【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微电子封装,特别是涉及一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件。
技术介绍
1、功率器件目前广泛应用在通讯、军事、交通等多个领域,随着新一代宽禁带半导体材料(如碳化硅、氮化镓)的应用,功率器件的热管理问题成为了制约其发展的主要因素。一般高电子迁移率晶体管基片的发热特性为热点形式发热,且热点尺寸在数微米到数百微米之间,其总热功率较小,热流密度极高,通常需要在衬底上将热量扩散开以进行散热。
2、蒸汽腔利用气体的横向扩散能力,可以实现极高的等效热导率,具有优异的平面热扩散能力,因此广泛的应用于电子器件的散热领域。然而电子器件的蒸汽腔散热均是集成在功率器件的外部,且制备材料多为金属或硅基,导致较小的热点难以在外置式的蒸汽腔上实现有效的热扩散。
技术实现思路
1、针对上述问题,本申请的目的之一在于提供一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,以解决当今电子器件用的微型蒸汽腔难以有效散热的问题。本申请目的之二在于提供一种基于内置式散热的功率器件,以有效地将功率器件产生的热量
...【技术保护点】
1.一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述选择功率器件,在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层,包括:
3.根据权利要求1所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型,包括:
4.根据权利要求1所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型,包括:
5.根据权利要求3或4所述的一种基于内置式
...【技术特征摘要】
1.一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述选择功率器件,在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层,包括:
3.根据权利要求1所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型,包括:
4.根据权利要求1所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型,包括:
5.根据权利要求3或4所述的一种基于内置式散热的功率器件的制备方法,其特征在于,所述预设参数包括蒸汽腔数量、蒸汽腔形状、蒸汽腔尺寸、蒸汽腔位置和蒸汽腔布设方式中的至少一种;其中,
6.根据权利要求2所述的一种基于内置式散热的功率器件的制...
【专利技术属性】
技术研发人员:王玮,杜建宇,张驰,武宏旭,石上阳,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:
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