【技术实现步骤摘要】
半埋芯片的封装载板及其加工工艺
[0001]本申请涉及封装载板制作,具体涉及一种半埋芯片的封装载板及其加工工艺。
技术介绍
[0002]随着电子技术的发展和人们对电子产品小型化、高度集成化的要求.为提高集成度,在封装载板的内部安置芯片的需求越来越迫切。如何在封装载板内部预留空间及引脚供客户贴芯片是急待解决的问题之一。
技术实现思路
[0003]为了克服上述缺陷,本申请提供一种半埋芯片的封装载板的加工工艺,该加工工艺中通过在内层线路制作时印刷一层油墨树脂层,而保护腔体底部的图形不被破坏,从而得到内部预留空间及引脚供客户贴芯片使用的封装载板。
[0004]本申请为了解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0005]一种半埋芯片的封装载板的加工工艺,包括如下步骤:
[0006]S1:第一基板的制作:准备第一芯板,对第一芯板进行钻孔镀铜、线路制作,并在第一芯板的内层线路上印刷一层油墨树脂层,得到第一基板;
[0007]S2:第二基板的制作:准备双面覆铜的第二芯板,蚀刻掉一面的铜箔以得到单面覆铜的第二芯板,并在第二芯板的绝缘层上贴上一层纯胶片,通过UV镭射工艺制作腔体,得到第二基板;
[0008]S3:将第一基板和第二基板进行压合得到多层板;
[0009]S4:对多层板进行钻孔电镀、线路制作;
[0010]S5:对线路制作后的多层板进行镭射加工出腔体底部贴芯片所需的引脚;
[0011]S6:对多层板进行防焊、表面处理得到封装载板。
[0012 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半埋芯片的封装载板的加工工艺,其特征在于:包括如下步骤:S1:第一基板(10)的制作:准备第一芯板,对第一芯板进行钻孔镀铜、线路制作,并在第一芯板的内层线路上印刷一层油墨树脂层(14),得到第一基板(10);S2:第二基板(20)的制作:准备双面覆铜的第二芯板,蚀刻掉一面的铜箔以得到单面覆铜的第二芯板,并在第二芯板的绝缘层上贴上一层纯胶片(24),通过UV镭射工艺制作腔体(25),得到第二基板(20);S3:将第一基板(10)和第二基板(20)进行压合得到多层板(30);S4:对多层板(30)进行钻孔电镀、线路制作;S5:对线路制作后的多层板(30)进行镭射加工出腔体底部贴芯片所需的引脚;S6:对多层板(30)进行防焊、表面处理得到封装载板(40)。2.根据权利要求1所述的半埋芯片的封装载板的加工工艺,其特征在于:S1和S4中钻孔电镀包括以下步骤:利用钻孔机在第一芯板或多层板(30)上钻出用于层间连通的贯通孔,并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理,使贯通孔内层形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔;具体工艺参数为:进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min、深度补偿0.3
‑
0.4mm;除胶速率为0.1
‑
0.4mg/cm2、微蚀速率为20
‑
60μm/min、沉积速率为17
‑
32μm/min。3.根据权利要求1所述的半埋芯片的封装载板的加工工艺,其特征在于:S1和S4中线路制作包括以下步骤:(1)前处理:利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗,再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化;(2)压干膜:利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上;(3)曝光:使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应,从而使设计的图形转移到感光干膜上;(4)显影:利用显影液与未曝光干膜的皂化反应,将其去除;(5)蚀刻:通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上,利用药水与铜的化学反应,对未被干膜保护的铜面进行蚀刻,形成线路;(6)退膜:通过退膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上,利用药水与干膜的化学反应将干膜去除,完成线路的制作;(7)AOI:AOI系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异,对铜面上的线路进行检验;其中,所述压干膜的具体工艺参数为:温度为110
±
2℃、线速为1.8
±
0.2m/min、压力为6
±
0.2kg/cm2;所述曝光时的能量格为6
±
1;所述显影时的具体工艺参数为:线速为3.0
±
0.1m/min、压力为1.3
±
0.3kg/cm2、温度为30
±
2℃。4.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:马洪伟,张志礼,
申请(专利权)人:江苏普诺威电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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