【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种窄线宽聚合物分散液晶可调谐vcsel及其制备方法。
技术介绍
1、垂直腔面发射激光器在原子钟、气体监测、通信、雷达、激光加工等领域都发挥着重要作用。
2、垂直腔面发射激光器具有有效腔长短的特点，使激光器具有良好的单纵模特性。目前成熟的垂直腔面发射激光器主要通过氧化限制结构实现电场和光场的双重限制，一般氧化孔径小于4μm时输出激光为单模光束，然而会限制输出功率，且发光方向不可调、波长调谐范围小。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述问题，提供一种窄线宽聚合物分散液晶可调谐vcsel及其制备方法，通过引入一个楔形间隔层和在表面类光栅的液晶薄膜，使激光器光束偏转方向可调的同时实现光束质量的优化，压窄线宽，得益于液晶的双折射率，激光器波长连续可调谐，同时中间薄的液晶薄膜可以减小对基模的影响，提升基模功率。
2、第一方面，本专利技术提供的窄线宽聚合物分散液晶可调谐vcsel包括vcsel外延结构和生长在vcsel外延结构的表面的液晶外...
【技术保护点】
1.一种窄线宽聚合物分散液晶可调谐VCSEL，其特征在于，包括VCSEL外延结构和生长在所述VCSEL外延结构的表面的液晶外腔层；其中，所述液晶外腔层包括：
2.根据权利要求1所述的窄线宽聚合物分散液晶可调谐VCSEL，其特征在于，所述液晶表面光栅用于扩大激光的调谐范围，包括紧贴于所述楔形间隔层的表面的光栅间隔层，以及填充在所述光栅间隔层的凹槽中的聚合物分散液晶，所述光栅间隔层的凹槽呈周期分布；所述P掺杂介质膜紧贴于所述光栅间隔层的液晶凹槽上。
3.根据权利要求2所述的窄线宽聚合物分散液晶可调谐VCSEL，其特征在于，所述VCSEL外延结构包括...
【技术特征摘要】
1.一种窄线宽聚合物分散液晶可调谐vcsel，其特征在于，包括vcsel外延结构和生长在所述vcsel外延结构的表面的液晶外腔层；其中，所述液晶外腔层包括：
2.根据权利要求1所述的窄线宽聚合物分散液晶可调谐vcsel，其特征在于，所述液晶表面光栅用于扩大激光的调谐范围，包括紧贴于所述楔形间隔层的表面的光栅间隔层，以及填充在所述光栅间隔层的凹槽中的聚合物分散液晶，所述光栅间隔层的凹槽呈周期分布；所述p掺杂介质膜紧贴于所述光栅间隔层的液晶凹槽上。
3.根据权利要求2所述的窄线宽聚合物分散液晶可调谐vcsel，其特征在于，所述vcsel外延结构包括上下依次设置的p型电极层、p型dbr层、氧化限制层、有源层、n型dbr层、衬底层、n...
【专利技术属性】
技术研发人员：张星，
申请(专利权)人：长春中科长光时空光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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