一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以增大硅基底内产生的电子和空穴向相应导电类型的掺杂硅层传输的速率的同时，抑制漏电，利于提升太阳能电池的光电转换效率。太阳能电池包括硅基底、第一掺杂硅层、第二掺杂硅层和第三掺杂硅层。硅基底第一面一侧形成有第一掺杂硅层。第二掺杂硅层形成在硅基底的侧面的局部区域、且与第一掺杂硅层一体连续。硅基底的侧面中未对应第二掺杂硅层的至少部分区域表面上形成有第一塔基状纹理结构。至少部分第一塔基状纹理结构的边长大于等于10μm。第三掺杂硅层形成在硅基底的第二面一侧。第三掺杂硅层和第一掺杂硅层的导电类型相反。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件。

技术介绍

1、目前太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。其中，光伏太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的，太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

2、但是，在现有的太阳能电池处于工作状态下，硅基底内产生的电子和空穴向相应导电类型的掺杂硅层的传输速率较低，不利于提高载流子收集效率，进而不利于提升太阳能电池的光电转换效率。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，用于增大硅基底内产生的电子和空穴向相应导电类型的掺杂硅层传输的速率，提高载流子收集效率的同时，抑制漏电，进而利于提升太阳能电池的光电转换效率。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：硅基底、第一掺杂硅层、第二掺杂硅层和第三掺杂硅层。上述硅基底具有相对的第一面、第二面以及连接第一面和第二面的侧面。硅基底的第一面一侧形成有第一掺杂硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括表面钝化层；所述表面钝化层位于所述第一掺杂硅层背离所述硅基底的一侧、所述第二掺杂硅层背离所述硅基底的一侧、以及所述硅基底的侧面中未对应所述第二掺杂硅层的表面上；和/或，

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底的侧面中，对应所述第二掺杂硅层的区域和未对应所述第二掺杂硅层的区域之间的边界呈锯齿状或波浪形；和/或，

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在对应所述第二掺杂硅层的区域表面高于未对应所述第二掺杂硅层的区域表面的...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括表面钝化层；所述表面钝化层位于所述第一掺杂硅层背离所述硅基底的一侧、所述第二掺杂硅层背离所述硅基底的一侧、以及所述硅基底的侧面中未对应所述第二掺杂硅层的表面上；和/或，

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底的侧面中，对应所述第二掺杂硅层的区域和未对应所述第二掺杂硅层的区域之间的边界呈锯齿状或波浪形；和/或，

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在对应所述第二掺杂硅层的区域表面高于未对应所述第二掺杂硅层的区域表面的情况下，对应所述第二掺杂硅层的区域表面与未对应所述第二掺杂硅层的区域表面之间的高度差大于0、且小于等于1.5μm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第四掺杂硅层；所述第四掺杂硅层形成在所述侧面的局部区域、且与所述第三掺杂硅层一体连续；所述第四掺杂硅层和所述第三掺杂硅层的导电类型相同；

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四掺杂硅层沿所述硅基底厚度方向的延伸长度与所述硅基底的厚度之间的比值大于0、且小于等于10％；和/或，

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二面上形成有第二塔基状纹理结构；至少一个所述第一塔基状纹理结构背离所述硅基底的一侧的表面粗糙度大于所述第二塔基状纹理结构背离所述硅基底的一侧的表面粗糙度。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一面上形成有第三纹理结构，所述硅基底的侧面对应所述第二掺杂硅层的区域表面上形成有第四纹理结构，所述第四纹理结构的一维尺寸小于所述第三纹理结构的一维尺寸。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅基底的侧面中，未对应所述第二掺杂硅层的区域表面上形成有沿第一方向延伸、且沿第二方向排布的多个第一纹理结构组；每个所述第一纹理结构组包括沿第一方向排布的多个所述第一塔基状纹理结构；所述第一方向不同于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：范晓婧，朱惠君，平飞林，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：