导体基板之间的界面具有{100}面。因此，例如，可以减小像素分离部的尺寸等，并且可以在像素分离槽中适当地形成像素分离部。
[0012]此外，在第一方面中，所述像素分离部可以包括绝缘膜。因此，例如，可以为像素分离部形成薄绝缘膜，因此可以减小像素分离部的尺寸。
[0013]此外，在第一方面中，所述像素分离部还可以包括遮光膜。因此，例如，通过为像素分离部形成薄绝缘膜，可以为像素分离部形成厚遮光膜。
[0014]此外，在第一方面中，所述绝缘膜可以含有氧和包含在所述第一半导体基板中的元素。因此，例如，可以通过使第一半导体基板的侧表面氧化来形成绝缘膜。
[0015]此外，在第一方面中，所述绝缘膜可以包括在平面图中具有第一膜厚度的第一部分和设置在所述像素分离部的角部处并且具有比所述第一膜厚度更厚的第二膜厚度的第二部分。因此，例如，通过将绝缘膜的厚部限制到像素分离部的角部，可以减小绝缘膜的总膜厚度。
[0016]此外，在第一方面中，所述像素分离部可以包括在平面图中沿平行于所述第一半导体基板的表面的第一方向延伸的多个第一部分以及沿平行于所述第一半导体基板的表面的第二方向延伸的多个第二部分。因此，例如，可以实现具有网状平面形状的像素分离部。
[0017]此外，在第一方面中，所述平面图可以对应于观察所述第一半导体基板的光入射面的状态。因此，例如，在沿所述第一半导体基板的厚度方向观察所述第一半导体基板时，通过将所述绝缘膜的所述厚部限制到所述像素分离部的角部可以减小所述绝缘膜的总膜厚度。
[0018]此外，在第一方面中，所述第一方向或所述第二方向可以平行于所述第一半导体基板的<100>方向。因此，例如，通过使第一半导体基板的侧表面平行于第一方向或第二方向，第一半导体基板的侧表面可以是{100}面。
[0019]此外，在第一方面中，所述像素分离部可以设置在贯穿所述第一半导体基板的像素分离槽中。因此，例如，可以在贯穿第一半导体基板的像素分离槽中适当地形成像素分离部。
[0020]此外，在第一方面中，所述像素分离部可以设置在不贯穿所述第一半导体基板的像素分离槽中。因此，例如，在不贯穿第一半导体基板的像素分离槽中可以适当地形成像素分离部。
[0021]此外，第一方面的所述固态摄像装置还可以包括：第一绝缘层，其设置在所述第一基板的与光入射面相对的一侧；和第二基板，其包括设置为面对所述第一绝缘层的第二半导体基板；其中，所述第二基板包括晶体管。因此，例如，在使用适于像素分离部的第一半导体基板的同时，可以使用适于晶体管的第二半导体基板。
[0022]此外，在第一方面中，所述像素分离部可以包括在平面图中沿平行于所述第一半导体基板的表面的第一方向延伸的多个第一部分以及沿平行于所述第一半导体基板的表面的第二方向延伸的多个第二部分。因此，例如，可以实现具有网状平面形状的像素分离部。
[0023]此外，在第一方面中，所述第一方向或所述第二方向可以平行于所述第二半导体基板的<110>方向，并且所述晶体管可以是具有平行于所述<110>方向的沟道方向的n型平面晶体管。因此，例如，可以使用适于n型平面晶体管的第二半导体基板。
[0024]此外，在第一方面中，所述第一方向或所述第二方向可以平行于所述第二半导体基板的<100>方向，并且所述晶体管可以是鳍型晶体管，所述鳍型晶体管具有作为所述第二半导体基板的{100}面的鳍侧壁并且具有平行于所述第一方向或所述第二方向的沟道方向。因此，例如，在第一方向或第二方向平行于<100>方向的第二基板中可以适当地形成鳍型晶体管。
[0025]此外，在第一方面中，所述第一方向或所述第二方向可以平行于所述第二半导体基板的<100>方向，并且所述晶体管可以是具有平行于<100>方向的沟道方向的p型平面晶体管。因此，例如，可以使用适于p型平面晶体管的第二半导体基板。
[0026]此外，在第一方面中，所述第一方向或所述第二方向可以平行于所述第二半导体基板的<110>方向，并且所述晶体管可以是鳍型晶体管，所述鳍型晶体管具有作为所述第二半导体基板的{100}面的鳍侧壁并且具有不平行于所述第一方向或所述第二方向的沟道方
向。因此，例如，在所述第一方向或所述第二方向平行于所述<110>方向的所述第二半导体基板中可以适当地形成鳍型晶体管。
[0027]根据本公开的第二方面的固态摄像装置包括：第一基板，其包括第一半导体基板；多个光电转换部，其设置在所述第一半导体基板中；和像素分离部，其设置在所述第一半导体基板中的所述多个光电转换部之间；其中，所述像素分离部包括绝缘膜，并且所述绝缘膜包括在平面图中具有第一膜厚度的第一部分和设置在所述像素分离部的角部处并且具有比所述第一膜厚度更厚的第二膜厚度的第二部分。因此，例如，可以减小像素分离部的尺寸等，并且在像素分离槽中可以适当地形成像素分离部。例如，通过将用于像素分离部的绝缘膜的厚部限制到像素分离部的角部，可以减小像素分离部内部的绝缘膜的总膜厚度。
[0028]根据本公开的第三方面的固态摄像装置的制造方法包括：在第一基板的第一半导体基板中形成多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态摄像装置，包括：第一基板，其包括第一半导体基板；多个光电转换部，其设置在所述第一半导体基板中；和像素分离部，其设置在所述第一半导体基板中的所述多个光电转换部之间，其中，所述像素分离部的侧表面与所述第一半导体基板之间的界面具有{100}面。2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述像素分离部包括绝缘膜。3.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，所述像素分离部还包括遮光膜。4.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，所述绝缘膜含有氧和包含在所述第一半导体基板中的元素。5.根据权利要求2所述的固态摄像装置，其中，所述绝缘膜包括在平面图中具有第一膜厚度的第一部分和设置在所述像素分离部的角部处并且具有比所述第一膜厚度更厚的第二膜厚度的第二部分。6.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述像素分离部包括在平面图中沿平行于所述第一半导体基板的表面的第一方向延伸的多个第一部分以及沿平行于所述第一半导体基板的表面的第二方向延伸的多个第二部分。7.根据权利要求5所述的固态摄像装置，其中，所述平面图对应于观察所述第一半导体基板的光入射面的状态。8.根据权利要求6所述的固态摄像装置，其中，所述第一方向或所述第二方向平行于所述第一半导体基板的<100>方向。9.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述像素分离部设置在贯穿所述第一半导体基板的像素分离槽中。10.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述像素分离部设置在不贯穿所述第一半导体基板的像素分离槽中。11.根据权利要求1所述的固态摄像装置，还包括：第一绝缘层，其设置在所述第一基板的与光入射面相对的一侧；和第二基板，其包括设置为面对所述第一绝缘层的第二半导体基板；其中，所述第二基板包括晶体管。12.根据权利要求11所述的固态摄像装置，其中，所述像素分离部包括在平面图中沿平行于所述第一半导体基板的表面的第一方向延伸的多个第一部分以及沿平行于所述第一半导体基板的表面的第二方向延伸的多个第二部分。13.根据权利要求12所述的固态摄像装置，其中，所述第一方向或所述第二方向平行于所述第二半导体基板的<110&...

【专利技术属性】
技术研发人员：山元纯平，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：