一种LED芯片边缘亮度的修正方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片边缘亮度的修正方法，首先，通过步骤S1确定LED芯片边缘亮度待修正的第一圈晶粒、第二圈晶粒、...至第T圈晶粒；其次，通过步骤S2获取第一圈晶粒、第二圈晶粒、...至第T圈晶粒的测试亮度LOP1、LOP2、LOPT、LOP1S、LOP2S和LOPTS；然后，通过步骤S3获取修正系数K1、K2直至KT；最后，通过步骤S4修正边缘亮度。本发明专利技术对LED芯片边缘亮度修正后，使得边缘晶粒的亮度相比于靠近LED芯片中心的多圈晶粒的亮度呈渐变趋势，自然过渡，色阶变化平缓，更加符合真实情况。本发明专利技术解决了现有边缘晶粒亮度测试偏低的问题，有效提高了测试的准确性，提高了产品品质。提高了产品品质。提高了产品品质。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片边缘亮度的修正方法


[0001]本专利技术涉及LED亮度修正
，具体涉及一种LED芯片边缘亮度的修正方法。

技术介绍

[0002]LED芯片(简称WAFER)在经过芯片前制程和后制程加工后需要使用测试机测试出每颗晶粒的光电数据才能出货给客户，或是进行下一步的细分类流程。所以，测试光电数据的准确性是衡量各芯片厂产品品质的关键指标。
[0003]LED芯片在经过芯片制程加工后会被分割成一颗颗的晶粒并排列成一个类圆形，每颗晶粒在测试时散射出的光会被测试机接收进而转化成亮度数值。由于晶粒发光方向是朝四周散射形成多束光束，其中，大部分光束会直接被测试机接收，而少部分光束会通过当前测试晶粒周围的晶粒反射形成反射光束，然后被测试机接收。因此，当前晶粒的测试亮度值是由当前晶粒自身发出的光束以及其周围晶粒反射的光束组成。
[0004]一片LED芯片会包含多颗晶粒，而LED芯片上下左右最外围一圈呈环状的晶粒由于处在最边缘，其周围缺少一部分晶粒对光束进行反射。这使得测试机接收到的最外围一圈晶粒的光束相比处于内圈的晶粒会偏少，导致测试机测试到的最外围一圈晶粒的亮度低于其实际水平，影响了测试结果的准确性。
[0005]同理，位于LED芯片边缘的晶粒还有靠近最外围一圈(若记为外围第一圈)的外围第二圈、外围第三圈等晶粒，同样存在测试亮度低于其实际水平的情况。若LED芯片中晶粒尺寸过小，则LED芯片边缘晶粒亮度被影响的圈数会增多。
[0006]综上所述，如何提供一种LED芯片边缘亮度的修正方法来解决现有边缘亮度测试降低的问题，具有十分重要的意义。

