本发明专利技术提供了一种Bipolar工业基准电源芯片，通过将第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容以及第二电容巧妙设计为一种三端可调分流调节器，创造性地实现了：当第一晶体管的基极用于输入第一基准电压时，Bipolar工业基准电源芯片可以保证控制端与第一电压输入端之间的电压稳定。可见，本发明专利技术提供的技术方案，可以提供更好的稳定性、更低的温度漂移和更低的基准电流，进而提高系统精度。进而提高系统精度。进而提高系统精度。
【技术实现步骤摘要】
一种Bipolar工业基准电源芯片、电路以及电子设备
[0001]本专利技术属于集成电路
，尤其涉及一种Bipolar工业基准电源芯片、电路以及电子设备。
技术介绍
[0002]产生多相交流电流(AC)电力的新能源电源已在本领域已熟知，存在有将AC电力转化为直流(DC)电力的方法，用于需要DC电源的应用。当从AC转化到DC时，经常产生高于DC负载能够处理的DC电压。当这种情况发生时，使用分流调节器(shunt regulator)来减少负载承受(seen by the load)的电力。
[0003]分流调节器通过“分流”部分AC电流到中性线路来运行。在部分AC电流周期中，这种短接电路处于整流器部分之外。一种典型的分流调节器将在足够高的频率下在分流和不分流之间交替，以便直流整流器的响应时间使得DC输出功率在期望水平下大致恒定。当输入电压增大，输出电压增大导致了输出采样增大，这时内部电路通过调整使得流过自身的电流增大，这也就使得流过限流的电路增大，这样限流电阻的压降增大，而输出电压等于输入电压减限流电阻压降增大使得输出电压减小，实现稳压。
[0004]在现有分流调节器的设计中存在一些缺点，比如精度较低，且量程越大精度下降越大；在高频条件下，测量精度受影响大；大电流环境下，产品发热量大，功率消耗较大。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供了一种Bipolar工业基准电源芯片、电路以及电子设备，以解决现有的Bipolar工业基准电源芯片中存在的控制端与电压输入端之间的电压不稳定的问题。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供了一种Bipolar工业基准电源芯片，包括：
[0007]第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容以及第二电容；
[0008]所述第一晶体管的基极用于输入第一基准电压；所述第一晶体管的集电极连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端连接所述第二晶体管的发射极；所述第二晶体管的基极连接所述第三晶体管的基极；所述第二晶体管的基极连接所述第二晶体管的集电极；所述第三晶体管的发射极连接所述第二电阻的第一端；所述第二电阻的第二端连接所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一端；
[0009]所述第三晶体管的集电极连接所述第一电容的第二端、所述第十三晶体管的集电极、所述第十二晶体管的集电极以及所述第五晶体管的基极；所述第四晶体管的发射极连接所述第一晶体管的基极；所述第四晶体管的集电极连接所述第三晶体管的集电极；所述第四晶体管的集电极连接所述第四晶体管的基极；所述第五晶体管的发射极连接所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端连接所述第六晶体管的基极与所述第四电阻的第一
端；所述第四电阻的第二端连接所述第六晶体管的发射极；所述第六晶体管的集电极连接所述第五晶体管的集电极与所述第七晶体管的集电极；所述第七晶体管的发射极连接所述第四电阻的第二端；所述第七晶体管的基极连接所述第七晶体管的发射极；所述第五晶体管的集电极连接所述第一电容的第一端；所述第四电阻的第二端还连接所述第十三晶体管的发射极；所述第十三晶体管的发射极连接所述第十二晶体管的发射极；所述第十三晶体管的基极连接所述第十三晶体管的发射极；
[0010]所述第十二晶体管的基极连接所述第十电阻的第一端；
[0011]所述第二晶体管的集电极连接所述第八晶体管的集电极；所述第八晶体管的发射极连接所述第六电阻的第一端；所述第六电阻的第二端连接所述第九晶体管的集电极；所述第二电容的第一端与所述第二电容的第二端分别连接于所述第九晶体管的集电极与基极；所述第一晶体管的发射极连接所述第八晶体管的基极与所述第五电阻的第一端；所述第五电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端与所述第八电阻的第一端；所述第八电阻的第二端连接所述第十一晶体管的集电极；所述第十一晶体管的发射极连接所述第九电阻的第一端；所述第八电阻的第二端连接所述第九晶体管的基极；所述第七电阻的第二端连接所述第十晶体管的集电极；所述第十晶体管的集电极连接所述第十晶体管的基极；所述第十晶体管的基极还连接所述第十一晶体管的基极；
