全共模范围失调电压修调运算放大器制造技术

全共模范围失调电压修调运算放大器，涉及集成电路技术，本发明专利技术包括运放电路和修调电路，其特征在于，所述修调电路包括第一电流源(101)～第七电流源(107)，以及第十五NMOS管(M15)～第三十PMOS管(M30)，第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接正性电平输入线。本发明专利技术在将轨到轨输入运放的全共模范围失调电压修正到目标值以内的同时，输入失调电压几乎不随共模电压的变化而变化，提高了运放全共模范围的线性度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
全共模范围失调电压修调运算放大器


[0001]本专利技术涉及集成电路技术，特别涉及全共模范围失调电压修调技术。

技术介绍

[0002]轨到轨输入运算放大器，在低输入共模电压下P输入对管导通，N输入对管关闭，高输入共模电压下P输入对管关闭，N输入对管导通，在中间输入共模电压下P输入对管和N输入对管同时导通。
[0003]传统的失调电压修调结构，或只对P输入对管和N输入对管同时导通的情况进行修调，无法保证高共模输入、低共模输入、和对管弱导通情况下的精度。或对P管导通、N管关断和P管关断、N管导通的情况分别修调，无法消除分开修调导致的后级电路等效失调重复修正，也无法保证对管弱导通时情况下的精度。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种全共模范围失调电压修调运算放大器，能够提高运放全共模范围的线性度。
[0005]本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是，全共模范围失调电压修调运算放大器，包括运放电路和修调电路，所述修调电路包括：
[0006]第一电流源(101)，其电流输入端接VDD；
[0007]第二电流源(102)，其电流输出端接VSS；
[0008]第三电流源(103)，其电流输入端接VDD；
[0009]第四电流源(104)，其电流输入端接VDD；
[0010]第五电流源(105)，其电流输入端接VDD；
[0011]第六电流源(106)，其电流输入端接VDD；
[0012]第七电流源(107)，其电流输出端接VSS；
[0013]第十五NMOS管(M15)，其栅极和漏极接第三电流源(103)的电流输出端和第二电流源(102)的电流输入端，源极接VSS；
[0014]第十六NMOS管(M16)，其栅极接第十五NMOS管(M15)的栅极，源极接VSS，漏极接第四电流源(104)的电流输出端；
[0015]第十七NMOS管(M17)，其栅极和漏极接第四电流源(104)的电流输出端，源极接VSS；
[0016]第十八NMOS管(M18)，其栅极接第十七NMOS管(M17)的栅极，源极接VSS；
[0017]第二十一PMOS管(M21)，其源极接VDD，漏极接栅极；
[0018]第二十二PMOS管(M22)，其源极VDD，栅极接第二十一PMOS管(M21)的栅极，漏极接运放电路的N管修调电流输入端；
[0019]第二十三PMOS管(M23)，其源极接第一电流源(101)的电流输出端，漏极接第二电流源(102)的电流输入端，栅极接负性电平输入线；
[0020]第二十四PMOS管(M24)，其源极接第一电流源(101)的电流输出端，漏极接第二电流源(102)的电流输入端，栅极接正性电平输入线；
[0021]第二十五NMOS管(M25)，其漏极接第二十一PMOS管(M21)的漏极，源极接第十八NMOS管(M18)的漏极，栅极接负性电平输入线；
[0022]第二十六NMOS管(M26)，其漏极接第二十一PMOS管(M21)的漏极，源极接第十八NMOS管(M18)的漏极，栅极接正性电平输入线；
[0023]第二十七PMOS管(M27)，其源极接第五电流源(105)的电流输出端，漏极接运放电路的P管修调电流输入端，栅极接负性电平输入线；
[0024]第二十八PMOS管(M28)，其源极接第五电流源(105)的电流输出端，漏极接运放电路的P管修调电流输入端，栅极接正性电平输入线；
[0025]第二十九PMOS管(M29)，其源极接第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接负性电平输入线；
[0026]第三十PMOS管(M30)，第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接正性电平输入线。
[0027]所述运放电路包括输出级和修调级，所述修调级包括：
[0028]第八电流源(108)，其电流输入端接VDD；
[0029]第九电流源(109)，其电流输入端接VDD；
[0030]第十九NMOS管(M19)，其漏极和栅极接第八电流源(108)的电流输出端和第七电流源(107)的电流输入端，源极接地；
[0031]第十一PMOS管(M11)，其源极接VDD，栅极接第二十一PMOS管(M21)的栅极；
[0032]第一NMOS管(M1)，其漏极接第十一PMOS管(M11)的漏极，栅极接负性电平输入线，
[0033]第十二PMOS管(M12)，其源极接VDD，栅极接第十一PMOS管(M11)的栅极；
[0034]第二NMOS管(M2)，其漏极接第十二PMOS管(M12)的漏极，栅极接正性电平输入线，源极接第一NMOS管(M1)的源极；
