平坦度评估方法、缺陷点识别方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种平坦度评估方法、缺陷点识别方法及装置，该方法包括：获取晶圆各测量点的高度，并以曝光区域为单位计算高度平均值；针对晶圆的各曝光区域，基于所述曝光区域内各测量点的高度与所述曝光区域对应的高度平均值的差值，确定所述曝光区域内各测量点的第一平坦度；基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，以基于各测量点的所述第一平坦度和所述第二平坦度评估所述晶圆的平坦度；其中，平面坐标为测量点在平面内的坐标，高度对应的方向垂直于所述平面。实现了从多个维度评估晶圆表面的平整度，提高了评估准确度。提高了评估准确度。提高了评估准确度。

【技术实现步骤摘要】
平坦度评估方法、缺陷点识别方法及装置


[0001]本申请实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种平坦度评估方法、缺陷点识别方法及装置。

技术介绍

[0002]半导体器件，如存储器(Memory)，通过在晶圆上执行的各种制造步骤形成。在制造过程中，受到制造设备或操作的影响，晶圆表面会存在高低起伏的部分，导致晶圆表面的平坦度(或平整度)较低，无法满足制造要求。
[0003]随着半导体尺寸越来预小，平坦度对半导体性能的影响越来越高。为了及时发现晶圆表面平坦度异常的部分，需要对晶圆表面进行平坦度评估，以免不够平坦的晶圆进入后续制造步骤或者投入使用。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种平坦度评估方法、缺陷点识别方法及装置，实现了基于多个维度进行晶圆表面平坦度的表达，提高平坦度评估的准确度。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种平坦度评估方法，所述方法包括：
[0006]获取晶圆各测量点的高度，并以曝光区域为单位计算高度平均值；针对晶圆的各曝光区域，基于所述曝光区域内各测量点的高度与所述曝光区域对应的高度平均值的差值，确定所述曝光区域内各测量点的第一平坦度；基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，以基于各测量点的所述第一平坦度和所述第二平坦度评估所述晶圆的平坦度；其中，平面坐标为测量点在平面内的坐标，高度对应的方向垂直于所述平面。
[0007]在一些实施方式中，所述基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，包括：
[0008]以所述平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度进行平面拟合，得到平坦度平面；针对所述曝光区域内各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度平面上的取值的差值，确定所述测量点的第二平坦度。
[0009]在一些实施方式中，所述方法还包括：
[0010]以所述平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度进行曲面拟合，得到平坦度曲面；针对所述曝光区域内各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度曲面上的取值的差值，确定所述测量点的第三平坦度。
[0011]在一些实施方式中，所述方法还包括：
[0012]分别基于所述晶圆各测量点的所述第一平坦度、所述第二平坦度以及所述第三平坦度，绘制并存储平坦度热力图。
[0013]在一些实施方式中，所述基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，包括：
[0014]以所述平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度进行曲面拟合，得到平坦度曲面；针对晶圆的各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度曲面上的取值的差值，确定所述测量点的第二平坦度。
[0015]第二方面，本申请实施例提供一种缺陷点识别方法，包括：
[0016]获取多个晶圆各测量点的平坦度；
[0017]根据所述测量点的平坦度，从所述晶圆的测量点中确定异常点；
[0018]基于同一卡盘对应的多个晶圆的异常点，识别所述卡盘的缺陷点。
[0019]在一些实施例中，测量点的平坦度为基于本申请第一方面提供的方法得到的。测量点的平坦度可以包括第一平坦度和第二平坦度，还可以包括第三平坦度。
[0020]在一些实施方式中，测量点的平坦度包括第一平坦度、第二平坦度和第三平坦度；获取多个晶圆各测量点的平坦度，包括：
[0021]针对所述多个晶圆中各晶圆的各曝光区域，基于所述曝光区域内各测量点的高度与所述曝光区域对应的高度平均值的差值，确定所述曝光区域内各测量点的第一平坦度；
[0022]以平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度分别进行平面拟合和曲面拟合，得到平坦度平面和平坦度曲面，所述平面坐标为测量点在平面内的坐标，高度对应的方向垂直于所述平面；
[0023]针对所述曝光区域内各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度平面上的取值的差值，确定所述测量点的第二平坦度，以及根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度曲面上的取值的差值，确定所述测量点的第三平坦度。
