硅基OLED器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术属于硅基OLED微显示技术领域，公开了一种硅基OLED器件结构及其制备方法。该硅基OLED器件结构包括基板、阳极膜层、发光层和阴极膜层，阳极膜层蒸镀于基板上；发光层包括蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层，红光发光层设于蓝光发光层上，绿光发光层设于红光发光层上，蓝光发光层由新型蓝光材料制成，红光发光层由新型红光材料制成，绿光发光层由新型绿光材料制成，新型蓝光材料、新型红光材料和新型绿光材料均包括C、H、O、N、Ir、Pt中的一种或几种的混合物；阴极膜层设于绿光发光层上。本发明专利技术提供的硅基OLED器件结构，能有效降低硅基OLED器件结构衰减速度，实现寿命提升。实现寿命提升。实现寿命提升。

【技术实现步骤摘要】
硅基OLED器件结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及硅基OLED微显示
，尤其涉及硅基OLED器件结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)具有工作电压低，发热量低，面板薄且可以做柔性等优点，因此得到广泛应用，尤其是在照明及显示领域。硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺，使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品，因此受到广泛关注。近年来，白光OLED应用较多，白光OLED的发光层通常由两种及两种以上光色互补的发光材料组成(例如B+Y，B+G+R等)，其在VR(Virtual Reality，虚拟现实)和AR(Augmented Reality，增强现实)领域得到很好的应用。
[0003]目前硅基芯片主要依赖半导体代工厂来进行生产，芯片设计的主要驱动方式是电压驱动，而OLED器件的驱动方式为电流驱动，因此，芯片搭配OLED器件进行电压驱动点亮时，容易导致器件衰减过快，尤其是蓝光衰减速度，最终影响产品寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硅基OLED器件结构及其制备方法，旨在降低硅基OLED器件结构衰减速度，实现寿命提升。
[0005]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]硅基OLED器件结构，包括：
[0007]基板；
[0008]阳极膜层，蒸镀于所述基板上；
[0009]发光层，包括蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层，所述蓝光发光层设于所述阳极膜层上，所述红光发光层设于所述蓝光发光层上，所述绿光发光层设于所述红光发光层上，所述蓝光发光层由新型蓝光材料制成，所述红光发光层由新型红光材料制成，所述绿光发光层由新型绿光材料制成，所述新型蓝光材料、所述新型红光材料和所述新型绿光材料均包括C、H、O、N、Ir、Pt中的一种或几种的混合物；
[0010]阴极膜层，设于所述绿光发光层上。
[0011]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括空穴传输层，所述空穴传输层设于所述阳极膜层和所述蓝光发光层之间。
[0012]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层设于所述空穴传输层和所述蓝光发光层之间。
[0013]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括空穴注入层，所述空穴注入层设于所述阳极膜层和所述空穴传输层之间。
[0014]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设于所述绿
光发光层和所述阴极膜层之间。
[0015]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括电子传输层，所述电子传输层设于所述空穴阻挡层和所述阴极膜层之间。
[0016]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括光提取层，所述光提取层设于所述阴极膜层上。
[0017]可选地，所述硅基OLED器件结构还包括蒸镀中间层，所述蒸镀中间层设于所述蓝光发光层和所述红光发光层之间。
[0018]硅基OLED器件结构的制备方法，基于上述任一方案所述的硅基OLED器件结构，包括：
[0019]提供一所述基板；
[0020]在所述基板上蒸镀形成所述阳极膜层；
[0021]在所述阳极膜层上依次蒸镀形成所述蓝光发光层、所述红光发光层和所述绿光发光层；
[0022]在所述绿光发光层上蒸镀形成所述阴极膜层。
[0023]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的硅基OLED器件结构，蓝光发光层设于阳极膜层上，红光发光层设于蓝光发光层上，绿光发光层设于红光发光层上，蓝光发光层由新型蓝光材料制成，红光发光层由新型红光材料制成，绿光发光层由新型绿光材料制成，新型蓝光材料、新型红光材料和新型绿光材料均包括C、H、O、N、Ir、Pt中的一种或几种的混合物，新型蓝光材料、新型红光材料和新型绿光材料在恒流测试时，电压随测试时间呈现缓慢下降的趋势，则在电压驱动下，该硅基OLED器件结构持续点亮，电压不变时，新型蓝光材料、新型红光材料和新型绿光材料的电流缓慢上升，从而减少硅基OLED器件结构衰减，实现寿命提升。
[0024]本专利技术提供的硅基OLED器件结构的制备方法，在阳极膜层依次蒸镀制备蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层，工艺简单，提高了蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层的制备效率。
附图说明
[0025]图1是本专利技术实施例提供的硅基OLED器件结构的示意图。
[0026]图中：
[0027]100、阳极膜层；210、蓝光发光层；220、红光发光层；230、绿光发光层；300、阴极膜层；400、空穴传输层；500、电子阻挡层；600、空穴阻挡层；700、电子传输层；800、蒸镀中间层。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0029]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连
通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0030]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0031]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0032]本实施例提供了一种硅基OLED器件结构，该硅基OLED器件结构能够有效减少硅基OLED器件的衰退，提高硅基OLED器件的寿命。
[0033]具体地，如图1所示，该硅基OLED器件结构包括基板、阳极膜层100、发光层和阴极膜层300，阳极膜层100蒸镀于基板上；发光层包括蓝光发光层210、红光发光层220和绿光发光层230本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅基OLED器件结构，其特征在于，包括：基板；阳极膜层(100)，蒸镀于所述基板上；发光层，包括蓝光发光层(210)、红光发光层(220)和绿光发光层(230)，所述蓝光发光层(210)设于所述阳极膜层(100)上，所述红光发光层(220)设于所述蓝光发光层(210)上，所述绿光发光层(230)设于所述红光发光层(220)上，所述蓝光发光层(210)由新型蓝光材料制成，所述红光发光层(220)由新型红光材料制成，所述绿光发光层(230)由新型绿光材料制成，所述新型蓝光材料、所述新型红光材料和所述新型绿光材料均包括C、H、O、N、Ir、Pt中的一种或几种的混合物；阴极膜层(300)，设于所述绿光发光层(230)上。2.根据权利要求1所述的硅基OLED器件结构，其特征在于，所述硅基OLED器件结构还包括空穴传输层(400)，所述空穴传输层(400)设于所述阳极膜层(100)和所述蓝光发光层(210)之间。3.根据权利要求2所述的硅基OLED器件结构，其特征在于，所述硅基OLED器件结构还包括电子阻挡层(500)，所述电子阻挡层(500)设于所述空穴传输层(400)和所述蓝光发光层(210)之间。4.根据权利要求2所述的硅基OLED器件结构，其特征在于，所述硅基OLED器件结构还包括空穴注入层，所述空穴注入层设于所述阳极膜层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卫卫，李高敏，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山工研院半导体显示研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：