一种IGBT电极弯折设备及弯折方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT电极弯折设备及弯折方法，包括：定位底座、支撑插件、中间模板、升降压头、导向部等等。所述定位底座底面固定设置有支撑块，所述定位底座上开设有通行缺口，所述支撑插件与所述通行缺口活动插接，且所述支撑插件位于定位底座内的一端位置形成电极通孔；所述中间模板上开设有弯折缺口，所述升降压头与升降驱动组件连接，所述升降压头的底面固定设置有压块。通过设置有定位底座，使得电机弯折时弯折点的高度与定位底座顶面的高度位置对应，使得弯折点的高度符合要求；并且通过中间模板、定位底座组合形成的电极通孔、弯折缺口能够在电极弯折过程中起到支撑限定作用，确保电极弯折的方向正确。确保电极弯折的方向正确。确保电极弯折的方向正确。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT电极弯折设备及弯折方法


[0001]本专利技术涉及电极弯折设备
，具体涉及一种IGBT电极弯折设备及弯折方法。

技术介绍

[0002]IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT具有驱动功率小而饱和压降低等优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电极、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]IGBT模块在经过胶体灌注和顶盖安装之后，要进行电极折弯，以便于后续模块安装使用。电极折弯要求折弯后各组电极的高度一致、电极表面镀层完好没有划痕。电极折弯的质量对于模块的外观及后续使用有着重要的影响。因此，精确地对各种模块进行折弯是IGBT模块生产中的一道重要工序。
[0004]现有技术是利用电极折弯冲压头对IGBT模块进行电极折弯操作，即利用电极折弯冲压头分别将每个电极折弯压平。但该技术存在的主要缺点是冲压头每次只能折弯一个电极，并且每种冲压头只能折弯相应尺寸的电极，当完成一组电极的折弯后，需要更换冲压头，再对另一组电极折弯，这样一个IGBT模块的各组电极全部折弯需要进行多次操作，折弯效率低下，不利于大规模批量生产。
[0005]公开号为CN103594399B的一件中国专利技术专利公开了一种滚轮式电极折弯装置，包括滚轮结构的滚压部件，通过滚压的方式实现一次弯折多个电极，但是这种方式在折弯的过程中，电极缺乏有效的支撑，电极的折弯点不受控制，也就无法保证折弯后的电极的高度一致。

