具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法技术

本申请涉及一种具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法，所述加工方法包括准备基板、第一次镭射前处理、第一次镭射钻孔、第一次除胶沉铜、第一次填孔电镀、微蚀减铜、研磨、棕化、增厚、第二次镭射前处理、第二次镭射钻孔、第二次除胶沉铜、第二次填孔电镀、外层线路、外层防焊、表面处理、成型得成品载板、成品测试、成品检验和包装出货。通过该加工方法得到的载板介厚即绝缘层的厚度不受限制，满足敏感性元器件对载板刚性的需求。器件对载板刚性的需求。器件对载板刚性的需求。

【技术实现步骤摘要】
具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法


[0001]本申请涉及封装载板，具体涉及一种具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法。

技术介绍

[0002]随着技术的不断发展，对封装基板的布线密度需求越来越高，一种发展趋势是产品薄、尺寸小，从而降低封装空间，增加封装密度；另外一种趋势是载板介质厚，刚性好，满足敏感性元器件对载板刚性的需求。
[0003]随着布线密度越来越高的需求，导通孔逐渐占据了倒装芯片焊盘或引线键合焊盘，这时对孔位处的平整度就存在一定的要求，以满足倒装芯片或引线键合需求；现有工艺中，能满足焊盘上通孔的有三种主流工艺，分别为树脂塞孔即POFV、盲孔填孔电镀以及通孔填孔电镀。POFV的缺点是铜厚受限，一般需铜厚≥25μm，因此无法满足细密线路设计；盲孔填孔电镀的缺点是受限于介厚，目前在封装载板领域，常用介厚≤200μm，如介厚过厚，一方面填孔凹陷问题无法避免，另一方面铜厚难以降低，无法满足细密线路设计；通孔填孔电镀的缺点是，一是介厚受限，二是把通孔塞平的同时铜厚增厚多，为了满足薄铜设计，需要在填孔电镀后增加磨减磨工艺，会导致整本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高纵横比导通孔的封装载板的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：准备基板：装备具有第一绝缘层(11)的基板(10)；第一次镭射前处理：对基板(10)进行前处理以便于后续的镭射钻孔；第一次镭射钻孔：利用镭射的方式在第一绝缘层(11)上钻出通孔(13)；第一次除胶沉铜：去除镭射过程产生的废渣并沉铜形成种子层；第一次填孔电镀：利用电镀方法将通孔(13)中塞满铜；微蚀减铜：使用化学药水对表层铜厚进行微蚀减薄，剩余的铜厚控制在2
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6μm；研磨：将表层铜去除只保留铜塞孔，同时粗化第一绝缘层(11)表面；棕化：粗化塞孔处的铜面，增加铜面与压合绝缘层的结合力，降低信赖性风险；增厚：在第一绝缘层(11)的双面压第二绝缘层(21)，以增加绝缘层的厚度，得到增厚板(20)；第二次镭射前处理：对增厚板(20)进行前处理以便于后续的镭射处理；第二次镭射钻孔：利用镭射的方式在第二绝缘层(21)上钻出盲孔(31)；第二次除胶沉铜：去除镭射过程产生的废渣并沉铜形成种子层；第二次填孔电镀：利用电镀方法将盲孔(31)中塞满铜，得到半成品板(30)；后工序：将半成品板(30)依次经过如下步骤处理：外层线路、外层防焊、表面处理、成型得成品载板(40)、成品测试、成品检验和包装出货；其中，根据成品载板(40)中绝缘层厚度的要求，可重复微蚀减铜步骤至第二次填孔电镀步骤。2.根据权利要求1所述的封装载板的加工方法，其特征在于：在微蚀减铜工艺中：剩余的铜厚控制在2
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3μm；在第二次镭射钻孔工艺中，所述通孔两侧的盲孔(31)沿通孔(13)的中心点呈对称布置，所述第二绝缘层(21)的厚度小于40μm。3.根据权利要求1所述的封装载板的加工方法，其特征在于：当通过第二次填孔电镀制作出半成品板(30)后，对半成品板(30)进行N次以下处理：内层线路、棕化、压合增层、微蚀减铜、镭射开窗、镭射盲孔、镭射钻孔、除胶沉铜和填孔电镀，最后将增层后的半成品板进行后工序处理得到多层的成品载板，其中，N≥1，且N为整数。4.根据权利要求1所述的封装载板的加工方法，其特征在于：在准备基板工艺中，所述基板(10)包括第一绝缘层(11)以及分别设置于所述第一绝缘层(11)正、反两面的第一铜箔层(12)，所述第一铜箔层(12)为普通铜箔层或超薄铜箔层，其中，所述普通铜箔层的厚度为9μm至35μm，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马洪伟，宗芯如，杨飞，姜寿福，
申请(专利权)人：江苏普诺威电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：