图像传感器制造技术

技术编号:38619552 阅读:20 留言:0更新日期:2023-08-31 18:24
本发明专利技术涉及图像传感器。一种放大器包括:连接在输入节点与浮置节点之间的第一电容器;连接在浮置节点与输出节点之间的第二电容器;放大元件,连接在电源电压与输出节点之间并且响应于浮置节点的电压电平来操作;连接在输出节点与接地电压之间的电流偏置源;第一重置开关,连接在浮置节点与中间节点之间并且响应于重置偏置来操作;以及重置偏置生成器电路,响应于重置信号来输出重置偏置。重置偏置是中间节点的重置电压、电源电压和接地电压中的一个。个。个。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]本申请是申请日为2020年9月3日、申请号为202010914035.1、专利技术名称为“放大器和包括其的图像传感器设备”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求在韩国知识产权局于2019年9月3日提交的第10

2019

0108772号韩国专利申请的优先权,该专利申请的公开通过引用被整体合并。


[0004]在本文描述的本专利技术构思的示例性实施例涉及一种半导体设备,并且更具体地涉及一种放大器和包括其的图像传感器。

技术介绍

[0005]图像传感器设备是基于从外部入射的光来生成电信号或数字信号的设备。当前正在开发根据从外部入射的光的幅度的改变量来输出事件信号的基于事件的传感器,例如动态视觉传感器(DVS)。
[0006]通常,基于事件的传感器通过使用诸如转换器和放大器等等的各种组件来输出事件信号。在这种情况下,由于各种因素,在转换器或放大器处可能发生泄漏电流或设备噪声,因此造成非预期的假事件。
专本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,包括:第一半导体晶圆,包含CMOS图像传感器(CIS)像素和动态视觉传感器(DVS)像素;第二半导体晶圆,被配置为接收从DVS像素生成的信号并基于该信号生成事件信号;以及第三半导体晶圆,包含逻辑电路并被连接到第二半导体,其中,第一半导体晶圆和第二晶圆通过Cu至Cu粘合来连接,其中,事件信号基于从外部入射的光的改变量被生成。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一半导体晶圆还包括重置门、源极跟随器和选择门,并且其中,多个CIS像素中的每一个连接到重置门、源极跟随器和选择门。3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,DVS像素包括多个CIS像素。4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,DVS像素包括4个CIS像素。5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,DVS像素包括9个CIS像素。6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第三半导体晶圆连接到第一半导体晶圆和第二半导体晶圆二者。7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,第一半导体晶圆包括第一晶体管层和第一金属层,并且第二半导体晶圆包括第二晶体管层和第二金属层。8.一种图像传感器,包括:第一半导体晶圆,包含CMOS图像传感器(CIS)像素、动态视觉传感器(DVS)像素、重置门、源极跟随器和选择门;以及第二半导体晶圆,被配置为接收从DVS像素生成的信号并基于该信号生成事件信号,其中,DVS像素连接到重置门、源极跟随器和选择门,并且其中,事件信号基于从外部入射的光的改变量被生成。9.根据权利要求8所述的图像传感器,还包括第三半导体晶圆,包含逻辑电路并被连接到第二半导体。10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,单个DVS像素...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔承男徐润宰伊藤真路金俊奭
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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