一种低功耗高性能Flash存储单元及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种低功耗高性能Flash存储单元及其制备方法和应用，该低功耗高性能Flash存储单元包括衬底，包括衬底、源区、源极栅和分栅结构和字线栅，源极栅连接源区并向上延伸，分栅结构包括对称设置在所述源极栅两侧的第一分栅部件和第二分栅部件，且均包括擦除栅、浮栅和字线栅，浮栅位于所述擦除栅下方，其与擦除栅两相对侧面拐角处分别匹配形成有向上的浮栅尖端和擦除栅凹槽；字线栅设置于所述浮栅外侧衬底上。本发明专利技术能够有效提高存储单元的擦除性并降低其功耗，同时能有效缩减低存储单元的尺寸，有着切实意义上的实用价值。的实用价值。的实用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗高性能Flash存储单元及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种低功耗高性能Flash存储单元及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]Flash(闪存)存储器作为一种非易失性存储器，如今已经占据了半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的半导体存储器，但是随着技术的发展，用户对于闪存规格、性能等要求也越来越严格。
[0003]一方面，现存的分栅快闪存储单元，由于无法提供浮栅位置的高电场，从而导致擦除效率较低；
[0004]另一方面，现有的存储单元器件结构上要求源区和浮栅在横向上有一定宽度的重叠作为耦合部分，该耦合部分大多数为水平平面结构，耦合部分以保证源区和浮栅的耦合系数，利于分栅快闪存储单元进行编程，但是反向的这将限制器件结构的尺寸的缩减，不利于工艺节点的发展，同时此类结构的设计也导致了现有的Flash存储单元的性能较差。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供低功耗高性能Flash存储单元及其制备方法和应用，不仅能够有效提高存储单元的擦除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，包括衬底；源区，形成于所述衬底中；源极栅，连接所述源区并向上延伸；分栅结构，位于所述衬底上，包括对称设置在所述源极栅两侧的第一分栅部件和第二分栅部件；所述第一分栅部件和第二分栅部件均包括擦除栅、浮栅和字线栅；所述浮栅位于所述擦除栅下方，其与擦除栅两相对侧面拐角处分别匹配形成有向上的浮栅尖端和擦除栅凹槽；所述字线栅设置于所述浮栅外侧衬底上。2.根据权利要求1所述的一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，所述字线栅与衬底、浮栅与衬底、擦除栅与浮栅间分别设置有字线栅氧化层、耦合氧化层和隧穿氧化层。3.根据权利要求1所述的一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，所述字线栅远离所述浮栅的一侧还设置有字线栅侧墙，所述字线栅侧墙外侧的衬底内还设置有漏区。4.根据权利要求2所述的一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，所述浮栅和擦除栅两相对侧面还分别形成有匹配楔合的凹槽和凸楞。5.根据权利要求1所述的一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，所述浮栅、源极栅、字线栅和擦除栅间设置有绝缘介质层。6.根据权利要求5所述的一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，所述绝缘介质层包括擦除栅侧墙、源极栅侧墙和浮栅侧墙，其中，所述擦除栅侧墙设置在所述擦除栅两侧，其覆盖所述浮栅上表面并向上延伸；所述源极栅侧墙设置在所述源极栅和浮栅之间，自源区表面向上延伸并完全覆盖所述源极栅和浮栅两相对侧面，同时至少部分覆盖所述源极栅和所述擦除栅侧墙的两相对侧面；所述浮栅侧墙位于所述浮栅和字线栅之间，自衬底表面向上延伸并完全覆盖所述字线栅和浮栅两相对侧面，同时至少部分覆盖所述字线栅和所述擦除栅侧墙两相对侧面。7.根据权利要求4所述的一种低功耗高性能Flash存储单元，其特征在于，所述隧穿氧化层设置在所述擦除栅与浮栅之间，其包裹浮栅尖端并向上延伸至少部分覆盖所述擦除栅和所述擦除栅侧墙两相对侧面。8.一种低功耗高性能Flash存储单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：任军，王旭峰，徐培，吕向东，
申请(专利权)人：恒烁半导体合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：