技术实现思路

[0007]本专利技术目的在于提供一种LED芯片边缘亮度的修正方法，具体技术方案如下：
[0008]一种LED芯片边缘亮度的修正方法，在LED芯片中包括由中心向边缘依次设置的多圈晶粒，所述LED芯片边缘亮度的修正方法包括以下步骤：
[0009]步骤S1、在LED芯片边缘至少包括两圈亮度待修正的晶粒，且在沿LED芯片边缘到其中心的方向上依次记为第一圈晶粒、第二圈晶粒、...至第T圈晶粒；而在LED芯片上远离边缘，且被第T圈晶粒包围的多圈晶粒为亮度正常的晶粒；
[0010]步骤S2、选取所述第一圈晶粒中的N颗晶粒分别测试对应的亮度值LOP1，选取所述第二圈晶粒中的N颗晶粒分别测试对应的亮度值LOP2，直至选取所述第T圈晶粒中的N颗晶粒分别测试对应的亮度值LOPT；
[0011]步骤S3、获取修正系数K1、K2直至KT；
[0012]首先，选择亮度正常的某圈晶粒作为基准圈晶粒，将所述第一圈晶粒中选取的N颗晶粒转移至基准圈对应的晶粒位置上测试亮度值LOP1S，将所述第二圈晶粒中选取的N颗晶粒转移至基准圈对应的晶粒位置上测试亮度值LOP2S，直至将所述第T圈晶粒中选取的N颗
晶粒转移至基准圈对应的晶粒位置上测试亮度值LOPTS；
[0013]其次，所述K1为所述第一圈晶粒中选取的N颗晶粒LOP1S/LOP1比值的算术平均值；所述K2为所述第二圈晶粒中选取的N颗晶粒LOP2S/LOP2比值的算术平均值；所述KT为所述第T圈晶粒中选取的N颗晶粒LOPTS/LOPT比值的算术平均值；
[0014]步骤S4、修正边缘亮度，通过扫描获得所述LED芯片的二维坐标系，同时，获得每颗晶粒的坐标值和亮度值；采用修正软件将符合第一圈晶粒的坐标值标识至第一圈晶粒中，将符合第二圈晶粒的坐标值标识至第二圈晶粒中，直至将符合第T圈晶粒的坐标值标识至第T圈晶粒中；采用所述修正软件将第一圈晶粒中所有晶粒的亮度值LOP1乘以所述K1，将第二圈晶粒中所有晶粒的亮度值LOP2乘以所述K2，直至将第T圈晶粒中所有晶粒的亮度值LOPT乘以所述KT，分别获得对应的修正亮度。
[0015]可选的，在步骤S4中，所述第一圈晶粒的坐标值为(Xmax，Y)或(Xmin，Y)或(X，Ymax)或(X，Ymin)；其中，Xmax表示晶粒所在X轴坐标值为最大值；Xmin表示晶粒所在X轴坐标值为最小值；Ymax表示晶粒所在Y轴坐标值为最大值；Ymin表示晶粒所在Y轴坐标值为最小值。
[0016]可选的，在步骤S4中，在LED芯片上相邻两圈晶粒间的间距为1个坐标单位，所述第二圈晶粒的坐标值为(Xmax
‑
1，Y)或(Xmin+1，Y)或(X，Ymax
‑
1)或(X，Ymin+1)。
[0017]可选的，在步骤S4中，所述第T圈晶粒的坐标值为(Xmax
‑
T+1，Y)或(Xmin+T
‑
1，Y)或(X，Ymax
‑
T+1)或(X，Ymin+T
‑
1)。
[0018]可选的，在步骤S4中建立二维坐标系之前，先确定所述LED芯片的标记点，并以标记点为二维坐标系的坐标原点(0，0)。
[0019]可选的，在步骤S4中采用的修正软件为MES系统。
[0020]可选的，在步骤S2和步骤S3中，采用测试机测试晶粒的亮度。
[0021]可选的，在步骤S1中，所述T值为大于等于2的正整数。
[0022]可选的，在步骤S2和步骤S3中，所述N值为大于等于1的正整数。
[0023]可选的，在步骤S3中，所述N值为大于1的正整数，在所述第一圈晶粒中、在所述第二圈晶粒中、直至在所述第T圈晶粒中选取的N颗晶粒均为均布选取，所选取的N颗晶粒用于作为计算修正系数的样本。
[0024]应用本专利技术的技术方案，至少具有以下有益效果：
[0025]在本专利技术中所述LED芯片边缘亮度的修正方法，首先，通过步骤S1确定LED芯片边缘亮度待修正的第一圈晶粒、第二圈晶粒、...至第T圈晶粒；其次，通过步骤S2获取第一圈晶粒、第二圈晶粒、...至第T圈晶粒的测试亮度LOP1、LOP2、LOPT、LOP1S、LOP2S和LOPTS；然后，通过步骤S3获取修正系数K1、K2直至KT；最后，通过步骤S4修正边缘亮度，具体的，对LED芯片边缘亮度修正后，使得边缘晶粒的亮度相比于靠近LED芯片中心的多圈晶粒的亮度呈渐变趋势，自然过渡，色阶变化平缓，更加符合真实情况。因此，本专利技术能够使边缘晶粒的修正亮度达到真实水平，解决了现有边缘晶粒亮度测试偏低的问题，有效提高了测试的准确性，提高了产品品质。
[0026]除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。
附图说明
[0027]构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0028]图1是本专利技术实施例1中在LED芯片边缘三圈亮度待修正的晶粒示意图；
[0029]图2是本专利技术实施例1中的一种LED芯片边缘亮度的修正前的示意图；
[0030]图3是本专利技术实施例1中的一种LED芯片边缘亮度的修正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片边缘亮度的修正方法，在LED芯片中包括由中心向边缘依次设置的多圈晶粒，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在LED芯片边缘至少包括两圈亮度待修正的晶粒，且在沿LED芯片边缘到其中心的方向上依次记为第一圈晶粒、第二圈晶粒、...至第T圈晶粒；而在LED芯片上远离边缘，且被第T圈晶粒包围的多圈晶粒为亮度正常的晶粒；步骤S2、选取所述第一圈晶粒中的N颗晶粒分别测试对应的亮度值LOP1，选取所述第二圈晶粒中的N颗晶粒分别测试对应的亮度值LOP2，直至选取所述第T圈晶粒中的N颗晶粒分别测试对应的亮度值LOPT；步骤S3、获取修正系数K1、K2直至KT；首先，选择亮度正常的某圈晶粒作为基准圈晶粒，将所述第一圈晶粒中选取的N颗晶粒转移至基准圈对应的晶粒位置上测试亮度值LOP1S，将所述第二圈晶粒中选取的N颗晶粒转移至基准圈对应的晶粒位置上测试亮度值LOP2S，直至将所述第T圈晶粒中选取的N颗晶粒转移至基准圈对应的晶粒位置上测试亮度值LOPTS；其次，所述K1为所述第一圈晶粒中选取的N颗晶粒LOP1S/LOP1比值的算术平均值；所述K2为所述第二圈晶粒中选取的N颗晶粒LOP2S/LOP2比值的算术平均值；所述KT为所述第T圈晶粒中选取的N颗晶粒LOPTS/LOPT比值的算术平均值；步骤S4、修正边缘亮度，通过扫描获得所述LED芯片的二维坐标系，同时，获得每颗晶粒的坐标值和亮度值；将符合第一圈晶粒的坐标值标识至第一圈晶粒中，将符合第二圈晶粒的坐标值标识至第二圈晶粒中，直至将符合第T圈晶粒的坐标值标识至第T圈晶粒中；将第一圈晶粒中所有晶粒的亮度值LOP1乘以所述K1，将第二圈晶粒中所有晶粒的亮度值LOP2乘以所述K2，直至将第T圈晶粒中所有晶粒的亮度值LOPT乘以所述KT，分别获得对应的修正亮度。2.根据权利要求1所述的LED芯片边缘亮度的修正方法，其特征在于，在步骤S4中，所述第一圈晶粒的坐标值为(Xmax，Y)或(Xmin，Y)或(X，Ymax)或(X，Ymin)；其中，Xmax表示晶粒所在X轴坐标值为最大值；Xmin表示晶粒所在X轴坐标值为最小值；Ymax表示晶粒所在Y轴坐标值为最大值；Ymin表示晶粒所在Y轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭超，黄胜蓝，谈健，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：