【技术实现步骤摘要】
本技术属于硅料除杂，尤其是涉及一种硅晶体沫子料除轻杂装置。
技术介绍
1、在太阳能光伏和半导体材料制造业，硅晶体作为原料在分级和周转的过程中易产生1-3mm的硅晶体沫子料。硅晶体沫子料作为原料使用时，需要进行除杂。在现有技术中，多采用人工清洗来去除轻杂，但硅晶体沫子料中的轻杂很不容易去除，除杂效果不理想，且除杂效率较低，影响产品质量。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种硅晶体沫子料除轻杂装置，有效解决了硅晶体沫子料除轻杂效率较低，除杂效果不理想的问题，克服了现有技术的不足。
2、本技术采用的技术方案是：一种硅晶体沫子料除轻杂装置，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂。
3、进一步，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外。
4、进一步，所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方。
5、进一步，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有喷淋装置，用于冲洗所述硅晶体沫子料。
6、进一步，所述喷淋装置包括第一喷淋头和第二喷淋头，沿所述传送带的传送方向依次设置。
7、进一步，所述溢流槽的一侧设
8、进一步，所述过滤槽远离所述溢流槽的一侧设有循环水槽，所述循环水槽与所述过滤槽的底部连接，用于储存所述循环水给所述第一喷淋头供水。
9、进一步，所述传送带设置在所述溢流槽外的一端下方设有下料喷头，用于将除杂后的所述硅晶体沫子料与所述传送带分离。
10、进一步，所述传送带上设有间隔条，沿所述传送带均匀设置。
11、进一步，所述振动上料装置包括振动电机和上料槽，所述振动电机设置在所述上料槽上，用于将所述硅晶体沫子料放置到所述传送带上。
12、本技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，实现了硅晶体沫子料自动化除轻杂，提高了除杂效率，保证了除杂效果和产品质量，结构简单，操作便捷。
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1.一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外，所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有喷淋装置，用于冲洗所述硅晶体沫子料。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述喷淋装置包括第一喷淋头和第二喷淋头，沿所述传送带的传送方向依次设置。
3.根据权利要求2所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述溢流槽的一侧设有过滤槽，用于过滤轻杂，形成循环水给所述第一喷淋头供水。
4.根据权利要求3所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述过滤槽远离所述溢流槽的一侧设有循环水槽，所述循环水
5.根据权利要求2-4任一所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述传送带设置在所述溢流槽外的一端下方设有下料喷头，用于将除杂后的所述硅晶体沫子料与所述传送带分离。
6.根据权利要求5所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述传送带上设有间隔条，沿所述传送带均匀设置。
7.根据权利要求2-4和6任一所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述振动上料装置包括振动电机和上料槽，所述振动电机设置在所述上料槽上，用于将所述硅晶体沫子料放置到所述传送带上。
...【技术特征摘要】
1.一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外，所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有喷淋装置，用于冲洗所述硅晶体沫子料。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述喷淋装置包括第一喷淋头和第二喷淋头，沿所述传送带的传送方向依次设置。
3.根据权利要求2所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊国庆，赵子龙，张红霞，李日升，胡亚超，张晶慧，邢昺玥，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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