蓝光像素单元及显示面板制造技术

本实施例提供的蓝光像素单元及显示面板，涉及显示技术领域。在蓝光像素单元中，蓝光像素发光材料层包括磷光发光材料层和荧光发光材料层，荧光发光材料层靠近阳极设置，磷光发光材料层靠近阴极设置，如此设计可以在荧光发光材料层形成三线态

【技术实现步骤摘要】
蓝光像素单元及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体而言，涉及一种蓝光像素单元及显示面板。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)显示面板由于轻薄、柔性、高对比度、宽色域等优点已逐渐在小尺寸显示面板领域占据一席之地。然而基于RGB(红、绿及蓝)三色像素排布的OLED显示面板存在蓝光发光效率低的问题，如何提高蓝光发光效率成为本领域技术人员急需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种蓝光像素单元及显示面板。
[0004]本申请的第一方面，提供一种蓝光像素单元，包括：
[0005]阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的蓝光像素发光材料层；
[0006]所述蓝光像素发光材料层包括由磷光客体掺杂的磷光发光材料层和由荧光客体掺杂的荧光发光材料层，所述磷光发光材料层和所述荧光发光材料层层叠设置，其中，所述荧光发光材料层靠近所述阳极设置，所述磷光发光材料层靠近所述阴极设置。
[0007]上述结构，可以在荧光发光材料层形成三线态
‑
三线态湮灭(Triplet
‑
Triplet Annihilation，TTA)效应，将三线态激子转换成能被荧光客体利用的单线态激子，从而提高荧光发光材料层的发光效率，提高蓝光像素单元的整体发光效率。另外，上述结构可通过三线态
‑
三线态湮灭效应形成大量可被荧光客体利用的单线态激子，无需较大的空穴和电子注入势垒，可以起到降低蓝光像素单元功耗的目的。
[0008]在本申请的一种可能实施例中，所述蓝光像素发光材料层还包括由磷光客体和所述荧光客体共同掺杂形成的共掺杂发光材料层；
[0009]所述共掺杂发光材料层位于所述磷光发光材料层和所述荧光发光材料层的交界位置处。
[0010]三线态
‑
三线态湮灭效应会发生在荧光发光材料层中，三线态激子湮灭形成的大部分单态激子可以被荧光客体利用用于发光，剩余的少部分单态激子可以被磷光客体利用用于发光，如此可以提高蓝光像素单元的整体发光效率。
[0011]在本申请的一种可能实施例中，所述荧光发光材料层的厚度占所述蓝光像素发光材料层的厚度的10％～50％，所述共掺杂发光材料层的厚度占所述蓝光像素发光材料层的厚度的1％～50％，其中，所述共掺杂发光材料层的厚度小于所述荧光发光材料层的厚度。如此设计可以使得荧光发光材料层的发光更靠近阳极，而磷光发光材料层的发光更靠近阴极。
[0012]在本申请的一种可能实施例中，所述磷光发光材料层的主体材料和荧光发光材料层的主体材料相同。采用相同的主体材料可以方便磷光客体和荧光客体共同掺杂到主体材
料中形成共掺杂发光材料层。
[0013]在本申请的一种可能实施例中，所述磷光客体的激发态能量与所述荧光客体的激发态能量相同，所述磷光客体的激发态能量和所述荧光客体的激发态能量小于所述主体材料的激发态能量；
[0014]优选的，所述磷光客体的LUMO能级和所述主体材料的LUMO能级差值小于0.5eV。如此可以通过控制磷光客体和荧光客体发光而主体材料不发光，确保蓝光像素单元发光的均匀性。
[0015]在本申请的一种可能实施例中，所述荧光客体的掺杂比为1～5％，所述磷光客体的掺杂比为1
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10％。
[0016]在本申请的一种可能实施例中，所述磷光客体和所述荧光客体对电子的传输性能优于对空穴的传输性能；
[0017]所述主体材料电子的传输性能优于对空穴的传输性能。
[0018]如此设计，客体材料和主体材料的配合可以使得空穴和电子的复合区位置靠近阳极，空穴和电子复合形成的激子在靠近阳极的位置浓度高，在靠近阴极的位置浓度低，由于磷光发光材料层靠近阴极，可以使得较少的激子会被磷光发光材料层中的磷光客体利用，可以保证磷光客体的使用寿命，从而确保整个蓝光像素单元具有较长的使用寿命。
[0019]在本申请的一种可能实施例中，所述磷光客体包括N
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杂环卡宾类蓝光四齿铂(II)配合物、吡唑类蓝光四齿铂(II)配合物及咪唑类蓝光四齿铂(II)配合物中的至少一种，所述荧光客体包括BN共振型荧光发光材料，所述主体材料包括蒽类衍生物。
[0020]在本申请的一种可能实施例中，还包括：
[0021]电子阻挡层及空穴阻挡层；
[0022]所述电子阻挡层位于所述阳极与所述荧光发光材料层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极与所述磷光发光材料层之间。
