【技术实现步骤摘要】
本技术属于硅料除杂，尤其是涉及一种硅晶体沫子料除轻杂装置。
技术介绍
1、在太阳能光伏和半导体材料制造业，硅晶体作为原料在分级和周转的过程中易产生1-3mm的硅晶体沫子料。硅晶体沫子料作为原料使用时，需要进行除杂。在现有技术中，多采用人工清洗来去除轻杂，但硅晶体沫子料中的轻杂很不容易去除，除杂效果不理想，且除杂效率较低，影响产品质量。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种硅晶体沫子料除轻杂装置，有效解决了硅晶体沫子料除轻杂效率较低，除杂效果不理想的问题，克服了现有技术的不足。
2、本技术采用的技术方案是：一种硅晶体沫子料除轻杂装置，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂。
3、进一步，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外。<...
【技术保护点】
1.一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外，所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有喷淋装置，用于冲洗所述硅晶体沫子料。
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【技术特征摘要】
1.一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外，所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有喷淋装置，用于冲洗所述硅晶体沫子料。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述喷淋装置包括第一喷淋头和第二喷淋头，沿所述传送带的传送方向依次设置。
3.根据权利要求2所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊国庆，赵子龙，张红霞，李日升，胡亚超，张晶慧，邢昺玥，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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