技术实现思路

[0006]本专利技术所解决的技术问题为：现有技术中在电极弯折时，电极缺乏有效的支撑，电极的折弯点不受控制，也就无法保证折弯后的电极的高度一致。
[0007]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0008]一种IGBT电极弯折设备，包括：
[0009]定位底座，所述定位底座底面固定设置有支撑块，所述定位底座上开设有通行缺口，所述通行缺口的宽度尺寸与电极的直径尺寸匹配；
[0010]支撑插件，所述支撑插件与所述通行缺口活动插接，且所述支撑插件位于定位底座内的一端位置形成电极通孔；
[0011]中间模板，所述中间模板上开设有弯折缺口，所述弯折缺口的一端与电极通孔的位置匹配，另一端与电极弯折的朝向相匹配；
[0012]升降压头，所述升降压头与升降驱动组件连接，所述升降压头的底面固定设置有压块，所述压块与所述弯折缺口匹配；
[0013]导向部，所述导向部固定设置在所述压块对应电极通孔的一端，且所述导向部对应电极弯折方向的一侧面呈弧形。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：所述电极通孔对应电极弯折方向的一侧设置有接触辊柱。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：所述压块的底面开设有弧形槽。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：所述压块外侧设置有接触带。
[0017]作为本专利技术进一步的方案：所述导向部与接触带之间设置有若干滚动柱。
[0018]作为本专利技术进一步的方案：所述压块对应导向部的一端与所述升降压头转动连接，所述压块的另一端与伸缩组件连接。
[0019]作为本专利技术进一步的方案：所述电极通孔的底部设置有喇叭状结构的过渡部。
[0020]作为本专利技术进一步的方案：所述中间模板与所述定位底座之间设置有定位销。
[0021]本专利技术还提供一种IGBT电极弯折的弯折方法，包括如下步骤：
[0022]将IGBT工件固定在工件底座上的指定位置；
[0023]将支撑插件插入至通行缺口内，使得支撑插件与定位底座组成一个整体；
[0024]将组成整体的支撑插件、定位底座放置在IGBT工件上，放置过程保证电极从相应的电极通孔中穿过；
[0025]将中间模板放置在支撑插件、定位底座上，并保证弯折缺口的方向与电极要弯折的方向一致；
[0026]通过升降驱动组件驱动升降压头下降，压块随着升降压头下降直至低位，完成电极的弯折动作后，升降压头上升复位；
[0027]然后将中间模板向上取出，定位底座向通行缺口的反方向移动以脱离支撑插件，然后使得支撑插件脱离IGBT工件上的电极；
[0028]将IGBT工件拆卸下来，完成一个IGBT工件的电极弯折动作。
[0029]根据本专利技术的一种IGBT电极弯折设备及弯折方法，至少具有如下技术效果之一：
[0030]通过设置有定位底座，使得电机弯折时弯折点的高度与定位底座顶面的高度位置对应，使得弯折点的高度符合要求；并且通过中间模板、定位底座组合形成的电极通孔、弯折缺口能够在电极弯折过程中起到支撑限定作用，确保电极弯折的方向正确。解决现有技术中在电极弯折时，电极缺乏有效的支撑，电极的折弯点不受控制，也就无法保证折弯后的电极的高度一致的问题。
[0031]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0032]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0033]图1是本专利技术整体的结构示意图；
[0034]图2是本专利技术分解的结构示意图；
[0035]图3是本专利技术定位底座及支撑插件俯视的结构示意图；
[0036]图4是本专利技术支撑插件的结构示意图；
[0037]图5是本专利技术中间模板俯视的结构示意图；
[0038]图6是本专利技术压块的结构示意图；
[0039]图7是本专利技术另一种实施例的结构示意图。
[0040]图中：1、定位底座；2、支撑块；3、通行缺口；4、支撑插件；5、电极通孔；6、中间模板；7、弯折缺口；8、导向部；9、升降压头；10、压块。
具体实施方式
[0041]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0042]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0043]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0044]请参阅图1
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7所示，本专利技术提供一种IGBT电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT电极弯折设备，其特征在于，包括：定位底座(1)，所述定位底座(1)底面固定设置有支撑块(2)，所述定位底座(1)上开设有通行缺口(3)，所述通行缺口(3)的宽度尺寸与电极的直径尺寸匹配；支撑插件(4)，所述支撑插件(4)与所述通行缺口(3)活动插接，且所述支撑插件(4)位于定位底座(1)内的一端位置形成电极通孔(5)；中间模板(6)，所述中间模板(6)上开设有弯折缺口(7)，所述弯折缺口(7)的一端与电极通孔(5)的位置匹配，另一端与电极弯折的朝向相匹配；升降压头(9)，所述升降压头(9)与升降驱动组件连接，所述升降压头(9)的底面固定设置有压块(10)，所述压块(10)与所述弯折缺口(7)匹配；导向部(8)，所述导向部(8)固定设置在所述压块(10)对应电极通孔(5)的一端，且所述导向部(8)对应电极弯折方向的一侧面呈弧形。2.根据权利要求1所述的一种IGBT电极弯折设备,其特征在于，所述电极通孔(5)对应电极弯折方向的一侧设置有接触辊柱。3.根据权利要求1所述的一种IGBT电极弯折设备,其特征在于，所述压块(10)的底面开设有弧形槽。4.根据权利要求1所述的一种IGBT电极弯折设备,其特征在于，所述压块(10)外侧设置有接触带。5.根据权利要求4所述的一种IGBT电极弯折设备,其特征在于，所述导向部(8)与接触带之间设置有若干滚动柱。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹华，吕娟娟，顾梦甜，许玉颖，
申请(专利权)人：安徽积芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：