后段金属截断工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种后段金属截断工艺方法，包括：步骤一、形成第一图形层。步骤二、旋涂第一SOC层。步骤三、形成第二和第三硬质掩膜层。步骤四、对第三硬质掩膜层进行图形化以形成位于金属截断区中的第一孔洞。步骤五、形成第二填充层将第一孔洞完全填充。步骤六、将第三硬质掩膜层自对准去除。步骤七、进行刻蚀将柱状图形转移到第二硬质掩膜层中。步骤八、进行刻蚀将柱状图形转移到第一SOC层中，第一SOC层的柱状图形底部区域将沟槽图形完全填充并形成金属截断图形。步骤九、进行刻蚀将沟槽图形和金属截断图形转移到第一硬质掩膜层中。步骤十、进行刻蚀将图形转移到层间膜中。本发明专利技术所能实现沟槽图形和金属截断图形分开精确定义并降低对光刻机的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种后段金属截断(cut)工艺方法。

技术介绍

1、随着超大规模集成电路的高速发展，芯片的集成度不断提高，器件特征尺寸不断减小,图形分布更加密集。由于后段工艺为多层分布的金属连线结构，相应的金属线沟槽需要进一步的微缩才能够满足连接器件的需求。对于较低技术节点后段无极紫外(non-euv)工艺，一般采用侧墙辅助的四重显影(saqp)实现沟槽的微缩，同时金属线头对头通过cut工艺，然后埋下阻挡材料以防止刻蚀下去，进而形成金属互连头对头的结构。现有工艺需要通过定义出沟槽图形和金属截断图形，且需要采用到阻挡材料的填充，工艺难度有需要进一步简化以及精度需要进一步提高。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种后段金属截断工艺方法，能实现沟槽图形和金属截断图形分开定义，并能降低对光刻机的要求，使得在关键尺寸较小的技术节点下，采用光源波长较长的光刻机就能实现对沟槽图形和金属截断图形的精确定义。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的后段金属截本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种后段金属截断工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：所述第一硬质掩膜层包括金属硬质掩膜层。

3.如权利要求2所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：所述金属硬质掩膜层的材料包括TiN。

4.如权利要求1所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：步骤一中，采用侧墙辅助的多重显影工艺实现对所述第一图形层的所述沟槽图形的定义。

5.如权利要求4所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：所述侧墙辅助的多重显影工艺包括侧墙辅助的四重显影工艺。

6.如权利要求1所述的后段金属截断工艺...

【技术特征摘要】

1.一种后段金属截断工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：所述第一硬质掩膜层包括金属硬质掩膜层。

3.如权利要求2所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：所述金属硬质掩膜层的材料包括tin。

4.如权利要求1所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：步骤一中，采用侧墙辅助的多重显影工艺实现对所述第一图形层的所述沟槽图形的定义。

5.如权利要求4所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：所述侧墙辅助的多重显影工艺包括侧墙辅助的四重显影工艺。

6.如权利要求1所述的后段金属截断工艺方法，其特征在于：步骤三中，所述第二硬质掩膜层包括采用低温氧化工...

【专利技术属性】
技术研发人员：化跃峰，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：