射频功率放大器及射频功放模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频功率放大器及射频功放模组，其中，所述射频功率放大器包括依次连接的信号输入端、输入匹配网络、功率放大器以及信号输出端；所述射频功率放大器还包括连接至所述功率放大器的输入端的线性化偏置电路；所述线性化偏置电路包括第一电阻、第一三极管、第二三极管、第一电容、第二电阻、第三三极管以及第三电阻。本实用新型专利技术的射频功率放大器通过在线性化偏置电路中增设与第一电容串联的第二电阻，从而可以使其在提升线性度的前提下，降低该支路对于频率的敏感度，使其适用于宽带电路。适用于宽带电路。适用于宽带电路。

【技术实现步骤摘要】
射频功率放大器及射频功放模组


[0001]本技术涉及射频
，尤其涉及一种射频功率放大器及射频功放模组。

技术介绍

[0002]相关技术中的射频功率放大器主要包含3个晶体管(HBT1、HBT2、HBT3)以及射频主路中功率放大器的功率管(HBT4)，如图3所示。射频功率放大器利用晶体管HBT1和HBT2的温度特性和功率管HBT4的相同特性，当晶体管HBT1和HBT2的基
‑
射级电压降低时，电压V3和V4也会相应的降低，以使功率管HBT4的电流减小到正常值。电阻R2的加入可以使偏置电路的温度稳定性得到进一步提高。晶体管HBT1、HBT2和电阻R1组成的温度补偿电路可以有效抑制功率耗散产生的自热效应导致的直流偏置点的漂移和电流增益坍塌现象。
[0003]另外，当射频信号输入时，会有部分信号泄露到偏置电路中，而晶体管HBT3的基
‑
射级二极管因为整流作用，其基
‑
射级电压会下降，当泄漏的射频信号增大时，功率管HBT4的基
‑
射级电压也会相应的减小，旁路电容C1的设计能将射频信号短路到地，从而保持电压V3不变，这时功率管HBT4的基极电压会升高，以使减小的基
‑
射级电压得到补偿，并使功率管HBT4的偏置点在高功率下保持不变，使增益压缩得到抑制，从而提升线性度。
[0004]虽然相关技术中射频功率放大器的偏置电路能通过旁路电容C1抑制增益压缩以提升线性度，但其旁路电容C1仅仅连接至晶体管HBT3的基极后接地，这会导致该支路对于频率的敏感度相对较高，使其无法适用于宽带电路。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种新的射频功率放大器，以解决相关技术中射频功率放大器的偏置电路对于频率的敏感度相对较高，使其无法适用于宽带电路的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，第一方面，本技术提供了一种射频功率放大器，其包括依次连接的信号输入端、输入匹配网络、功率放大器以及信号输出端；
[0007]所述射频功率放大器还包括连接至所述功率放大器的输入端的线性化偏置电路；所述线性化偏置电路包括第一电阻、第一三极管、第二三极管、第一电容、第二电阻、第三三极管以及第三电阻；
[0008]所述第一电阻的第一端连接至第一电源电压；
[0009]所述第一三极管的集电极连接至所述第一电阻的第二端，所述第一三极管的基极和所述第一三极管的集电极连接；
[0010]所述第二三极管的集电极连接至所述第一三极管的发射极，所述第二三极管的基极和所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极接地；
[0011]所述第一电容的第一端连接至所述第一三极管的基极；
[0012]所述第二电阻的第一端连接至所述第一电容的第二端，所述第二电阻的第二端接地；
[0013]所述第三三极管的基极连接至所述第一三极管的基极，所述第三三极管的集电极
连接至第二电源电压；
[0014]所述第三电阻的第一端连接至所述第三三极管的发射极，所述第三电阻的第二端连接至所述功率放大器的输入端。
[0015]优选的，所述线性化偏置电路还包括第四电阻；所述第四电阻的第一端连接至所述第二三极管的发射极，所述第四电阻的第二端接地。
[0016]优选的，所述线性化偏置电路还包括第二电容；所述第二电容与所述第三电阻并联设置。
[0017]优选的，所述输入匹配网络包括第三电容；所述第三电容的第一端与所述信号输入端连接，所述第三电容的第二端连接至所述功率放大器的输入端。
