【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于oled阳极结构制备，具体涉及一种图案化阳极及其制备工艺和应用。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，新型显示产品层出不穷。其中，有机发光显示面板凭借其反应速度快、对比度高、视角宽度广等优点被认定为下一代最具潜力的显示面板。
2、cn108539049a公开了一种oled产品的制作方法和oled产品。所述制作方法包括：步骤1：提供一ito基板；步骤2：对所述ito基板上的第一ito层进行刻蚀，制作阳极图案，形成ito阳极层；步骤3：在所述ito阳极层上制作mo合金层，在所述ito基板的另一面上制作第二ito层；步骤4：采用ito刻蚀液对所述第二ito层进行刻蚀，制作第一触摸图案，形成第一ito触摸层；步骤5：采用mo刻蚀液去除所述mo合金层；步骤6：依次在所述ito阳极层上制作oled功能层和金属阴极层。
3、cn109524575a公开了一种oled显示面板的制作方法，包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板和薄膜晶体管阵列；在所述阵列基板上依次形成第一ito层、反射层、第二ito层，其中，所述第二ito层的膜层厚度大于所述第一ito层的膜层厚度；在所述第二ito层上形成图案化的光刻胶；利用同一道刻蚀工艺对所述第二ito层、反射层、第一ito层进行刻蚀，以形成图案化的阳极层；在所述阳极层上制备oled发光层。
4、由上述内容可知，在制备oled产品的过程中，需要对阳极层进行刻蚀，形成图案化阳极，同样，硅基oled在阳极段，需要将氧化硅膜层上方的金属膜层进行黄光图案化后，再经过
5、因此，如何提供一种oled阳极金属层的刻蚀方法，以得到具有适宜刻蚀角度，避免氧化硅层的损失，进而可避免后续制备得到的阴极在此处断裂问题的发生，使阴极披覆效果较好，最终制备得到良率较高的oled产品。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种图案化阳极及其制备工艺和应用。本专利技术中，通过对图案化阳极的制备工艺进行设计，进一步通过对金属层分步刻蚀的方法，避免了氧化硅层的损失，同时保证了后续可制备得到连续阴极，提高了oled器件的良率。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种图案化阳极的制备工艺，所述制备工艺包括如下步骤：
4、对氧化硅层一侧的金属层依次进行第一次刻蚀和第二次刻蚀，形成图案化金属层，得到所述图案化阳极。
5、现有技术中，对氧化硅一侧的金属层进行刻蚀，形成图案化金属层的过程中，难以控制刻蚀的程度，通常会造成过度刻蚀，氧化硅层存在under cut现象，导致阴极已在此处发生断裂，使得oled器件的良率较低；或者对于金属层的刻蚀角度过大，也会造成阴极的断裂，无法制备得到连续的阴极，使得oled器件的良率较低。
6、本专利技术中，通过对图案化阳极的制备工艺进行设计，进一步通过对金属层分步刻蚀的方法，避免了氧化硅层的损失，同时使得金属层具有适宜的刻蚀角度，保证后续可制备得到连续的阴极，提高了硅基oled器件的良率。
7、需要说明的是，本专利技术中，刻蚀角度是指平行于氧化硅层的水平面与被刻蚀的金属层之间的夹角。
8、以下作为本专利技术的优选技术方案，但不作为对本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本专利技术的目的和有益效果。
9、作为本专利技术的优选技术方案，所述第一次刻蚀使用的混合气体1包括cl基气体。
10、优选地，所述cl基气体选自cl2、hcl或bcl3中的任意一种或至少两种的组合。
11、优选地，所述cl基气体的流量为6～10sccm，例如可以是6sccm、6.5sccm、7sccm、7.5sccm、8sccm、8.5sccm、9sccm、9.5sccm或10sccm等。
12、优选地，所述混合气体1还包括n2和ar。
13、优选地，所述n2的流量为19～21sccm，例如可以是19sccm、19.2sccm、19.5sccm、19.8sccm、20sccm、20.2sccm、20.5sccm、20.7sccm或21sccm等。
14、优选地，所述ar的流量为54～66sccm，例如可以是54sccm、55sccm、56sccm、57sccm、58sccm、59sccm、60sccm、61sccm、62sccm、63sccm、64sccm、65sccm或66sccm等。
15、作为本专利技术的优选技术方案，所述第一次刻蚀的温度为55～65℃，例如可以是55℃、56℃、57℃、58℃、59℃、60℃、61℃、62℃、63℃、64℃或55℃等。
16、优选地，所述第一次刻蚀的时间为85s～95s，例如可以是85s、86s、87s、88s、89s、90s、91s、92s、93s、94s或95s等。
17、优选地，所述第一次刻蚀的tcp功率为450～550w，例如可以是450w、460w、470w、480w、490w、500w、510w、520w、530w、540w或550w等。
18、优选地，所述第一次刻蚀的bias功率为270～330w，例如可以是270w、280w、290w、300w、310w、320w或33w等。
19、优选地，所述第一次刻蚀的刻蚀角度为10°～30°，例如可以是10°、12°、14°、16°、18°、20°、22°、24°、26°、28°或30°等。
20、作为本专利技术的优选技术方案，所述第二次刻蚀使用的混合气体2包括cl基气体。
21、优选地，所述cl基气体选自cl2、hcl或bcl3中的任意一种或至少两种的组合。
22、优选地，所述cl基气体的流量为11～20sccm，例如可以是11sccm、12sccm、13sccm、14sccm、15sccm、16sccm、17sccm、18sccm、19sccm或20sccm等。
23、优选地，所述混合气体2还包括n2和ar。
24、优选地，所述n2的流量为19～21sccm，例如可以是19sccm、19.2sccm、19.5sccm、19.8sccm、20sccm、20.2sccm、20.5sccm、20.7sccm或21sccm等。
25、优选地，所述ar的流量为54～66sccm，例如可以是54sccm、55sccm、56sccm、57sccm、58sccm、59sccm、60sccm、61sccm、62sccm、63sccm、64sccm、65sccm或本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种图案化阳极的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第一次刻蚀使用的混合气体1包括Cl基气体；
3.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于，所述第一次刻蚀的温度为55～65℃；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述第二次刻蚀使用的混合气体2包括Cl基气体；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述第二次刻蚀的温度为55～65℃；
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述图案化金属层的刻蚀角度为30～45°。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备工艺，其特征在于，进行所述第一次刻蚀前还包括预处理的步骤；
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺具体包括如下步骤：
9.一种如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的图案化阳极，其特征在于，所述图案化阳极包括相贴合的氧化硅层和图案化金属层；
10.一种硅基OLE
...【技术特征摘要】
1.一种图案化阳极的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第一次刻蚀使用的混合气体1包括cl基气体；
3.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于，所述第一次刻蚀的温度为55～65℃；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述第二次刻蚀使用的混合气体2包括cl基气体；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述第二次刻蚀的温度为55～65℃；
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备工...
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，梁磊，卢青，周文斌，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山工研院半导体显示研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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