【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种用于高压工艺平台的中压器件制造方法。
技术介绍
1、半导体高压(hv)工艺是一种用于制造高电压器件的重要工艺技术，在电力电子和传感器等领域中有着广泛的应用。采用高压工艺平台制造的屏幕驱动芯片主要包含低压、中压和高压器件，其中中压(8v)器件主要应用于屏幕发光单元的源极驱动。对比平台io器件(1.8v/2.5v)，中压器件操作电压更高，具有更大的栅氧厚度。沉积中压器件的栅极氧化层后，去除其它区域的栅极氧化层时实施的酸洗会导致整体台阶高度偏低。由于不同电压器件的栅氧厚度的差异导致开发难度和工艺风险，对后续高k-金属栅工艺中开发hv工艺有更大的难度。同时，对于中压器件而言，为了提升均匀性，需要对形成的栅氧实施热处理，会导致栅氧和隔离部件在高温下致密化，导致晶圆面内的台阶高度有特殊分布，出现均匀性问题。此外，由于隔离部件的阻挡导致中压器件的有源区在如图1所示的拐角位置出现边缘变尖的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种用于高压工艺平台的中压器件制造方法，用于解决现有技术出现的有源区边缘变尖、浅沟槽隔离氧化物致密化、浅沟槽隔离台阶高度偏低等问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种用于高压工艺平台的中压器件制造方法，包括：
3、步骤一，提供一衬底，形成用于后续高压器件阱区光刻对准的对准标记；
4、步骤二，在衬底中形成凹槽，限定中压器件有源区在衬底内的区域范围；
6、步骤四，去除位于中压器件区域之外的栅介电层；
7、步骤五，在衬底上形成硬掩模层；
8、步骤六，在中压器件有源区的两侧形成浅沟槽。
9、优选的，形成该对准标记之前，通过沉积工艺在衬底上形成一衬垫层。
10、优选的，衬垫层的材料包括氧化硅。
11、优选的，凹槽的宽度大于中压器件有源区的预设宽度。
12、优选的，通过沉积工艺在衬底上形成栅介电层。
13、优选的，栅介电层的材料包括氧化硅。
14、优选的，通过湿法腐蚀工艺去除位于中压器件区域之外的栅介电层。
15、优选的，湿法腐蚀的腐蚀液包括氢氟酸。
16、优选的，硬掩模层的材料包括氮化硅。
17、优选的，步骤六结束之后，实施氧化物填充和氧化物平坦化以形成浅沟槽隔离结构。
18、如上所述，本申请提供的用于高压工艺平台的中压器件制造方法，具有以下有益效果：在浅沟槽隔离结构形成之前，于中压器件有源区形成栅介电层，避免现有技术出现的有源区边缘变尖、浅沟槽隔离氧化物致密化、浅沟槽隔离台阶高度偏低等问题。
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1.一种用于高压工艺平台的中压器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述对准标记之前，通过沉积工艺在所述衬底上形成一衬垫层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬垫层的材料包括氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的宽度大于中压器件有源区的预设宽度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺在所述衬底上形成栅介电层。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述栅介电层的材料包括氧化硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过湿法腐蚀工艺去除位于中压器件区域之外的栅介电层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的腐蚀液包括氢氟酸。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料包括氮化硅。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤六结束之后，实施氧化物填充和氧化物平坦化以形成浅沟槽隔离结构。
【技术特征摘要】
1.一种用于高压工艺平台的中压器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述对准标记之前，通过沉积工艺在所述衬底上形成一衬垫层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬垫层的材料包括氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的宽度大于中压器件有源区的预设宽度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺在所述衬底上形成栅介电层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐小亮，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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