[0018]优选的，所述功率放大器包括第四三极管；所述第四三极管的基极作为所述功率放大器的输入端，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的集电极连接至所述信号输出端。
[0019]第二方面，本技术提供了一种射频功放模组，所述射频功放模组包括如上所述的射频功率放大器。
[0020]与相关技术相比，本技术的射频功率放大器通过在线性化偏置电路中增设与第一电容串联的第二电阻，从而可以使其在提升线性度的前提下，降低该支路对于频率的敏感度，使其适用于宽带电路。
【附图说明】
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0022]图1为本技术实施例提供的一种射频功率放大器的电路连接示意图；
[0023]图2为本技术实施例提供的一种射频功率放大器中第四三极管的增益随基极电压变化的示意图；
[0024]图3为相关技术提供的一种功率放大器的电路连接示意图。
[0025]其中，100、射频功率放大器；1、线性化偏置电路。
【具体实施方式】
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]本技术实施例提供了一种射频功率放大器100，结合图1所示，其包括依次连接的信号输入端RFin、输入匹配网络、功率放大器以及信号输出端RFout。
[0028]其中，输入匹配网络用于实现信号输入端RFin与功率放大器之间的阻抗匹配；功率放大器用于将信号输入端RFin输入的射频信号进行功率放大。
[0029]本实施例中，输入匹配网络包括第三电容C3；第三电容C3的第一端与信号输入端
RFin连接，第三电容C3的第二端连接至功率放大器的输入端。当然，根据实际需求，输入匹配网络还可以增设与第三电容C3连接其它器件。
[0030]本实施例中，功率放大器包括第四三极管HBT3；第四三极管HBT3的基极作为功率放大器的输入端，第四三极管HBT3的发射极接地，第四三极管HBT3的集电极连接至信号输出端RFout。当然，根据实际需求，功率放大器还可以增设与第四三极管HBT3连接的其它器件。
[0031]具体地，射频功率放大器100还包括连接至功率放大器的输入端的线性化偏置电路1；线性化偏置电路1包括第一电阻R1、第一三极管HBT1、第二三极管HBT2、第一电容C1、第二电阻R2、第三三极管HBT3以及第三电阻R3。
[0032]第一电阻R1的第一端连接至第一电源电压V1。
[0033]第一三极管HBT1的集电极连接至第一电阻R1的第二端，第一三极管HBT1的基极和第一三极管HBT1的集电极连接。
[0034]第二三极管HBT2的集电极连接至第一三极管HBT1的发射极，第二三极管HBT2的基极和第二三极管HBT2的集电极连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其包括依次连接的信号输入端、输入匹配网络、功率放大器以及信号输出端；其特征在于，所述射频功率放大器还包括连接至所述功率放大器的输入端的线性化偏置电路；所述线性化偏置电路包括第一电阻、第一三极管、第二三极管、第一电容、第二电阻、第三三极管以及第三电阻；所述第一电阻的第一端连接至第一电源电压；所述第一三极管的集电极连接至所述第一电阻的第二端，所述第一三极管的基极和所述第一三极管的集电极连接；所述第二三极管的集电极连接至所述第一三极管的发射极，所述第二三极管的基极和所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极接地；所述第一电容的第一端连接至所述第一三极管的基极；所述第二电阻的第一端连接至所述第一电容的第二端，所述第二电阻的第二端接地；所述第三三极管的基极连接至所述第一三极管的基极，所述第三三极管的集电极连接至第二电源电压；所述第三电阻的第一端连接至所述第三三极管的发射极，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马二晨，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：