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本申请提供一种用于高压工艺平台的中压器件制造方法，包括：步骤一，提供一衬底，形成用于后续高压器件阱区光刻对准的对准标记；步骤二，在衬底中形成凹槽，限定中压器件有源区在衬底内的区域范围；步骤三，在衬底上形成栅介电层，覆盖凹槽的侧壁和底部；步骤...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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