沟槽氧化物的形成方法以及沟槽结构技术

本发明专利技术提供一种沟槽氧化物的形成方法以及沟槽结构。所述方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有沟槽，所述沟槽的底面和侧壁具有不同取向晶面；采用原子层沉积工艺在沟槽底面和侧壁形成介质层。在上述技术方案中，采用原子层沉积工艺在沟槽底面和侧壁形成介质层，利用外源性物质成膜，与晶体内部的原子密度无关，因此厚度可控且均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路工艺，尤其涉及一种沟槽氧化物的形成方法以及沟槽结构。

技术介绍

1、垂直结构的平面型碳化硅(sic)功率金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，简称mos)由于存在结型场效应晶体管(junction field-effecttransistor，简称jfet)区，使得器件的输出直流电阻较大，限制了器件的功率阈值。此外，平面型sic功率mos有着因沟道离子注入导致的沟道迁移率退化问题，为了进一步提高器件的电学性能，沟槽结构的结势垒肖特基二极管(junction barrier schottky，简称jbs)和金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，简称mosfet)相继被提出。相比于传统的平面mosfet，沟槽结构的mosfet没有jfet区，进而可以避免寄生jfet效应(如jfet区产生的额外电阻)，提高晶圆密度，同时还具有更高的阻断电压，更好的开关特性和更低的导通损耗。然而sic沟槽内生长氧化物时，在侧壁和底面上的氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底表面为六方晶体材料。

3.根据权利要求2所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述六方晶体材料为SiC晶体；所述介质层的材料为氧化硅。

4.根据权利要求2所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述沟槽底面的晶面是(0001)面，所述沟槽侧壁的晶面是(11-20)或(1-100)面。

5.根据权利要求1所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

6.根据权利要求5所述的沟槽氧化物的形成方法...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底表面为六方晶体材料。

3.根据权利要求2所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述六方晶体材料为sic晶体；所述介质层的材料为氧化硅。

4.根据权利要求2所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述沟槽底面的晶面是(0001)面，所述沟槽侧壁的晶面是(11-20)或(1-100)面。

5.根据权利要求1所述的沟槽氧化物的形成方法，其特征在于，所述方法进一步包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴剑波，周玉华，冷国庆，李杰，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：