[0012]所述第十晶体管的基极与所述第十一晶体管的基极之间的结点连接所述第十电阻的第二端；所述第十晶体管的发射极连接所述第九电阻的第二端、所述第九晶体管的发射极以及所述第十二晶体管的发射极；所述第十晶体管的发射极接地；所述第一晶体管的集电极、所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻、所述第五电阻、所述第六电阻、所述第七电阻、所述第八电阻、所述第九电阻以及所述第十电阻的中位端均连接控制端；
[0013]所述Bipolar工业基准电源芯片用于控制所述控制端与第一电压输入端之间的电压稳定；其中，所述第一电压输入端用于输入所述第一基准电压。
[0014]可选的，当在所述第一电压输入端输入5～36V的电压时，经过一1KΩ的电阻，通过所述第一晶体管的基极进入所述Bipolar工业基准电源芯片中后，Bipolar工业基准电源芯片用于使得所述控制端和所述第一电压输入端之间的电压稳定在2.5V。
[0015]可选的，所述第一晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管、所述第十二晶体管、所述第十三晶体管为NPN型三极管；所述第二晶体管与所述第三晶体管为PNP型三极管。
[0016]根据本专利技术的第二方面，提供了一种Bipolar工业基准电源电路，包括本专利技术第一方面的任一项所述的Bipolar工业基准电源芯片；所述Bipolar工业基准电源电路还包括：
[0017]第十一电阻；所述第十一电阻的第一端连接所述第一电压输入端；所述第十一电阻的第二端用于输入所述第一输入电压。
[0018]可选的，所述第十一电阻的阻值为1KΩ。
[0019]可选的，当所述第一基准电压为5～36V时，其中，所述Bipolar工业基准电源芯片用于控制所述控制端与所述第一电压输入端之间的电压稳定在2.5V。
[0020]根据本专利技术的第三方面，提供了一种电子设备，包括本专利技术第二方面任一项所述
的Bipolar工业基准电源电路。
[0021]本专利技术提供的一种Bipolar工业基准电源芯片，通过将第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容以及第二电容巧妙设计为一种三端可调分流调节器，创造性地实现了：当所述第一晶体管的基极用于输入第一基准电压时，Bipolar工业基准电源本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Bipolar工业基准电源芯片，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容以及第二电容；所述第一晶体管的基极用于输入第一基准电压；所述第一晶体管的集电极连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端连接所述第二晶体管的发射极；所述第二晶体管的基极连接所述第三晶体管的基极；所述第二晶体管的基极连接所述第二晶体管的集电极；所述第三晶体管的发射极连接所述第二电阻的第一端；所述第二电阻的第二端连接所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一端；所述第三晶体管的集电极连接所述第一电容的第二端、所述第十三晶体管的集电极、所述第十二晶体管的集电极以及所述第五晶体管的基极；所述第四晶体管的发射极连接所述第一晶体管的基极；所述第四晶体管的集电极连接所述第三晶体管的集电极；所述第四晶体管的集电极连接所述第四晶体管的基极；所述第五晶体管的发射极连接所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端连接所述第六晶体管的基极与所述第四电阻的第一端；所述第四电阻的第二端连接所述第六晶体管的发射极；所述第六晶体管的集电极连接所述第五晶体管的集电极与所述第七晶体管的集电极；所述第七晶体管的发射极连接所述第四电阻的第二端；所述第七晶体管的基极连接所述第七晶体管的发射极；所述第五晶体管的集电极连接所述第一电容的第一端；所述第四电阻的第二端还连接所述第十三晶体管的发射极；所述第十三晶体管的发射极连接所述第十二晶体管的发射极；所述第十三晶体管的基极连接所述第十三晶体管的发射极；所述第十二晶体管的基极连接所述第十电阻的第一端；所述第二晶体管的集电极连接所述第八晶体管的集电极；所述第八晶体管的发射极连接所述第六电阻的第一端；所述第六电阻的第二端连接所述第九晶体管的集电极；所述第二电容的第一端与所述第二电容的第二端分别连接于所述第九晶体管的集电极与基极；所述第一晶体管的发射极连接所述第八晶体管的基极与所述第五电阻的第一端；所述第五电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端与所述第八电阻的第一端；所述第八电阻的第二端连接所述第十一晶体管的集电极；所述第十一晶体管的发射极连接所述第九电阻的第一端；所述第八电阻的第二端连接所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张顺琳，池继富，
申请(专利权)人：上海芯稳微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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