测量对准标识偏移量的方法技术

本发明专利技术提供一种测量对准标识偏移量的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成待测对准标识；于所述半导体衬底上形成量测基准标识，所述量测基准标识形成于所述待测对准标识的一侧，包括第一子标识及在所述第一子标识长度方向上间隔平行排列的第二子标识，且第一子标识的长度方向与所述待测对准标识的长度方向平行；根据所述待测对准标识的中心所在位置与所述量测基准标识的中心所在位置获取所述待测对准标识相对于所述量测基准标识的偏移量。通过本发明专利技术解决了以现有的方法无法准确得到待测对准标识的偏移量的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
测量对准标识偏移量的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种测量对准标识偏移量的方法。

技术介绍

[0002]光刻机的对准系统将掩膜版上的图形和晶圆上已有的图形进行对准，从而保证曝光后图形之间的套刻精度。Alignment Mark作为对准标识，主要用来做前层图形与当层图形的对准，因此，在实现晶圆和掩膜版之间的精确对准起着重要作用。而标识(Mark)除了在制程(process)过程中受到损伤(damage)外，也会在对准过程中因自身的质量以及衍射光源的影响而形成错误的信息，若错误的信息被接收，则会影响光刻过程中的套刻精度。
[0003]Delft shift是评估对准标识(Alignment Mark)接收到信息的关键参数之一，用来反映前层标识相对于当层标识的偏移程度。然而，目前没有一个准确且直观的方式判断出delft shift的偏移程度，而且，即使从机台中有反馈出偏移数值，该偏移数值也并不精确，从而也就无法准确的反映出前层标识的偏移程度。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种测量对准标识偏移量的方法，用于解决以现有的方法无法准确得到待测对准标识的偏移量的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种测量对准标识偏移量的方法，所述方法包括：
[0006]提供一半导体衬底；
[0007]于所述半导体衬底上形成待测对准标识；
[0008]于所述半导体衬底上形成量测基准标识，所述量测基准标识形成于所述待测对准标识的一侧，包括第一子标识及在所述第一子标识长度方向上间隔平行排列的第二子标识，且第一子标识的长度方向与所述待测对准标识的长度方向平行；
[0009]根据所述待测对准标识的中心所在位置与所述量测基准标识的中心所在位置获取所述待测对准标识相对于所述量测基准标识的偏移量。
[0010]可选地，所述第一子标识呈长方形结构。
[0011]可选地，所述第二子标识包括光栅图形，所述光栅图形的一端与所述第一子标识接触，且其长度方向与所述待测对准标识的宽度方向平行。
[0012]可选地，所述光栅图形包括至少一个条形结构，且在所述条形结构的数目大于一个时，各所述条形结构平行排布。
[0013]可选地，各所述第二子标识之间的间距相等。
[0014]可选地，根据所述第二子标识的宽度及所述待测对准标识的长度来确定各所述第二子标识之间的间距。
[0015]可选地，所述待测对准标识及所述量测基准标识形成于同一划片槽内。
[0016]可选地，通过光刻及刻蚀工艺形成所述待测对准标识及所述量测基准标识。
[0017]可选地，获取所述待测对准标识相对于所述量测基准标识的偏移量的方法包括：利用扫描电子显微镜进行测量。
[0018]可选地，在利用电子显微镜进行测量时以所述量测对准标识的中心为基准。
[0019]可选地，所述半导体衬底为硅衬底。
[0020]如上所述，本专利技术的测量对准标识偏移量的方法，通过于待测对准标识的一侧形成梳子状的量测基准标识来精确判断其偏移位置，从而实现对偏移量的直观定量分析。
附图说明
[0021]图1显示为本专利技术的测量对准标识偏移量的方法的流程图。
[0022]图2显示为本专利技术的待测对准标识及量测基准标识的设置方式示意图。
具体实施方式
