集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路制造技术

本申请涉及一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路，其芯片包括高侧驱动模块、低侧驱动模块、自举控制电路和供电端VCC，高侧驱动模块的第一输入端HIN用于接收第一控制信号，高侧驱动模块的第二输入端VB用于连接自举控制电路，高侧驱动模块的第一输出端HO用于连接被驱动的第一MOS管，高侧驱动模块的第一连接端S也用于连接被驱动第一MOS管，自举控制电路用于连接外部的自举电容C1，低侧驱动模块的第一输入端LIN用于接收第二控制信号，低侧驱动模块的输出端LO用于连接被驱动的第二MOS管，供电端VCC连接于自举控制电路，供电端VCC还连接于低侧驱动模块。本申请具有简化电路，降低使用成本的效果。降低使用成本的效果。降低使用成本的效果。

【技术实现步骤摘要】
集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路


[0001]本申请涉及集成电路的
，尤其是涉及一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路。

技术介绍

[0002]MOS管作为一种常用的半导体器件，已经应用于各种电子设备中。MOS管能够起到放大作用、开关控制等。由于单片机的驱动能力有限，无法实现对半桥电路中的MOS管的驱动，所以为了使MOS管能够实现快速导通与关断，需要为MOS管配合使用驱动电路。
[0003]相关技术中，围绕驱动芯片搭建驱动电路，从而实现对MOS管的驱动，但是，驱动芯片外部连接较多的各类器件，导致了使用成本的升高。

技术实现思路

[0004]为了简化电路，降低使用成本，本申请提供了一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路。
[0005]第一方面，本申请提供的一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片采用如下的技术方案：一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片，包括高侧驱动模块、低侧驱动模块、自举控制电路和供电端VCC，所述高侧驱动模块的第一输入端HIN用于接收第一控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片，其特征在于：包括高侧驱动模块（1）、低侧驱动模块（2）、自举控制电路（3）和供电端VCC，所述高侧驱动模块（1）的第一输入端HIN用于接收第一控制信号，所述高侧驱动模块（1）的第二输入端VB用于连接所述自举控制电路（3），所述高侧驱动模块（1）的第一输出端HO用于连接被驱动的第一MOS管，所述高侧驱动模块（1）的第一连接端S也用于连接被驱动所述第一MOS管，所述自举控制电路（3）用于连接外部的自举电容C1，所述低侧驱动模块（2）的第一输入端LIN用于接收第二控制信号，所述低侧驱动模块（2）的输出端LO用于连接被驱动的第二MOS管，所述供电端VCC连接于所述自举控制电路（3），所述供电端VCC还连接于所述低侧驱动模块（2）。2.根据权利要求1所述的一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片，其特征在于：所述高侧驱动模块（1）包括四个MOS管组A，所述MOS管组A包括第一连接端a1、第二连接端a2、第三连接端a3和第四连接端a4，全部所述MOS管组A的第一连接端a1和第三连接端a3顺次连接，并且处于首位的所述MOS管组A的第一连接端a1连接于所述第一输入端HIN，处于末位的所述MOS管组A的第三连接端a3连接于第一输出端HO，全部所述MOS管组A的第二连接端a2均连接于所述高侧驱动模块（1）的第二输入端VB，全部所述MOS管组A的第四连接端a4均连接于所述高侧驱动模块（1）的第一连接端S。3.根据权利要求2所述的一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片，其特征在于：所述MOS管组A包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管的栅极连接于所述第一连接端a1，所述PMOS管的源极连接于所述第二连接端a2，所述PMOS管的漏极连接于所述NMOS管的漏极，所述PMOS管的漏极还连接于所述第三连接端a3，所述NMOS管的源极连接于所述第四连接端a4，所述NMOS管的栅极连接于所述第一连接端a1。4.根据权利要求1所述的一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片，其特征在于：所述低侧驱动模块（2）包括四个MOS管组B，所述MOS管B包括第一连接端b1、第二连接端b2、第三连接端b3和第四连接端b4，所述MOS管组B...

【专利技术属性】
技术研发人员：程君永，
申请(专利权)人：屹晶微电子台州有限公司，
类型：发明
国别省市：