晶圆片加工方法及加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆片加工方法及加工装置，包括：将膜层贴设在晶圆片的第一表面处，并对晶圆片进行减薄处理；在对晶圆片进行减薄处理后，沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入操作；对晶圆片的第二表面进行挤压操作，以使膜层在膜层的受刺入部位处形成贯通膜层的厚度方向的刺穿孔；其中，第一表面和第二表面分别位于晶圆片的两侧。通过本发明专利技术提供的技术方案，能够解决现有技术中的膜层应力累积导致晶圆片翘曲较大而使得出料时碎片风险较高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工领域，具体而言，涉及一种晶圆片加工方法及加工装置。

技术介绍

1、在功率半导体领域，半导体器件的厚度越薄，可以得到更低的阈值电压vf和更高的浪涌参数，因此，超薄晶圆片是半导体领域的发展趋势。目前，如图1所示，为了对晶圆片进行减薄，常规的工艺流程为贴膜、进料、减薄、清洗、甩干、出料；在碳化硅晶圆片加工过程中，通过该常规减薄工艺能够将碳化硅晶圆片减薄至180-350um。

2、然而，当需要将碳化硅晶圆片减薄至100-150um厚度或更薄时，由于贴膜工艺会将膜贴设在晶圆片衬底正面。随着减薄的进行，膜中的压力无法及时释放出来，会导致晶圆片产生较大的翘曲，使得晶圆片在出料时易撞到卡夹导致碎片，增加了碎片风险。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆片加工方法及加工装置，以解决现有技术中的膜层应力累积导致晶圆片翘曲较大而使得出料时碎片风险较高的技术问题。

2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种晶圆片加工方法，包括：p>

3、将膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆片加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作，包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，在所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作之前，所述加工方法还包括：将所述晶圆片放置在承载基础上，并使所述第一表面位于所述第二表面的远离所述承载基础的一侧；

4.一种晶圆片加工装置，其特征在于，适用于权利要求1至3中任一项所述的晶圆片加工方法，所述加工装置包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆片加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作，包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆片加工方法，其特征在于，在所述沿所述膜层的厚度方向对所述膜层的至少部分进行刺入操作之前，所述加工方法还包括：将所述晶圆片放置在承载基础上，并使所述第一表面位于所述第二表面的远离所述承载基础的一侧；

4.一种晶圆片加工装置，其特征在于，适用于权利要求1至3中任一项所述的晶圆片加工方法，所述加工装置包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(20)包括主体部(21)和刺针(22)，所述刺针(22)具有相互连接的连接段(221)和刺入尖段(222)，所述连接段(221)与所述主体部(21)连接，所述刺入尖段(222)用于刺入所述膜层(40)的至少部分；

6.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述晶圆片加工装置还包括：

7.根据权利要求4所述的晶圆片加工装置，其特征在于，所述刺入结构(20)包括相互连接的主体部(21)和刺...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，邱舜国，周天彪，钟泳生，陈铭杰，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：