一种发光二极管单晶生长制备方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管单晶生长制备方法，依次包含：在衬底上单晶生长AlN层、AlGaN过渡层、非掺杂GaN层、n型GaN层、单晶生长量子阱调和层、第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层、第四量子阱层、第一P型GaN层、AlGaN电子阻挡层、第二P型GaN层以及第三P型GaN层，形成内部具有原位空洞且发出四种不同峰值波长蓝光的发光二极管，通过原位空洞在材料内部产生自由空间表面，阻挡位错向上延伸，实现单晶生长材料晶体质量的提升，从而提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制作的，更具体地，涉及一种发光二极管单晶生长制备方法。

技术介绍

1、发光二极管（light-emitting diode，简称led）作为一种将电能转化为光能的半导体电子器件，led以其工作电压低、工作电流很小、抗冲击和抗震性能好、可靠性高、寿命长、绿色环保等特点广泛应用于照明、手机/电视背光显示以及杀菌消毒等领域。

2、在现有技术中，传统的发光二极管芯片采用的是“单一量子阱发光层产生单一波峰”的做法，但是这样利用单峰蓝光 led 芯片激发荧光粉发出白光， 白光光谱中蓝光波峰尖锐，青光部分缺失，仍存在以下的主要缺点：

3、①白光光谱当中蓝光峰的相对光强太强，造成蓝光危害，不利于用眼健康；

4、②白光光谱中缺少青光部分，跟太阳光谱差异大；

5、③显指在 70-80 之间，很难做到 95 以上。

6、同时，为加快杀菌消毒、手机/电视背光显示等高端应用，led器件还需进一步地提升发光效率。

7、所以，需要提供新的一种发光二极管单晶生长制备方法，来解决现有技术中存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管单晶生长制备方法，其特征包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓以及氮化铝适合外延生长的衬底。

3.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述步骤二的单晶生长AlN层，进一步为：

4.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述步骤二的原位空洞的直径为50-600nm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述步骤三的n型GaN层中Si掺杂浓度范围为 1.0E+19 -3.0E+...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管单晶生长制备方法，其特征包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓以及氮化铝适合外延生长的衬底。

3.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述步骤二的单晶生长aln层，进一步为：

4.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述步骤二的原位空洞的直径为50-600nm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管单晶生长制备方法，其特征在于，所述步骤三的n型gan层中si掺杂浓度范围为 1.0e+19 -3.0e+19 atoms/cm3。

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，王建长，季辉，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：