一种副室取晶工装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种副室取晶工装，在现有的取晶托上增加取晶爪和阻尼，取晶爪至少为两个，取晶托的内侧壁分别与取晶爪的上端转动连接，取晶爪的下端用于夹持副室内单晶的尾部；阻尼连接于取晶爪和取晶托的内侧壁之间。本实用新型专利技术的取晶爪能够跟随取晶托一同开闭，取晶爪能够夹持副室内单晶的尾部，取晶爪能够稳定单晶，避免副室旋开过程中单晶撞击副室，阻尼对取晶爪和单晶的接触起缓冲作用，能够使取晶爪与单晶的接触为非硬性接触，能够避免取晶爪破坏单晶；本设计结构简单，依托现有的取晶托进行改造，无需增加过多零部件即可实现取单晶稳定单晶，减少单晶尾部裂造成产量损失，成本低廉，改造周期短。改造周期短。改造周期短。

【技术实现步骤摘要】
一种副室取晶工装


[0001]本技术涉及光伏制造
，特别涉及一种副室取晶工装。

技术介绍

[0002]目前市场对单晶硅需求量不断增加，提升内部产能尤为重要。单晶在主炉内加工后需要移至副室，副室向一侧旋开后，在一侧取出单晶，现有技术中副室的下方设有两个能够转动开闭的取晶托，由气动方式驱动取晶托的开闭，取晶托能够防止单晶从副室下方掉落。但是由于单晶炉液压承载次数过多，导致副室无法保持完全竖直，副室旋开过程中单晶可能会撞击副室造成硬性接触，从而对单晶造成机械损伤产生裂纹。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种副室取晶工装，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
[0005]一种副室取晶工装，包括两个取晶托，两个所述取晶托转动地开闭于副室的下方，还包括：
[0006]至少两个取晶爪，所述取晶托的内侧壁分别与所述取晶爪的上端转动连接，所述取晶爪的下端用于夹持所述副室内单晶的尾部；
[0007]阻尼，所述阻尼连接于所述取晶爪和取晶托的内侧壁之间。
[0008]进一步地，所述取晶爪包括主臂和夹持爪，所述主臂的上端与所述取晶托的内侧壁转动连接，所述主臂的下端与所述夹持爪的上端连接。
[0009]进一步地，所述主臂和夹持爪均倾斜设置，所述主臂与水平线的夹角a大于所述夹持爪与水平线的夹角b。
[0010]进一步地，所述夹持爪的下端设有多个沿单晶的周向均匀分布的夹持齿，所述夹持齿与所述单晶的周向外壁接触。
[0011]进一步地，所述阻尼连接于所述主臂和取晶托的内侧壁之间。
[0012]进一步地，所述取晶爪选用金属材料，至少所述取晶爪与所述单晶接触处的外部设有金属隔离垫或金属隔离涂层。
[0013]进一步地，所述阻尼采用液压阻尼器。
[0014]综上，本技术至少具有如下技术效果和优点：
[0015]取晶爪设在现有技术中取晶托的内侧壁上，能够跟随取晶托一同开闭，取晶爪能够夹持副室内单晶的尾部，取晶爪能够稳定单晶，避免副室旋开过程中单晶撞击副室，阻尼对取晶爪和单晶的接触起缓冲作用，能够使取晶爪与单晶的接触为非硬性接触，能够避免取晶爪破坏单晶；本设计结构简单，依托现有的取晶托进行改造，无需增加过多零部件即可实现取单晶稳定单晶，减少单晶尾部裂造成产量损失，成本低廉，改造周期短。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术一实施例中副室取晶工装的结构示意图；
[0018]图2为图1中A处的局部放大图；
[0019]图3为本技术一实施例中夹持齿与单晶的结构示意图。
[0020]图中：1、副室；2、取晶托；3、阻尼；4、主臂；5、夹持爪；6、夹持齿；7、单晶。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0023]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0025]现有技术中，副室1的下方设有两个转动开闭的取晶托2，开闭由气缸驱动，为了稳定副室1内的单晶7，避免副室1在旋开过程中与单晶7相撞，本实施例提供一种副室取晶工装，在现有的取晶托2上增加取晶爪和阻尼3，如图1
‑
3所示，取晶爪至少为两个，两个取晶托2的内侧壁上都安装有取晶爪；本实施例优选的，取晶托2分别对应安装一个取晶爪，两个取晶爪为对称设置。取晶托2的内侧壁分别与取晶爪的上端转动连接，取晶爪的下端用于夹持副室1内单晶7的尾部；阻尼3连接于取晶爪和取晶托2的内侧壁之间。
[0026]本实施例中，取晶爪设在现有技术中取晶托2的内侧壁上，能够跟随取晶托2一同开闭，取晶爪能够夹持副室1内单晶7的尾部，取晶爪能够稳定单晶7，避免副室1旋开过程中单晶7撞击副室1，阻尼3对取晶爪和单晶7的接触起缓冲作用，能够使取晶爪与单晶7的接触为非硬性接触，能够避免取晶爪破坏单晶7；本设计结构简单，依托现有的取晶托2进行改造，无需增加过多零部件即可实现取晶爪稳定单晶7，减少单晶7尾部裂造成产量损失，成本低廉，改造周期短。
[0027]具体地，取晶爪包括主臂4和夹持爪5，主臂4的上端与取晶托2的内侧壁转动连接，主臂4的下端与夹持爪5的上端连接。主臂4和夹持爪5均倾斜设置，主臂4与水平线的夹角a大于夹持爪5与水平线的夹角b。主臂4与夹持爪5形成类似悬臂梁的结构，取晶爪与阻尼3共同作用与单晶7形成非硬性接触。主臂4和夹持爪5可以为一体结构。
[0028]进一步地，夹持爪5的下端设有多个沿单晶7的周向均匀分布的夹持齿6，夹持齿6与单晶7的周向外壁接触。夹持齿6的数量可以是2、3、4或5等多个。
[0029]进一步地，阻尼3连接于主臂4和取晶托2的内侧壁之间。取晶爪使用的阻尼3应有相应的承受力。可选地，阻尼3采用液压阻尼器。阻尼3还可以为其他产品，只要阻尼3不应过刚，否则无法起到非硬性接触的作用。
[0030]进一步地，取晶爪选用金属材料，例如钢材料。由于金属与单晶7接触可能会造成单晶7金属含量超标，使产品合格率大幅下降，因此需要对取晶爪进行金属隔离，至少取晶爪与单晶7接触处的外部设有金属隔离垫或金属隔离涂层。具体地，取晶爪整体、夹持爪5或夹持齿6外部设有金属隔离垫或金属隔离涂层。可选地，四氟垫可以作为金属隔离垫，四氟涂层可以作为金属隔离涂层。
[0031]本实施例的工作过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种副室取晶工装，包括两个取晶托，两个所述取晶托转动地开闭于副室的下方，其特征在于，还包括：至少两个取晶爪，所述取晶托的内侧壁分别与所述取晶爪的上端转动连接，所述取晶爪的下端用于夹持所述副室内单晶的尾部；阻尼，所述阻尼连接于所述取晶爪和取晶托的内侧壁之间。2.根据权利要求1所述的副室取晶工装，其特征在于，所述取晶爪包括主臂和夹持爪，所述主臂的上端与所述取晶托的内侧壁转动连接，所述主臂的下端与所述夹持爪的上端连接。3.根据权利要求2所述的副室取晶工装，其特征在于，所述主臂和夹持爪均倾斜设置，所述主臂与水平线的夹角a大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：史锦璐，杨志，李磊，刘文星，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：