【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种快速定位晶圆缺陷的方法及系统。
技术介绍
1、随着半导体工艺节点的不断缩小，特别是40nm及以下工艺节点逐渐成为主流产品，晶圆缺陷的快速准确的扫描与定位已成为半导体制程中的不可或缺的一个重要环节。晶圆缺陷的快速准确的定位，可以方便相关半导体设计与制造部门，快速并准确的验证版图设计与制造工艺的合理性，便于提早发现并解决潜在的设计与制造工艺中的问题，从而可以极大地提高半导体版图设计与制造的效率。
2、传统的晶圆缺陷的扫描与定位方法，是通过对整个设计版图范围内海选随机产生若干位置坐标点，再运用电镜测量设备对上述坐标点进行扫描与拍照，获得晶圆版图的局部实物图片，最后对这些图片进行相关轮廓分析，找到可能的弱点位置。但上述通过随机方法产生的晶圆版图坐标位置，带有相当多的盲目性，为了能找到尽可能多的晶圆缺陷，不得不通过海量的随机点坐标来进行选点和拍照，不但造成大量的无效位置，而且也不能保证晶圆缺陷的检出率获得满意的效果。
3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利...
【技术保护点】
1.一种快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，提供晶圆扫描版图，所述扫描版图包括缺陷版图区域和非缺陷版图区域还包括：
3.根据权利要求1所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，对所述缺陷版图区域进行切分包括：
4.根据权利要求3所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，对切分之后的缺陷版图区域进行编号与分组包括：
5.根据权利要求4所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，对切分之后的缺陷版图区域进行编号与分组还包括：
6.根据权利要求5所述...
【技术特征摘要】
1.一种快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，提供晶圆扫描版图，所述扫描版图包括缺陷版图区域和非缺陷版图区域还包括：
3.根据权利要求1所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，对所述缺陷版图区域进行切分包括：
4.根据权利要求3所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，对切分之后的缺陷版图区域进行编号与分组包括：
5.根据权利要求4所述的快速定位晶圆缺陷的方法，其特征在于，对切分之后的缺陷版图区域进行编号与分组还包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：王振滨，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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