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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种低功耗高性能Flash存储单元及其制备方法和应用，该低功耗高性能Flash存储单元包括衬底，包括衬底、源区、源极栅和分栅结构和字线栅，源极栅连接源区并向上延伸，分栅结构包括对称设置在所述源极栅两侧的第一分...
该专利属于恒烁半导体（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恒烁半导体（合肥）股份有限公司授权不得商用。

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