【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体器件及其制备，具体涉及一种氮化硅层的制备方法及半导体器件。
技术介绍
1、氮化硅(si3n4)薄膜作为介质材料广泛应用在半导体制造领域。如制造闪存的工艺中需要一层ono层作为浮置栅(floating gate)和控制栅(control gate)之间的介电材料，该ono层中的“o”代表氧化硅层，“n”代表氮化硅层。在晶体管制造工艺中，氧化硅层通常作为层间介质层，栅极氧化层等，用来电学隔离不同的半导体结构和导电结构，此外，氮化硅层致密度较高，通常还可以作为刻蚀阻挡层，硬掩膜层等。
2、目前，形成氮化硅层的硅源包括二氯硅烷(sih2cl2)，其中的氯容易进攻并侵蚀氮化物半导体材料，进而影响氮化硅膜层的纯净度。
技术实现思路
1、本申请的技术目的是至少缓解了现有形成氮化硅层过程中，二氯硅烷分解的含氯物质对氮化硅膜层质量的影响。
2、为实现上述技术目的，本申请的第一方面是公开了一种氮化硅层的制备方法，包括：
3、提供包含半导体衬底的晶圆；
...【技术保护点】
1.一种氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间t2为9s～24s，优选为15s～24s，更优选为18s～24s。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1为2s～10s。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一气体包括氨...
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间t2为9s～24s，优选为15s～24s，更优选为18s～24s。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1为2s～10s。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：许浩宁，李进一，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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