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本发明公开一种发光二极管单晶生长制备方法，依次包含：在衬底上单晶生长AlN层、AlGaN过渡层、非掺杂GaN层、n型GaN层、单晶生长量子阱调和层、第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层、第四量子阱层、第一P型GaN层、AlGaN电子阻挡...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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