【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体器件及其制备，具体涉及一种氮化硅层的制备方法及半导体器件。
技术介绍
1、氮化硅(si3n4)薄膜作为介质材料广泛应用在半导体制造领域。如制造闪存的工艺中需要一层ono层作为浮置栅(floating gate)和控制栅(control gate)之间的介电材料，该ono层中的“o”代表氧化硅层，“n”代表氮化硅层。在晶体管制造工艺中，氧化硅层通常作为层间介质层，栅极氧化层等，用来电学隔离不同的半导体结构和导电结构，此外，氮化硅层致密度较高，通常还可以作为刻蚀阻挡层，硬掩膜层等。
2、目前，形成氮化硅层的硅源包括二氯硅烷(sih2cl2)，其中的氯容易进攻并侵蚀氮化物半导体材料，进而影响氮化硅膜层的纯净度。
技术实现思路
1、本申请的技术目的是至少缓解了现有形成氮化硅层过程中，二氯硅烷分解的含氯物质对氮化硅膜层质量的影响。
2、为实现上述技术目的，本申请的第一方面是公开了一种氮化硅层的制备方法，包括：
3、提供包含半导体衬底的晶圆；
4、将上述晶圆置于反应腔室内；
5、通过上述反应腔室的第一进气管向上述反应腔室内通入氨气，通过上述反应腔室的第二进气管向上述反应腔室内通入二氯硅烷，上述氨气与上述二氯硅烷反应制得氮化硅层；
6、在第一预设时间t1内，通过上述反应腔室的第三进气管向上述反应腔室内通入第一气体；
7、在第二预设时间t2内，通过上述反应腔室的第三进气管向上述反应腔室内通入第二气体
8、上述第一预设时间t1小于上述第二预设时间t2。
9、在一些实施方式中，上述第一预设时间t1与上述第二预设时间t2满足：
10、t2/t1＝2～6。
11、在一些实施方式中，上述第一预设时间t1与上述第二预设时间t2满足：
12、t2/t1＝2.4～6。
13、在一些实施方式中，上述第二预设时间t2为9s～24s，优选为15s～24s，更优选为18s～24s。
14、在一些实施方式中，上述第一预设时间t1为2s～10s。
15、在一些实施方式中，上述第一气体包括氨气或氮气或氢气中的任一种。
16、在一些实施方式中，上述第二气体包括氮气。
17、在一些实施方式中，上述第一预设时间t1为2s～10s，上述第二预设时间t2为18s～24s；
18、上述第一气体包括氨气；
19、上述第二气体包括氮气。
20、在一些实施方式中，上述晶圆包括半导体衬底与位于上述半导体衬底任意侧表面的氮化物半导体层；
21、上述氮化物半导体层的材质包括氮化镓。
22、本申请的第二方面是提供一种半导体器件，包括第一方面所述的方法制得的氮化硅层。
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1.一种氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间t2为9s～24s，优选为15s～24s，更优选为18s～24s。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1为2s～10s。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一气体包括氨气或氮气或氢气中的任一种。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二气体包括氮气。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1为2s～10s，所述第二预设时间t2为18s～24s；
9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶圆包括半导体衬底与位于所述半导体衬底任意侧表面的氮化物半导体层；
10.一种半导体器件，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1与所述第二预设时间t2满足：
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间t2为9s～24s，优选为15s～24s，更优选为18s～24s。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间t1为2s～10s。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：许浩宁，李进一，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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