[0023]本申请的第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面中任意中可能实施例中的蓝光像素单元。
[0024]相对于现有技术，在本实施例提供的蓝光像素单元中，蓝光像素发光材料层包括磷光发光材料层和荧光发光材料层，荧光发光材料层靠近阳极设置，磷光发光材料层靠近阴极设置，如此设计可以在荧光发光材料层形成三线态
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三线态湮灭(Triplet
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Triplet Annihilation，TTA)效应，将三线态激子转换成能被荧光客体利用的单线态激子，从而提高荧光发光材料层的发光效率，提高蓝光像素单元的整体发光效率。另外，上述结构可通过三线态
‑
三线态湮灭效应形成大量可被荧光客体利用的单线态激子，无需较大的空穴和电子注入势垒，可以起到降低蓝光像素单元功耗的目的。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0026]图1示例了本实施例提供的蓝光像素单元的一种膜层结构示意图；
[0027]图2示例了本实施例提供的蓝光像素单元的另一种膜层结构示意图；
[0028]图3
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4示例了本实施例提供的磷光客体材料的化学结构式；
[0029]图5示例了本实施例提供的荧光客体材料的化学结构式；
[0030]图6示例了本实施例提供的主体材料的化学结构式；
[0031]图7示例了本实施例提供的蓝光像素单元的又一种膜层结构示意图。
[0032]图标：10
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蓝光像素单元；110
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阳极；120
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阴极；130
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蓝光像素发光材料层；1301
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荧光发光材料层；1302
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磷光发光材料层；1303
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共掺杂发光材料层；1401
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电子阻挡层；1402
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空穴注入层；1403
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空穴传输层；1501
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蓝光像素单元，其特征在于，包括：阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的蓝光像素发光材料层；所述蓝光像素发光材料层包括由磷光客体掺杂的磷光发光材料层和由荧光客体掺杂的荧光发光材料层，所述磷光发光材料层和所述荧光发光材料层层叠设置，其中，所述荧光发光材料层靠近所述阳极设置，所述磷光发光材料层靠近所述阴极设置。2.如权利要求1所述的蓝光像素单元，其特征在于：所述蓝光像素发光材料层还包括由磷光客体和所述荧光客体共同掺杂形成的共掺杂发光材料层；所述共掺杂发光材料层位于所述磷光发光材料层和所述荧光发光材料层的交界位置处。3.如权利要求2所述的蓝光像素单元，其特征在于，所述荧光发光材料层的厚度占所述蓝光像素发光材料层的厚度的10％～50％，所述共掺杂发光材料层的厚度占所述蓝光像素发光材料层的厚度的1％～50％，其中，所述共掺杂发光材料层的厚度小于所述荧光发光材料层的厚度。4.如权利要求2所述的蓝光像素单元，其特征在于，所述磷光发光材料层的主体材料和荧光发光材料层的主体材料相同。5.如权利要求4所述的蓝光像素单元，其特征在于，所述磷光客体的激发态能量与所述荧光客体的激发态能量相同，所述磷光客体的激发态能量和所述荧光客体的激发态能量小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彬，李梦真，赵伟，刘俊，逄辉，李宝雨，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：