[0024]相应的，根据所述测量点的平坦度，从所述晶圆的测量点中确定异常点，包括：
[0025]针对所述晶圆的各测量点，若所述测量点对应的第一平坦度、第二平坦度和第三平坦度中任一平坦度超出对应的平坦度范围，则确定所述测量点为异常点。
[0026]在一些实施方式中，所述多个晶圆为同一卡盘对应的连续多个晶圆；基于同一卡盘对应的多个晶圆的异常点，识别所述卡盘的缺陷点，包括：
[0027]基于所述异常点在对应晶圆中的位置，绘制所述晶圆对应的异常点分布图；基于同一卡盘对应的连续多个晶圆的异常点分布图，确定所述连续多个晶圆重叠的异常点；基于所述重叠的异常点，确定所述卡盘的缺陷点。
[0028]在一些实施方式中，所述方法还包括：
[0029]基于所述卡盘的缺陷点，生成所述卡盘对应的缺陷点分布图；和/或，
[0030]基于晶圆中的异常点的位置、卡盘缺陷点的位置以及卡盘缺陷点对应的晶圆，生成晶圆检测记录表。
[0031]第三方面，本申请实施例提供一种平坦度评估装置，包括：
[0032]高度获取模块，用于获取晶圆各测量点的高度，并以曝光区域为单位计算高度平均值；
[0033]第一指标确定模块，用于针对晶圆的各曝光区域，基于所述曝光区域内各测量点的高度与所述曝光区域对应的高度平均值的差值，确定所述曝光区域内各测量点的第一平坦度；
[0034]第二指标确定模块，用于基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝
光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，以基于各测量点的所述第一平坦度和所述第二平坦度评估所述晶圆的平坦度；其中，平面坐标为测量点在平面内的坐标，高度对应的方向垂直于所述平面。
[0035]第四方面，本申请实施例还提供一种缺陷点识别装置，包括：
[0036]平坦度获取模块，用于获取多个晶圆各测量点的平坦度；
[0037]异常点确定模块，用于根据所述测量点的平坦度，从所述晶圆的测量点中确定异常点；
[0038]缺陷点识别模块，用于基于同一卡盘制造的连续多个晶圆的异常点的位置，识别所述卡盘的缺陷点。
[0039]第五方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：存储器和至少一个处理器；
[0040]所述存储器存储计算机执行指令；
[0041]所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述电子设备实现第一方面或第二方面提供的方法。
[0042]第六方面，本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平坦度评估方法，其特征在于，包括：获取晶圆各测量点的高度，并以曝光区域为单位计算高度平均值；针对晶圆的各曝光区域，基于所述曝光区域内各测量点的高度与所述曝光区域对应的高度平均值的差值，确定所述曝光区域内各测量点的第一平坦度；基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，以基于各测量点的所述第一平坦度和所述第二平坦度评估所述晶圆的平坦度；其中，平面坐标为测量点在平面内的坐标，高度对应的方向垂直于所述平面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，包括：以所述平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度进行平面拟合，得到平坦度平面；针对所述曝光区域内各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度平面上的取值的差值，确定所述测量点的第二平坦度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：以所述平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度进行曲面拟合，得到平坦度曲面；针对所述曝光区域内各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度曲面上的取值的差值，确定所述测量点的第三平坦度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：分别基于所述晶圆各测量点的所述第一平坦度、所述第二平坦度以及所述第三平坦度，绘制并存储平坦度热力图。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述曝光区域内各测量点的第一平坦度以及所述曝光区域内各测量点的平面坐标，确定所述曝光区域内各测量点的第二平坦度，包括：以所述平面坐标中的横坐标和纵坐标为自变量，对所述第一平坦度进行曲面拟合，得到平坦度曲面；针对晶圆的各测量点，根据所述测量点的所述第一平坦度与所述测量点在所述平坦度曲面上的取值的差值，确定所述测量点的第二平坦度。6.一种缺陷点识别方法，其特征在于，包括：获取多个晶圆各测量点的平坦度；根据所述测量点的平坦度，从所述晶圆的测量点中确定异常点；基...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩超，夏霜，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：