LDO调节电路、电源管理芯片及LDO调节方法技术

本申请公开了一种LDO调节电路、电源管理芯片及LDO调节方法，LDO调节电路包括功率管模块、误差放大模块、缓冲器及补偿模块，缓冲器连接于电源端与接地端之间，缓冲器的输入端与误差放大模块的放大输出端连接，缓冲器的输出端与功率管模块连接，缓冲器用于分离主极点和次极点，主极点设置在电压输出端，次极点设置在误差放大模块的放大输出端，补偿模块与误差放大模块的放大输出端连接，补偿模块用于在流过功率管模块的负载电流小于限流阈值时，根据负载电流的大小调整次极点的极点频率。该设计中补偿模块根据负载电流的大小调整次极点的极点频率，以使次极点的极点频率远离主极点的极点频率，从而提高LDO环路的稳定性。从而提高LDO环路的稳定性。从而提高LDO环路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
LDO调节电路、电源管理芯片及LDO调节方法


[0001]本申请涉及低压线性稳压器
，尤其涉及一种LDO调节电路、电源管理芯片及LDO调节方法。

技术介绍

[0002]LDO(低压差线性稳压器，Low Dropout Regulator)可以工作在输入电压与输出电压相差几百毫伏范围内进行线性降压。
[0003]LDO分为全集成和带片外电容两种类型，且针对带片外电容的LDO而言，主极点位置通常设置在电压输出端，次级点位置通常设置在误差放大器的输出端。
[0004]但是相关技术中，在大负载情况下，会造成带片外电容的LDO的主极点频率靠近次极点频率，将导致带片外电容的LDO的稳定性较差，此时若通过增大片外电容的容量来改善LDO的稳定性，一方面会降低环路带宽，另一方面还会提高成本。因此，如何有效提高带片外电容的LDO在大负载情况下的稳定性已成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种LDO调节电路、电源管理芯片及LDO调节方法，能够解决相关技术中带片外电容的LDO在大负载情况下的稳定性差的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDO调节电路，其特征在于，包括：功率管模块，与电源端连接，具有电压输出端，所述电压输出端用于连接外部负载；误差放大模块，连接于所述电源端与接地端之间；缓冲器，连接于所述电源端与所述接地端之间，所述缓冲器的输入端与所述误差放大模块的放大输出端连接，所述缓冲器的输出端与所述功率管模块连接，所述缓冲器用于分离主极点和次极点，所述主极点设置在所述电压输出端，所述次极点设置在所述误差放大模块的放大输出端；补偿模块，与所述误差放大模块的放大输出端连接，所述补偿模块用于在流过所述功率管模块的负载电流小于限流阈值时，根据所述负载电流的大小调整所述次极点的极点频率。2.如权利要求1所述的LDO调节电路，其特征在于，所述补偿模块包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极短接，所述第一PMOS管的源极与所述电源端连接；第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一电阻的第二端与所述误差放大模块的放大输出端连接。3.如权利要求2所述的LDO调节电路，其特征在于，所述补偿模块还包括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极短接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极与所述接地端连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述误差放大模块的放大输出端连接，所述第二NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接。4.如权利要求3所述的LDO调节电路，其特征在于，所述补偿模块还包括：第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二电阻的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接；第一电容，所述第一电容的第一极板与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一电容的第二极板与所述接地端连接。5.如权利要求1
‑
4中任一项所述的LDO调节电路，其特征在于，所述L...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光强，王红义，
申请(专利权)人：拓尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：