[0023]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0024]请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0025]如图1所示，本实施例提供一种测量对准标识偏移量的方法，所述方法包括：
[0026]步骤1)提供一半导体衬底；
[0027]步骤2)于所述半导体衬底上形成待测对准标识10；
[0028]步骤3)于所述半导体衬底上形成量测基准标识20，所述量测基准标识20形成于所述待测对准标识10的一侧，包括第一子标识21及在所述第一子标识21长度方向上间隔平行排列的第二子标识22，且第一子标识21的长度方向与所述待测对准标识10的长度方向平行；
[0029]步骤4)根据所述待测对准标识10的中心所在位置与所述量测基准标识20的中心所在位置获取所述待测对准标识10相对于所述量测基准标识20的偏移量。
[0030]在步骤1)中，提供一半导体衬底。
[0031]具体的，所述半导体衬底为硅衬底。
[0032]在步骤2)中，于所述半导体衬底上形成待测对准标识10。
[0033]本实施例中，所述待测对准标识10为前层标识，包括多个光栅图形，各所述光栅图形在所述待测对准标识10的长度方向上间隔排布，且所述光栅图形包括多个平行排布的条形结构，且各条形结构之间具有间隔。而且，如图2所示，本实施例中所述待测对准标识10的中心为十字型标记所在处，其中，在图2中，X表示的方向为所述待测对准标识10的长度方向及所述第一子标识21的长度方向；Y表示的方向为所述待测对准标识10的宽度方向及所述第二子标识22的长度方向。
[0034]具体的，通过光刻及刻蚀工艺形成所述待测对准标识10及所述量测基准标识20。
[0035]本实施例中，所述光刻过程为半导体器件制造工艺过程中所必须的光刻。
[0036]在步骤3)中，于所述半导体衬底上形成量测基准标识20，所述量测基准标识20形成于所述待测对准标识10的一侧，包括第一子标识21及在所述第一子标识21长度方向上间隔平行排列的第二子标识22，且第一子标识21的长度方向与所述待测对准标识10的长度方向平行。
[0037]本实施例中，所述第一子标识21与所述第二子标识22呈梳子状设置，所述第一子标识21作为梳柄，所述第二子标识22作为梳齿。
[0038]具体的，所述待测对准标识10及所述量测基准标识20形成于同一划片槽内。
[0039]具体的，所述第一子标识21呈长方形结构。
[0040]本实施例中，所述第一子标识21的长度根据所述待测对准标识10的长度来确定。而且，所述第一子标识21的中心由其长度来确定。
[0041]具体的，所述第二子标识22包括光栅图形，所述光栅图形的一端与所述第一子标识21接触，且其长度方向与所述待测对准标识10的宽度方向平行。本实施例中，各所述光栅图形的宽度相等。
[0042]更具体的，所述光栅图形包括至少一个条形结构，且在所述条形结构的数目大于一个时，各所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量对准标识偏移量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成待测对准标识；于所述半导体衬底上形成量测基准标识，所述量测基准标识形成于所述待测对准标识的一侧，包括第一子标识及在所述第一子标识长度方向上间隔平行排列的第二子标识，且第一子标识的长度方向与所述待测对准标识的长度方向平行；根据所述待测对准标识的中心所在位置与所述量测基准标识的中心所在位置获取所述待测对准标识相对于所述量测基准标识的偏移量。2.根据权利要求1所述的测量对准标识偏移量的方法，其特征在于，所述第一子标识呈长方形结构。3.根据权利要求2所述的测量对准标识偏移量的方法，其特征在于，所述第二子标识包括光栅图形，所述光栅图形的一端与所述第一子标识接触，且其长度方向与所述待测对准标识的宽度方向平行。4.根据权利要求3所述的测量对准标识偏移量的方法，其特征在于，所述光栅图形包括至少一个条形结构，且在所述条形结构的数目大于一个时，各所述条形结构平行排布...

【专利技术属性】
技术研发人员：包永存，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：