[0035]第二十NMOS管(M20)，其漏极接第一NMOS管(M1)的源极，源极接地，栅极接第十七NMOS管的栅极；
[0036]第三PMOS管(M3)，其源极接第九电流源(109)的电流输出端，栅极负性电平输入线；
[0037]第四PMOS管(M4)，其源极接第九电流源(109)的电流输出端，栅极正性电平输入线；
[0038]第十三NMOS管(M13)，其漏极接第三PMOS管(M3)的漏极，源极接地，栅极接第一NMOS管(M1)的栅极；
[0039]第十四NMOS管(M14)，其漏极接第四PMOS管(M4)的漏极，源极接地，栅极接第十三NMOS管(M13)的栅极；
[0040]P管修调模块，包括P管修调电流输入端，其第一P型电流连接点接第十四NMOS管(M14)的漏极，第一N型电流连接点接第十三NMOS管(M13)的漏极，第二P型电流连接点接第二NMOS管(M2)的漏极，第二N型电流连接点接第一NMOS管(M1)的漏极；
[0041]N管修调模块，包括N管修调电流输入端，其第一P型电流连接点接第十四NMOS管(M14)的漏极，第一N型电流连接点接第十三NMOS管(M13)的漏极，第二P型电流连接点接第
二NMOS管(M2)的漏极，第二N型电流连接点接第一NMOS管(M1)的漏极。
[0042]第一电流源(101)、第二电流源(102)、第三电流源(103)的电流值相等，记为I0；
[0043]第六电流源(106)、第七电流源(107)和第八电流源(108)的电流值相等，记为I2；
[0044]第九电流源(109)的电流值记为I3，第五电流源(105)的电流值记为I6；
[0045]第二十一PMOS管(M21)和第二十二PMOS管(M22)的尺寸相同；
[0046]第二十三PMOS管(M23)和第二十四PMOS管(M24)的尺寸相同；
[0047]第三PMOS管(M3)和第四PMOS管(M4)的尺寸相同；
[0048]第二十七PMOS管(M27)和第二十八PMOS管(M28)的尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.全共模范围失调电压修调运算放大器，包括运放电路和修调电路，其特征在于，所述修调电路包括：第一电流源(101)，其电流输入端接VDD；第二电流源(102)，其电流输出端接VSS；第三电流源(103)，其电流输入端接VDD；第四电流源(104)，其电流输入端接VDD；第五电流源(105)，其电流输入端接VDD；第六电流源(I06)，其电流输入端接VDD；第七电流源(107)，其电流输出端接VSS；第十五NMOS管(M15)，其栅极和漏极接第三电流源(103)的电流输出端和第二电流源(102)的电流输入端，源极接VSS；第十六NMOS管(M16)，其栅极接第十五NMOS管(M15)的栅极，源极接VSS，漏极接第四电流源(104)的电流输出端；第十七NMOS管(M17)，其栅极和漏极接第四电流源(104)的电流输出端，源极接VSS；第十八NMOS管(M18)，其栅极接第十七NMOS管(M17)的栅极，源极接VSS；第二十一PMOS管(M21)，其源极接VDD，漏极接栅极；第二十二PMOS管(M22)，其源极VDD，栅极接第二十一PMOS管(M21)的栅极，漏极接运放电路的N管修调电流输入端；第二十三PMOS管(M23)，其源极接第一电流源(101)的电流输出端，漏极接第二电流源(102)的电流输入端，栅极接负性电平输入线；第二十四PMOS管(M24)，其源极接第一电流源(101)的电流输出端，漏极接第二电流源(102)的电流输入端，栅极接正性电平输入线；第二十五NMOS管(M25)，其漏极接第二十一PMOS管(M21)的漏极，源极接第十八NMOS管(M18)的漏极，栅极接负性电平输入线；第二十六NMOS管(M26)，其漏极接第二十一PMOS管(M21)的漏极，源极接第十八NMOS管(M18)的漏极，栅极接正性电平输入线；第二十七PMOS管(M27)，其源极接第五电流源(105)的电流输出端，漏极接运放电路的P管修调电流输入端，栅极接负性电平输入线；第二十八PMOS管(M28)，其源极接第五电流源(105)的电流输出端，漏极接运放电路的P管修调电流输入端，栅极接正性电平输入线；第二十九PMOS管(M29)，其源极接第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接负性电平输入线；第三十PMOS管(M30)，第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接正性电平输入线。2.如权利要求1所述的全共模范围失调电压修调运算放大器，其特征在于，所述运放电路包括输出级和修调级，所述修调级包括：第八电流源(108)，其电流输入端接VDD；第九电流源(109)，其电流输入端接VDD；第十九NMOS管(M19)，其漏极和栅极接第八电流源(108)的电流输出端和第七电流源
(107)的电流输入端，源极接地；第十一PMOS管(M11)，其源极接VDD，栅极接第二十一PMOS管(M21)的栅极；第一NMOS管(M1)，其漏极接第十一PMOS管(M11)的漏极，栅极接负性电平输入线，第十二PMOS管(M12)，其源极接VDD...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欢，
申请(专利权)人：成都环宇芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：