阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法，属于OLED发光技术领域。阳极结构包括硅基板、像素阳极层、PDL层和反射层，所述像素阳极层设置于所述硅基板上，所述PDL层的下端部设置于所述像素阳极层的凹槽内，所述PDL层的上端部相对所述像素阳极层伸出所述凹槽，所述反射层呈梯形结构，且所述反射层设置于所述PDL层的上端部上，OLED发光层设置于所述像素阳极层上且位于相邻两个所述反射层之间。本发明专利技术的器件发光时，光路会从各种方向射出，当经过反射层材料时，会在反射层两侧的反射面进行全反射，进而使得该部分光从上方发出，进而增加器件亮度。进而增加器件亮度。进而增加器件亮度。

【技术实现步骤摘要】
阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法


[0001]本专利技术涉及OLED发光
，尤其涉及一种阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法。

技术介绍

[0002]OLED(OrganicLightEmitting，有机发光二极管)具有自发光，低功耗，全固态，视角广，高色域，响应时间短等诸多优点，广泛应用于显示屏制造行业，被认为是极具潜力的下一代显示技术。硅基OLED微显示器是一种将主动型发光OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，被称为下一代显示技术的黑马。硅基OLED微显示器兼具体积小，重量轻，高分辨率，高亮度，高精度等优势，可广泛应用于头盔、枪瞄，夜视仪中，在AR/VR等近眼显示器的应用前景也非常广阔。
[0003]目前硅基OLED微显示屏彩色化采用白光(WOLED)加彩色滤光片(Color filter，简称CF)的方案实现彩色化，但是由于滤光片透过率较低，导致最终亮度偏低。
[0004]为此，亟需提供一种阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法，使OLED发光层发出的更多光线向上发出，提高器件亮度。
[0006]为实现上述目的，提供以下技术方案：
[0007]阳极结构，包括硅基板、像素阳极层、PDL层和反射层，所述像素阳极层设置于所述硅基板上，所述PDL层的下端部设置于所述像素阳极层的凹槽内，所述PDL层的上端部相对所述像素阳极层伸出所述凹槽，所述反射层呈梯形结构，且所述反射层设置于所述PDL层的上端部上，OLED发光层设置于所述像素阳极层上且位于相邻两个所述反射层之间。
[0008]作为阳极结构的可选方案，所述PDL层的上端部的表面为弧形面，所述反射层设置于所述弧形面上。
[0009]作为阳极结构的可选方案，所述反射层的厚度不超过所述OLED器件的厚度。
[0010]作为阳极结构的可选方案，所述反射层的水平横截面积不大于所述PDL层上端部的水平横截面积。
[0011]OLED器件，包括封装层、滤光层和如权利要求1
‑
4任一项所述的阳极结构，所述封装层设置于所述阳极结构的OLED发光层上，所述滤光层设置于所述封装层上。
[0012]阳极结构制备方法，用于制作如上任一项所述的阳极结构，包括以下步骤：
[0013]S1、在硅基板上物理气相沉积三层阳极金属形成像素阳极层；
[0014]S2、旋涂光刻胶，曝光显影蚀刻去胶后，在所述阳极金属层上形成凹槽；
[0015]S3、化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，CVD)制备PDL层，旋涂光刻胶，曝光显影蚀刻去胶，所述PDL层的下端部填充所述凹槽；
[0016]S4、物理气相沉积(Physicalvapordeposition，PVD)反射膜层，旋涂光刻胶，曝光
显影蚀刻去胶，在所述PDL层的上端部形成梯形结构的反射层。
[0017]作为阳极结构制备方法的可选方案，在所述步骤S3中，还包括：
[0018]S31、旋涂一层光刻胶，曝光显影在所述PDL层的上端部留下预设长度的光刻胶，蚀刻无光刻胶部分的所述PDL层；
[0019]S32、循环多次所述步骤S31，直至所述PDL层的上端部形成弧形面。
[0020]作为阳极结构制备方法的可选方案，在所述步骤S32中，每次所述步骤S31中留下的光刻胶预设长度逐次减小。
[0021]作为阳极结构制备方法的可选方案，在所述步骤S32中，循环二次所述步骤S31。
[0022]作为阳极结构制备方法的可选方案，所述PDL层的材质为金属铝、金属银或金属钛。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的有益效果：
[0024]本专利技术所提供的阳极结构，从下到上依次设置硅基板、像素阳极层、PDL层和反射层，PDL层的下端部位于像素阳极层的凹槽内，PDL层的上端部相对像素阳极层凸出，在凸出的部分上设置反射层，由于像素阳极层的其他区域(即非凹槽的区域)设置有OLED发光层，每段OLED发光层位于相邻两个反射层之间。在阳极上制备OLED器件后，器件发光，光路会从各种方向射出，当经过反射层材料时，会在反射层两侧的反射面进行全反射，进而使得该部分光从上方发出，进而增加器件亮度，同时如果没有反射层，该部分光会斜着发射进入临边像素上方的滤光层，进而影响本身像素的CIE纯度。
[0025]本专利技术所提供的OLED器件，在PDL层的上端部相对像素阳极层凸出，在凸出的部分上设置反射层，由于像素阳极层的其他区域(即非凹槽的区域)设置有OLED发光层，每段OLED发光层位于相邻两个反射层之间，光路会从各种方向射出，当经过反射层材料时，会在反射层两侧的反射面进行全反射，进而使得该部分光从上方发出，进而增加器件亮度。
[0026]本专利技术所提供的阳极结构制备方法，在PDL层的上端部设置反射层，OLED发光层的斜向光线通过反射层两侧的反射面进行全反射，提高了器件亮度。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例中阳极结构的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例中OLED发光层安装到阳极结构的示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例中OLED器件的示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例中阳极结构具体的制备工艺流程。
[0032]阳极结构制备方法。
[0033]附图标记：
[0034]1、硅基板；2、像素阳极层；3、PDL层；4、反射层；5、OLED发光层；6、封装层；7、滤光层；8、光刻胶；
[0035]21、凹槽；22、阳极金属；
[0036]41、反射面。
具体实施方式
[0037]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0038]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0040本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.阳极结构，其特征在于，包括硅基板(1)、像素阳极层(2)、PDL层(3)和反射层(4)，所述像素阳极层(2)设置于所述硅基板(1)上，所述PDL层(3)的下端部设置于所述像素阳极层(2)的凹槽(21)内，所述PDL层(3)的上端部相对所述像素阳极层(2)伸出所述凹槽(21)，所述反射层(4)呈梯形结构，且所述反射层(4)设置于所述PDL层(3)的上端部上，OLED发光层(5)设置于所述像素阳极层(2)上且位于相邻两个所述反射层(4)之间。2.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述PDL层(3)的上端部的表面为弧形面，所述反射层(4)设置于所述弧形面上。3.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述反射层(4)的厚度不超过所述OLED器件的厚度。4.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述反射层(4)的水平横截面积不大于所述PDL层(3)上端部的水平横截面积。5.OLED器件，其特征在于，包括封装层(6)、滤光层(7)和如权利要求1
‑
4任一项所述的阳极结构，所述封装层(6)设置于所述阳极结构的OLED发光层(5)上，所述滤光层(7)设置于所述封装层(6)上。6.阳极结构制备方法，其特征在于，用于制作如根据权利要求1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卫卫，周文斌，程保龙，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山工研院半导体显示研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：