一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法技术

本发明专利技术提供一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：场板、P+掺杂区，所述场板包括：设置在P

【技术实现步骤摘要】
一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法。

技术介绍

[0002]现在越来越多沟槽型的功率器件采用深沟槽当作终端，沟槽型终端(Trenched Termination)是一种用于提高功率半导体器件反向耐压性能和可靠性的技术。在许多功率器件中，例如MOSFET、IGBT和高电压二极管等，高电场强度常常会集中在器件的终端层域。这可能导致器件的局部过热、绝缘层击穿以及电荷集中，从而降低器件的反向耐压能力和可靠性。沟槽终端必须使用到刻蚀工艺，刻蚀在沟槽的深处容易发生微沟槽的缺陷，此处又是反向耐压(BV)击穿的地方，所以需要一种技术改变此处电场线分布以提高功率器件的反向耐压能力。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法，该方法能够克服沟槽终端微沟槽缺陷引起BV降低的缺点，通过改变电场线的分布提高反向耐压能力。
[0004]一种通过改进型终本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET，其特征在于，包括：场板、P+掺杂区，所述场板包括：设置在P
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base层上方的第一段场板，由所述第一段场板延伸至沟槽终端中的第二段场板，所述第二段场板改变电场线在介电层的分布；所述P+掺杂区位于所述沟槽终端第二端的N+epi层和N+sub层和介电层三部分的邻接处。2.根据权利要求1所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET，其特征在于，还包括：所述N+epi层设置于所述N+sub层的上方；所述P
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base层设置于所述N+epi层的上方；所述N+epi蚀刻所述沟槽终端；所述介电层填充所述沟槽终端，所述介电层包覆所述第二段场板。3.根据权利要求1所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET，其特征在于，所述P+掺杂区的宽度小于沟槽终端宽度的4.根据权利要求1所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET，其特征在于，所述场板为U型或者V型。5.一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：设置场板；所述场板包括：设置在P
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base层上方的第一段场板，由所述第一段场板延伸至沟槽终端中的第二段场板，所述第二段场板改变电场线在介电层的分布；设置P+掺杂区，在沟槽终端第二端的N+epi层和N+sub层和介电层三部分的邻接处掺杂。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：