改善中高压器件可靠性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善中高压器件可靠性的方法，将Spacer1工艺、IOR工艺和SAB工艺三张光罩版图优化，在不增加成本的前提下，能提高器件性能，改进在于利用第一隔离光罩保护高压区的栅极开槽,同时定义中压区源漏到沟道宽度，源漏到沟道宽度大于第二隔离的宽度，执行隔离刻蚀，保留高压区栅极开槽和中压取源漏靠近沟道的第一隔离；按现有技术执行后续至执行至IOR工艺时，利用IOR光罩遮盖住低压区和高压区，中压区打开，对中压区有源区氧化层进行刻蚀，利用中压区第一隔离作为硬掩模，去除源漏注入区氧化层；按现有技术执行后续至执行至SAB工艺利用SAB光罩遮挡高压区的栅极开槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种用于28nm工艺平台提高中压器件和高压器件可靠性的方法。

技术介绍

1、手机屏幕向大屏化和折叠屏方向发展，对显示驱动芯片的功耗和显示性能要求已经提升到一个新高度。由于amoled显示屏的先天优势：面板厚度薄，显示色彩饱和度高，省电效果佳，功耗低，可柔性显示，amoled显示屏将成为未来中高端智能手机的首选。amoled驱动芯片器件需求分为三类：1、由于速度和功耗需求，核心lv器件需要低电压和高速的要求。2、为了驱动tft管子，需要hv(20v-32v)高压工艺。3、为了电流驱动电路设计需要8v中压mv器件要求。

2、随着器件尺寸不断缩小，传统的栅氧sion的厚度降低到2nm以下，栅极泄漏电流增加。为了解决这个问题，半导体业界利用高k介质材料hfo2和hfsion取代sion作为栅氧化层，并使用金属栅代替多晶硅栅。这种工艺称为hkmg工艺技术。与传统的sion/poly栅极集成方案相比，hkmg工艺能够减少晶体管栅氧化层的厚度，并通过提高晶体管速度和降低电压来减少功耗。在28nm hkmg平台开发hv(高压本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善中高压器件可靠性的方法，采用现有工艺制作至沉积第一隔离，其特征在于：

2.如权利要求1所述改善中高压器件可靠性的方法，执行至IOR工艺时，其特征在于：

3.如权利要求2所述改善中高压器件可靠性的方法，执行至SAB工艺时，其特征在于：沉积SAB薄膜，执行光刻时，利用SAB光罩遮挡高压区的栅极开槽。

4.如权利要求1所述改善中高压器件可靠性的方法，其特征在于：第一隔离包括氧化层和氮化硅层。

5.如权利要求1所述改善中高压器件可靠性的方法，其特征在于：第一隔离氧化层厚度范围为10埃～30埃，第一隔离氮化硅层厚度范围为150埃～250埃...

【技术特征摘要】

1.一种改善中高压器件可靠性的方法，采用现有工艺制作至沉积第一隔离，其特征在于：

2.如权利要求1所述改善中高压器件可靠性的方法，执行至ior工艺时，其特征在于：

3.如权利要求2所述改善中高压器件可靠性的方法，执行至sab工艺时，其特征在于：沉积sab薄膜，执行光刻时，利用sab光罩遮挡高压区的栅极开槽。

4.如权利要求1所述改善中高压器件可靠性的方法，其特征在于：第一隔离包括氧化层和氮化硅层。

5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奇伟，单铎，张志刚，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：