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本发明提供一种沟槽氧化物的形成方法以及沟槽结构。所述方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有沟槽，所述沟槽的底面和侧壁具有不同取向晶面；采用原子层沉积工艺在沟槽底面和侧壁形成介质层。在上述技术方案中，采用原子层沉积工艺在沟槽底面和...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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