一种硅片痕量元素的检测方法技术

本申请提供一种硅片痕量元素的检测方法。硅片痕量元素的检测方法包括：提供硅片；提供导电垫片，将导电垫片置于硅片远离离子源的表面；对硅片进行辉光放电，以检测其中的痕量元素。本申请通过将导电垫片置于硅片远离离子源的表面后进行辉光放电检测，一方面硅片和导电垫片组合，相对于单纯的硅片，提高了其机械强度，降低了硅片在检测过程中被击穿的概率；另一方面，由于导电垫片具有导电性能，硅片和导电垫片组合后作为阴极可以产生稳定的等离子体，导电垫片直接与硅片的背面接触，能够提供额外的导电路径，从而使整个硅片表面电势均匀，维持稳定的辉光放电，进而确保检测结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于光伏，具体涉及一种硅片痕量元素的检测方法。

技术介绍

1、太阳能电池中微量杂质的浓度及其空间分布对电池组件的功能具有重要作用。即使在ppbw水平的(每十亿分之一)杂质含量也会显著降低太阳能电池的性能。硅片为最终产品，为了考量实际工艺中痕量化学元素对晶体硅内部光照的响应和少子捕获能力的影响，对硅片杂质含量进行分析是很有必要的。辉光放电质谱仪(gd-ms)具有多元素检测能力、检出限低、灵敏度高等特点，是分析金属和半导体硅中微量元素的有力工具。然而现有技术中gd-ms检测硅片中痕量元素存在检测结果不准确的问题。

2、因此，提供一种gd-ms对硅片痕量元素进行准确检测的方法，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的为提供一种硅片痕量元素的检测方法，旨在解决现有技术硅片痕量元素检测结果不准确甚至无法进行的问题。

2、本申请实施例提供一种硅片痕量元素的检测方法，包括步骤：

3、提供硅片；

4、提供导电垫片，将导电垫片置于硅片远离离子源的表面；

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述硅片与所述导电垫片的总厚度为0.5～1.5mm。

3.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片为至少一片，每片所述导电垫片的厚度为0.2～0.5mm。

4.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片的电阻率为50～100μΩ·cm。

5.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片选自下述中的至少一种：石墨纸、金属铂箔和金属钽箔。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述硅片与所述导电垫片的总厚度为0.5～1.5mm。

3.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片为至少一片，每片所述导电垫片的厚度为0.2～0.5mm。

4.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片的电阻率为50～100μω·cm。

5.根据权利要求1所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片选自下述中的至少一种：石墨纸、金属铂箔和金属钽箔。

6.根据权利要求5所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所述导电垫片为石墨纸，所述石墨纸的纯度为99.99％～100％。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的硅片痕量元素的检测方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戚钱菊，陈旭，魏宁，王瑞峰，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：