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本申请提供了一种氮化硅层的制备方法及半导体器件。该方法包括：提供包含半导体衬底的晶圆；将上述晶圆置于反应腔室内；通过上述反应腔室的第一进气管向上述反应腔室内通入氨气，通过上述反应腔室的第二进气管向上述反应腔室内通入二氯硅烷，上述氨气与上述二...
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