【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及光检测装置、成像装置和测距装置。
技术介绍
1、近年来，使用spad(单光子雪崩二极管)所述的光检测器件在图像传感器、距离测量传感器等领域引起关注(例如，参见专利文献1)。
2、引用列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本未审查专利申请公开第2019-192903号
技术实现思路
1、顺便提及，在完全耗尽的spad中，通过耗尽从光电转换器到倍增器的传送路径的整个区域来实现电子的高收集效率，并且此外，由于耗尽区域中的电场的有效上升而实现高雪崩概率。因此，完全耗尽的spad使得可以实现高pde(光子检测效率)。然而，另一方面，如果耗尽区域大，存在像素之间的特性变化较大的问题，该特性在包括vbd(击穿电压)、pde、dt(死区时间)等方面。因此，期望提供能够抑制像素之间的偏差的光检测装置、成像装置和测距装置。
2、根据本公开的第一方面的光检测装置包括二维布置的多个像素。每个像素包括光电转换器、多个倍增器以及淬灭部，该多个倍增器彼此并联耦接并且与光电转换器串联耦接，并且该淬灭部在与光电转换器的耦接侧相反的一侧上耦接至多个倍增器。
3、根据本公开的第二方面的成像装置包括二维布置的多个像素。每个像素包括光电转换器、多个倍增器以及淬灭部，该多个倍增器彼此并联耦接并且与光电转换器串联耦接，并且该淬灭部在与光电转换器的耦接侧相反的一侧上耦接至多个倍增器。
4、根据本专利技术第三方面的测距装置包括光检测装置。光检测装置包
5、在根据本公开的第一方面的光检测装置、根据本公开的第二方面的成像装置以及根据本公开的第三方面的测距装置中，多个倍增器彼此并联耦接并且与每个像素中的光电转换器串联耦接。与对每个像素提供单个倍增器的情况相比，这减少了像素之间的特性变化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，每个所述像素还包括金属布线，所述金属布线将所述多个倍增器中的所述淬灭部侧的相应的部分彼此电耦接。
3.根据权利要求2所述的光检测装置，还包括：半导体基板以及与所述半导体基板接触形成的层间绝缘膜，其中，
4.根据权利要求3所述的光检测装置，还包括：信号处理基板，所述信号处理基板利用介于所述半导体基板与所述信号处理基板之间的所述层间绝缘膜键合至所述半导体基板，其中，
5.根据权利要求4所述的光检测装置，其中，所述层间绝缘膜和所述信号处理基板通过将设置在所述层间绝缘膜和所述信号处理基板的相应的接合表面上的铜焊盘彼此接合而彼此电耦接。
6.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，在每个所述像素中，所述多个倍增器在平面视图中被布置在与所述光电转换器相反的像素区域中更靠近中间的位置处。
7.根据权利要求6所述的光检测装置，其中，在每个所述像素中，所述多个倍增器被布置在所述像素区域中除了所述像素区域的中心之外的位置处。
8.根据权利要求3所述的
9.根据权利要求8所述的光检测装置，其中，所述分离部包括形成在所述半导体基板中的离子注入。
10.根据权利要求8所述的光检测装置，其中，所述分离部包括形成在所述半导体基板中的STI(浅沟槽隔离)。
11.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：半导体基板，在所述半导体基板中形成所述光电转换器和所述多个倍增器，其中，
12.根据权利要求11所述的光检测装置，其中，所述第三半导体区域中的所述第一导电型的杂质的浓度比所述第一半导体区域中的所述第一导电型的杂质的浓度高。
13.根据权利要求12所述的光检测装置，其中，
14.一种成像装置，包括：
15.一种测距装置，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，每个所述像素还包括金属布线，所述金属布线将所述多个倍增器中的所述淬灭部侧的相应的部分彼此电耦接。
3.根据权利要求2所述的光检测装置，还包括：半导体基板以及与所述半导体基板接触形成的层间绝缘膜，其中，
4.根据权利要求3所述的光检测装置，还包括：信号处理基板，所述信号处理基板利用介于所述半导体基板与所述信号处理基板之间的所述层间绝缘膜键合至所述半导体基板，其中，
5.根据权利要求4所述的光检测装置，其中，所述层间绝缘膜和所述信号处理基板通过将设置在所述层间绝缘膜和所述信号处理基板的相应的接合表面上的铜焊盘彼此接合而彼此电耦接。
6.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，在每个所述像素中，所述多个倍增器在平面视图中被布置在与所述光电转换器相反的像素区域中更靠近中间的位置处。
7.根据权利要求6所述的光检测装置，其中，在每个所述像素中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：岛田翔平，冈崎睦，吉田悟，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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